전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOL1208 | - | ![]() | 8999 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-powersmd, 평평한 리드 | AOL12 | MOSFET (금속 (() | 초음파 8 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1110 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||
![]() | FDB8445 | - | ![]() | 5935 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-FDB8445 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 70A (TC) | 10V | 9mohm @ 70a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 3805 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | |||
![]() | DMP2104LP-7-52 | 0.1007 | ![]() | 9075 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-udfn | DMP2104 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1411-3 | 다운로드 | 31-DMP2104LP-7-52 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 150mohm @ 950ma, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 320 pf @ 16 v | - | 500MW (TA) | |||||
![]() | IXTT50P085 | - | ![]() | 4987 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 85 v | 50A (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 4200 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||
![]() | BUK7109-75AIE, 118 | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 121 NC @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 25 v | 현재 현재 | 272W (TC) | |||
![]() | IQE030N06NM5CGATMA1 | 3.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | IQE030N | MOSFET (금속 (() | PG-TTFN-9-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 21A (TA), 137A (TC) | 6V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3.3V @ 50µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 107W (TC) | ||
![]() | GC20N65Q | 3.5300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 170mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1724 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | ||||
![]() | APL602J | 89.2900 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APL602 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 43A (TC) | 12V | 125mohm @ 21.5a, 12v | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 9000 pf @ 25 v | - | 565W (TC) | |||
![]() | AOT404 | - | ![]() | 3195 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT40 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 105 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 28mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 25V | 2445 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||
![]() | IPD80P03P4L07ATMA1 | 1.8200 | ![]() | 3993 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD80P03 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 80a, 10V | 2V @ 130µA | 80 nc @ 10 v | +5V, -16V | 5700 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||
![]() | SI4116DY-T1-E3 | 1.2500 | ![]() | 3658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4116 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 18A (TC) | 2.5V, 10V | 8.6mohm @ 10a, 10V | 1.4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 12V | 1925 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||
![]() | SIHJ6N65E-T1-GE3 | 2.1300 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIHJ6 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 5.6A (TC) | 10V | 868mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 596 pf @ 100 v | - | 74W (TC) | |||
IPU95R3K7P7AKMA1 | 1.2100 | ![]() | 917 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU95R3 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 950 v | 2A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 800ma, 10V | 3.5V @ 40µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 196 pf @ 400 v | - | 22W (TC) | |||
![]() | stw48nm60n | 15.6100 | ![]() | 2641 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW48 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-11367-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 44A (TC) | 10V | 70mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 124 NC @ 10 v | ± 25V | 4285 pf @ 50 v | - | 330W (TC) | |
![]() | IRFB42N20DPBF | - | ![]() | 1785 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 44A (TC) | 10V | 55mohm @ 26a, 10V | 5.5V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 30V | 3430 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA), 330W (TC) | |||
![]() | NP32N055SLE-E1-AZ | - | ![]() | 3103 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 32A (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | SI1424EDH-T1-GE3 | 0.4300 | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1424 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4A (TC) | 4.5V | 33mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 18 nc @ 8 v | ± 8V | - | 1.56W (TA), 2.8W (TC) | |||
![]() | SIHA17N80E-E3 | 4.8600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA17 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2408 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | ||||
![]() | NVMFS2D3P04M8LT1G | 3.4000 | ![]() | 4434 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | p 채널 | 40 v | 31A (TA), 222A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2MOHM @ 30A, 10V | 2.4v @ 2.7ma | 157 NC @ 10 v | ± 20V | 5985 pf @ 20 v | - | 3.8W (TA), 205W (TC) | |||
![]() | IPW65F6048A | - | ![]() | 1472 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | RF1S9530 | 1.8700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 100 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||
![]() | SI2306BDS-T1-BE3 | 0.5500 | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-si2306bds-t1-be3tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.16a (TA) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250µA | 4.5 nc @ 5 v | ± 20V | 305 pf @ 15 v | - | 750MW (TA) | ||||
![]() | FDP053N08B-F102 | 2.2100 | ![]() | 355 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP053 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 75A (TC) | 10V | 5.3mohm @ 75a, 10V | 4.5V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 5960 pf @ 40 v | - | 146W (TC) | ||
![]() | IPD60R750E6BTMA1 | - | ![]() | 6531 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ E6 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 5.7A (TC) | 10V | 750mohm @ 2a, 10V | 3.5V @ 170µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 20V | 373 PF @ 100 v | - | 48W (TC) | ||
![]() | AUIRF3805S-7P | - | ![]() | 7202 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522074 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 160A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7820 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | AUIRF6215 | 1.0000 | ![]() | 5014 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||
![]() | IRF7433PBF | - | ![]() | 1706 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7433 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001571932 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 12 v | 8.9A (TA) | 1.8V, 4.5V | 24mohm @ 8.7a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1877 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | BSP317PE6327 | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP317 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 250 v | 430MA (TA) | 4.5V, 10V | 4ohm @ 430ma, 10V | 2V @ 370µA | 15.1 NC @ 10 v | ± 20V | 262 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||
![]() | FDC796N | 0.6400 | ![]() | 988 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -6 FLMP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12.5A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | 1444 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | |||||
![]() | BSS83PE6327 | - | ![]() | 7719 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 330ma (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 330ma, 10V | 2V @ 80µa | 3.57 NC @ 10 v | ± 20V | 78 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고