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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RSJ400N10TL Rohm Semiconductor RSJ400N10TL 3.8400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ400 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4V, 10V 27mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 1mA 90 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 1.35W (TA), 50W (TC)
NP22N055HLE-S16-AY Renesas Electronics America Inc NP22N055HLE-S16-ay 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor RQ5H030TNTL 0.6700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5H030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 3a, 4.5v 1.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 v ± 12V 510 pf @ 10 v - 700MW (TA)
FDB0300N1007L onsemi FDB0300N1007L 6.5100
RFQ
 ECAD 560 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) FDB0300 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 200a (TC) 6V, 10V 3MOHM @ 26A, 10V 4V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 8295 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
CSD25401Q3 Texas Instruments CSD25401Q3 -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD2540 MOSFET (금속 (() 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 14A (TA), 60A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 10a, 4.5v 1.2V @ 250µA 12.3 NC @ 4.5 v ± 12V 1400 pf @ 10 v - 2.8W (TA)
PMV65ENEAR Nexperia USA Inc. pmv65enear 0.5200
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv65 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 2.7a, 10V 2.5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 160 pf @ 20 v - 490MW (TA), 6.25W (TC)
BUK9675-100A,118 NXP Semiconductors BUK9675-100A, 118 -
RFQ
 ECAD 6750 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BUK9675-100A, 118-954 1 n 채널 100 v 23A (TC) 5V, 10V 72mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA ± 15V 1704 pf @ 25 v - 99W (TC)
NVMTS1D6N10MCTXG onsemi nvmts1d6n10mctxg 6.9800
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 36A (TA), 273A (TC) 10V 1.7mohm @ 90a, 10V 4V @ 650µA 106 NC @ 10 v ± 20V 7630 pf @ 50 v - 5W (TA), 291W (TC)
MCQ60P05-TP Micro Commercial Co MCQ60P05-TP -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ60P05 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 353-MCQ60P05-TPTR 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 60 v 5A (TA) 10V 80mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 20 v - -
62-0136PBF Infineon Technologies 62-0136pbf -
RFQ
 ECAD 5369 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 - MOSFET (금속 (() - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001562150 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 19A (TA) 10V 4.5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3710 pf @ 15 v - 2.5W
IRLMS1902TR Infineon Technologies IRLMS1902TR -
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.2A (TA) 2.7V, 4.5V 100mohm @ 2.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 7 NC @ 4.5 v ± 12V 300 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
FKI07174 Sanken FKI07174 -
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKI07174 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 31A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 22.8A, 10V 2.5V @ 650µA 36.2 NC @ 10 v ± 20V 2520 pf @ 25 v - 38W (TC)
NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc np50n04yuk-e1-ay 1.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerldfn MOSFET (금속 (() 8-HSON (5x5.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 4.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 1W (TA), 97W (TC)
2SK2161 onsemi 2SK2161 0.9200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 325
NVMFS5833NLT1G onsemi NVMFS5833NLT1G -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5833 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 16A (TA) 10V 7.5mohm @ 40a, 10V 3.5V @ 250µA 32.5 nc @ 10 v ± 20V 1714 pf @ 25 v - 3.7W (TA)
IRF540Z Infineon Technologies IRF540Z -
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF540Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
STB9NK80Z STMicroelectronics STB9NK80Z 2.4000
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB9 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 5.2A (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10V 4.5V @ 100µa 40 nc @ 10 v ± 30V 1138 pf @ 25 v - 125W (TC)
STI300N4F6 STMicroelectronics STI300N4F6 -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI300 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 2.2mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 25 v - 300W (TC)
TN0604N3-G-P013 Microchip Technology TN0604N3-G-P013 1.1400
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0604 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 40 v 700ma (TJ) 5V, 10V 750mohm @ 1.5a, 10V 1.6V @ 1mA ± 20V 190 pf @ 20 v - 740MW (TA)
BSS84PW L6327 Infineon Technologies BSS84PW L6327 -
RFQ
 ECAD 6861 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 150MA (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 150ma, 10V 2V @ 20µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 19.1 pf @ 25 v - 300MW (TA)
FCPF9N60NT onsemi fcpf9n60nt 2.7000
RFQ
 ECAD 812 0.00000000 온세미 Supermos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF9N60 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 1240 pf @ 100 v - 29.8W (TC)
IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB023N04NF2SATMA1 1.8900
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB023 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 30A (TA), 122A (TC) 6V, 10V 2.35mohm @ 70a, 10V 3.4V @ 81µA 102 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 150W (TC)
IRF6215LPBF Infineon Technologies IRF6215LPBF -
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001564822 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
HUFA75343P3 onsemi hufa75343p3 -
RFQ
 ECAD 4262 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 270W (TC)
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies ISS55EP06LMXTSA1 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ISS55EP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 180MA (TA) 4.5V, 10V 5.5ohm @ 180ma, 10V 2V @ 11µA 0.59 nc @ 10 v ± 20V 18 pf @ 30 v - 400MW (TA)
NTJS4160NT1G onsemi ntjs4160nt1g -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJS41 MOSFET (금속 (() SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 2.6a, 10V 2.4V @ 250µA 2.75 nc @ 4.5 v ± 20V 230 pf @ 10 v - 300MW (TA)
FDB035AN06A0 onsemi FDB035AN06A0 5.7300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB035 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 22A (TA), 80A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 310W (TC)
XP262N70023R-G Torex Semiconductor Ltd XP262N70023R-G 0.0628
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 XP262 MOSFET (금속 (() SOT-323-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.72 nc @ 10 v ± 20V 30 pf @ 20 v - 350MW (TA)
STD16N60M2 STMicroelectronics STD16N60M2 2.0000
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD16 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 700 pf @ 100 v - 110W (TC)
NVS4001NT1G onsemi NVS4001NT1G 0.4000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NVS4001 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 270MA (TA) 2.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 1.3 NC @ 5 v ± 20V 33 pf @ 5 v - 330MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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