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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP3NK90ZFP | 1.4300 |  | 931 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP3NK90 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5979-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 3A (TC) | 10V | 4.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 22.7 NC @ 10 v | ± 30V | 590 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | |||||||||
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| FDMS7580 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS75 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 15A (TA), 29A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1190 pf @ 13 v | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | ||||||||||
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| FQD7P20TM_F080 | - | | 5063 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD7 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 200 v | 5.7A (TC) | 10V | 690mohm @ 2.85a, 10V | 5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 770 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | |||||||||||
 | TP0202K-T1-E3 | - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0202 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 385MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.4ohm @ 500ma, 10V | 3V @ 250µA | 1 nc @ 10 v | ± 20V | 31 pf @ 15 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||
 | ISL9N303AS3 | - | | 1227 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | ISL9 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 172 NC @ 10 v | ± 20V | 7000 pf @ 15 v | - | 215W (TC) | |||||||||||
 | IRFR9210 | - | | 2040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 200 v | 1.9A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 8.9 NC @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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