SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFZ44EL Infineon Technologies IRFZ44EL -
RFQ
ECAD 6587 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44EL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 48A (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 25 v - 110W (TC)
FDMS86101 onsemi FDMS86101 2.2700
RFQ
ECAD 342 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.4A (TA), 60A (TC) 6V, 10V 8mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 104W (TC)
PJL9430A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9430A_R2_00001 0.1523
RFQ
ECAD 8642 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9430 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9430A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 4.8A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.8a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 815 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
NVHL065N65S3F onsemi NVHL065N65S3F 5.6067
RFQ
ECAD 3678 0.00000000 온세미 Superfet® III, FRFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NVHL065N65S3F 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 46A (TC) 10V 65mohm @ 23a, 10V 5V @ 1.3ma 98 NC @ 10 v ± 30V 4075 pf @ 400 v - 337W (TC)
PJQ2463A_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2463A_R1_00001 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2463 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
APT80SM120J Microsemi Corporation APT80SM120J -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 sicfet ((카바이드) SOT-227 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 51A (TC) 20V 55mohm @ 40a, 20V 2.5V @ 1mA 235 NC @ 20 v +25V, -10V - 273W (TC)
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R090M1HXKSA1 14.1900
RFQ
ECAD 665 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMZ120 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 26A (TC) 15V, 18V 117mohm @ 8.5a, 18V 5.7v @ 3.7ma 21 NC @ 18 v +23V, -7v 707 pf @ 800 v - 115W (TC)
SPP80N08S2-07 Infineon Technologies SPP80N08S2-07 -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6130 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S403AKSA1 -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI120N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 120µA 160 nc @ 10 v ± 20V 13150 pf @ 25 v - 167W (TC)
PMN49EN,165 NXP USA Inc. PMN49EN, 165 -
RFQ
ECAD 6071 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN4 MOSFET (금속 (() SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061119165 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 47mohm @ 2a, 10V 2V @ 1mA 8.8 NC @ 4.5 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 1.75W (TC)
IRFD210PBF Vishay Siliconix IRFD210PBF 1.3900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD210 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD210PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 600MA (TA) 10V 1.5ohm @ 360ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI7409ADN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7409ADN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6256 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7409 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7A (TA) 2.5V, 4.5V 19mohm @ 11a, 4.5v 1.5V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1, S1X 1.0400
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK40E06 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 40A (TA) 10V 10.4mohm @ 20a, 10V 4V @ 300µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 30 v - 67W (TC)
NVD4809NT4G onsemi NVD4809NT4G -
RFQ
ECAD 4891 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD480 MOSFET (금속 (() DPAK-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9.6A (TA), 58A (TC) 4.5V, 11.5V 9MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 11.5 v ± 20V 1456 pf @ 12 v - 1.4W (TA), 52W (TC)
HUF76423S3ST Fairchild Semiconductor HUF76423S3st 0.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 35a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 16V 1060 pf @ 25 v - 85W (TC)
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU (TE85L, f -
RFQ
ECAD 3544 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J409 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9.5A (TA) 1.5V, 4.5V 22.1MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 10 v - 1W (TA)
MTD6P10E onsemi mtd6p10e -
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 mtd6p MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 mtd6p10eos 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 15V 840 pf @ 25 v - 1.75W (TA), 50W (TC)
STB11NM60N-1 STMicroelectronics STB11NM60N-1 -
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB11N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 25V 850 pf @ 50 v - 90W (TC)
DMTH6002LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6002LPSWQ-13 1.0319
RFQ
ECAD 9232 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 (SWP) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH6002LPSWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 205A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 131 NC @ 10 v ± 20V 8289 pf @ 30 v - 3W (TA), 167W (TC)
SI3443CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-BE3 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3443CDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA), 5.97A (TC) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12.4 NC @ 5 v ± 12V 610 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
ECH8420-TL-H onsemi ECH8420-TL-H 0.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8420 MOSFET (금속 (() 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 14A (TA) 1.8V, 4.5V 6.8mohm @ 7a, 4.5v - 29 NC @ 4.5 v ± 12V 2430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
IPD14N06S280ATMA1 Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA1 -
RFQ
ECAD 6172 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD14N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 80mohm @ 7a, 10V 4V @ 14µA 10 nc @ 10 v ± 20V 293 pf @ 25 v - 47W (TC)
IRL3803STRLPBF Infineon Technologies irl3803strlpbf 2.6700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL3803 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 5000 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRLU120NPBF Infineon Technologies IRLU120NPBF 1.0000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu120 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 10A (TC) 4V, 10V 185mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 16V 440 pf @ 25 v - 48W (TC)
2SK3902-ZK-E1-AY Renesas 2SK3902-ZK-E1-ay 1.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3902-ZK-E1-ay 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 45W (TC)
SIHB15N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB15N80AE-GE3 2.7300
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB15 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB15N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 350mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1093 pf @ 100 v - 156W (TC)
BUK6510-75C,127 NXP USA Inc. BUK6510-75C, 127 -
RFQ
ECAD 4920 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk65 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 77A (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 81 NC @ 10 v ± 16V 5251 pf @ 25 v - 158W (TC)
NTBLS4D0N15MC onsemi NTBLS4D0N15MC 6.6300
RFQ
ECAD 6738 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn NTBLS4 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 19A (TA), 187a (TC) 8V, 10V 4.4mohm @ 80a, 10V 4.5V @ 584µA 90.4 NC @ 10 v ± 20V 7490 pf @ 75 v - 3.4W (TA), 316W (TC)
PSMN041-80YL115 NXP USA Inc. PSMN041-80YL15 1.0000
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
IXFL210N30P3 IXYS IXFL210N30P3 36.4500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFL210 MOSFET (금속 (() ISOPLUS264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfl210n30p3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 300 v 108A (TC) 10V 16MOHM @ 105A, 10V 5V @ 8MA 268 NC @ 10 v ± 20V 16200 pf @ 25 v - 520W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고