SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
AO4494H Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4494H -
RFQ
ECAD 9620 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
IPP114N03LGHKSA1 Infineon Technologies IPP114N03LGHKSA1 0.3200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 38W (TC)
STR1P2UH7 STMicroelectronics str1p2uh7 -
RFQ
ECAD 4704 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ H7 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 str1 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 700ma, 4.5v 1V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 8V 510 pf @ 10 v - 350MW (TC)
AONR36368 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR36368 0.5100
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AONR363 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 23A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1305 pf @ 15 v - 4.1W (TA), 24W (TC)
FQD4N20TM Fairchild Semiconductor FQD4N20TM 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1,086 n 채널 200 v 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 220 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
BS250P Diodes Incorporated BS250P 0.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BS250 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 45 v 230MA (TA) 10V 14ohm @ 200ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 700MW (TA)
ZVP1320ASTOB Diodes Incorporated ZVP1320ASTOB -
RFQ
ECAD 2275 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 200 v 70MA (TA) 10V 80ohm @ 50ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 625MW (TA)
FQPF13N50C onsemi FQPF13N50C -
RFQ
ECAD 7156 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2166-FQPF13N50C-488 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 48W (TC)
SFP9520 Fairchild Semiconductor SFP9520 0.1900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 6A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 550 pf @ 25 v - 49W (TC)
IRF100DM116XTMA1 Infineon Technologies IRF100DM116XTMA1 1.7343
RFQ
ECAD 1175 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 4,800
NVMFS5C628NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C628NLWFAFT1G 2.9500
RFQ
ECAD 4320 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 28A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 135µA 52 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 110W (TC)
FDD6770A Fairchild Semiconductor FDD6770A 0.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD677 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 25 v 24A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2405 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 65W (TC)
NVD5C648NLT4G onsemi NVD5C648NLT4G 3.0400
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD5C648 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 18A (TA), 89A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 45a, 10V 2.1V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 72W (TC)
AO3416L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3416L_102 -
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 6.5a, 4.5v 1V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 8V 1160 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
PSMN2R2-40YSDX Nexperia USA Inc. PSMN2R2-40YSDX 1.8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 180A (TA) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 63 NC @ 10 v ± 20V 5130 pf @ 20 v - 166W (TA)
IRF1405S Infineon Technologies IRF1405S -
RFQ
ECAD 1951 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 131A (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 5480 pf @ 25 v - 200W (TC)
SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix SUM70101EL-GE3 4.2300
RFQ
ECAD 6937 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum70101 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 120A (TC) 4.5V, 10V 10.1mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRFS52N15DTRRP Infineon Technologies IRFS52N15DTRRP -
RFQ
ECAD 8720 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS52 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 51A (TC) 10V 32mohm @ 36a, 10V 5V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 2770 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 230W (TC)
IRF710 onsemi IRF710 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 36W (TC)
2N7002-G onsemi 2N7002-G 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 200MW (TC)
HUF76409D3ST Fairchild Semiconductor HUF76409D3ST -
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 63mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 16V 485 pf @ 25 v - 49W (TC)
IRF7700 Infineon Technologies IRF7700 -
RFQ
ECAD 2811 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 20 v 8.6A (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 89 NC @ 5 v ± 12V 4300 pf @ 15 v - 1.5W (TC)
SIHP240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP240N60E-GE3 2.9700
RFQ
ECAD 419 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP240 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 795 pf @ 100 v - 78W (TC)
SPI16N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI16N50C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 5671 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI16N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 16A (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10V 3.9V @ 675µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 160W (TC)
AON7548 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7548 -
RFQ
ECAD 6846 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Aon75 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1086 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 23W (TC)
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R027M1HXKSA1 25.7200
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ M1 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW65R027 sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 47A (TC) 18V 34mohm @ 38.3a, 18V 5.7v @ 11ma 62 NC @ 18 v +23V, -5V 2131 pf @ 400 v - 189W (TC)
RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor rtq045n03hzgtr 0.7400
RFQ
ECAD 4765 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RTQ045 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 43mohm @ 4.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 10.7 NC @ 4.5 v ± 12V 540 pf @ 10 v - 950MW (TA)
BSS806NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS806NL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 1972 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.3A (TA) 1.8V, 2.5V 57mohm @ 2.3a, 2.5v 750MV @ 11µA 1.7 NC @ 2.5 v ± 8V 529 pf @ 10 v - 500MW (TA)
PJA3440_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3440_R1_00001 0.4000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3440 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 20V 410 pf @ 20 v - 1.25W (TA)
BUK9Y38-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y38-100E, 115 1.0200
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y38 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 30A (TC) 5V, 10V 38mohm @ 5a, 5V 2.1v @ 1ma 21.6 NC @ 5 v ± 10V 2541 pf @ 25 v - 94.9W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고