SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
2SK1133-T2B-A Renesas Electronics America Inc 2SK1133-T2B-A -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
SI1488DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1488DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1488 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.1A (TC) 1.8V, 4.5V 49mohm @ 4.6a, 4.5v 950MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 530 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
MCT03N06-TP Micro Commercial Co MCT03N06-TP 0.1645
RFQ
 ECAD 7983 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MCT03 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 353-MCT03N06-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 3A 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 247 pf @ 30 v - 1.2W
SIHD3N50D-BE3 Vishay Siliconix SIHD3N50D-BE3 0.9200
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 Vishay Siliconix 디 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SIHD3N50D-BE3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
SIX3134K-TP Micro Commercial Co 63134K-TP 0.4300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 63134 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 750ma 380mohm @ 650ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 120pf @ 16V -
BUK661R8-30C,118 NXP USA Inc. BUK661R8-30C, 118 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 168 NC @ 10 v ± 16V 10918 pf @ 25 v - 263W (TC)
STB5NK50Z-1 STMicroelectronics STB5NK50Z-1 -
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB5N MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 4.4A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 50µA 28 nc @ 10 v ± 30V 535 pf @ 25 v - 70W (TC)
AON7458 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7458 0.2226
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON745 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 250 v 1.5A (TA), 5A (TC) 10V 560mohm @ 1.5a, 10V 4.3V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 30V 370 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 33W (TC)
MCTL270N04Y-TP Micro Commercial Co MCTL270N04Y-TP 3.2100
RFQ
 ECAD 5628 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() Toll-8l - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 270A (TC) 6V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 4.4V @ 250µA 135.6 NC @ 10 v ± 20V 8010 pf @ 25 v - 391W (TJ)
FDD9509L onsemi FDD9509L -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 488-FDD9509L 쓸모없는 1
SIR5112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5112dp-t1-Re3 1.8000
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5112 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.6A (TA), 42.6A (TC) 7.5V, 10V 14.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 50 v - 5W (TA), 56.8W (TC)
FDB3652 onsemi FDB3652 2.2200
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB365 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16MOHM @ 61A, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2880 pf @ 25 v - 150W (TC)
TP65H150G4LSG Transphorm TP65H150G4LSG 5.0100
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 반죽 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-powertsfn TP65H150 Ganfet ((갈륨) 2-PQFN (8x8) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 60 n 채널 650 v 13A (TC) 10V 180mohm @ 8.5a, 10V 4.8V @ 500µA 8 nc @ 10 v ± 20V 598 pf @ 400 v - 52W (TC)
MSCSM120AM11CT3AG Microchip Technology MSCSM120AM11CT3AG 387.2000
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 1.067kW (TC) SP3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM11CT3AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 254A (TC) 10.4mohm @ 120a, 20V 2.8V @ 3MA 696NC @ 20V 9060pf @ 1000V -
PMDPB30XN/S711115 NXP USA Inc. PMDPB30XN/S711115 -
RFQ
 ECAD 5269 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
SPS04N60C3E8177AKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3E8177AKMA1 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-SPS04N60C3E8177AKMA1-448 1
DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated DMN2022UNS-7 0.5900
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN2022 MOSFET (금속 (() 1.2W PowerDI3333-8 (유형 UXB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 10.7A (TA) 10.8mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 20.3NC @ 4.5V 1870pf @ 10V -
DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated DMP2200UDW-13 0.4100
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2200 MOSFET (금속 (() 450MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 900ma 260mohm @ 880ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 184pf @ 10V -
G15N06K Goford Semiconductor G15N06K 0.5300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 15A (TC) 4.5V, 10V 45mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 763 pf @ 30 v - 40W (TC)
G10P03 Goford Semiconductor G10P03 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.15x3.05) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 10A 1.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 12V 1550 pf @ 15 v 20W
NDH8302P Fairchild Semiconductor NDH8302P 0.4400
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) NDH8302 MOSFET (금속 (() 800MW (TA) SUPERSOT ™ -8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2A (TA) 130mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 11nc @ 4.5v 515pf @ 10V -
SQ4483BEEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4483BEEY-T1_GE3 1.7500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4483 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 22A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V - 7W (TC)
PH4830L,115 NXP USA Inc. pH4830L, 115 -
RFQ
 ECAD 9776 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 ph48 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 84A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 22.9 NC @ 4.5 v ± 20V 2786 pf @ 12 v - 62.5W (TC)
IRF7811WTRPBF Infineon Technologies IRF7811WTRPBF -
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V 12mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 12V 2335 pf @ 16 v - 3.1W (TA)
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995 (F) -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2995 MOSFET (금속 (() to-3p (n)입니다 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 30A (TA) 10V 68mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 1mA 132 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 10 v - 90W (TC)
APT6010JLL Microchip Technology apt6010jll 39.8500
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT6010 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 47A (TC) 100mohm @ 23.5a, 10V 5V @ 2.5MA 150 nc @ 10 v 6710 pf @ 25 v -
FDPF680N10T onsemi FDPF680N10T 1.6500
RFQ
 ECAD 821 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF680 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 12A (TC) 10V 68mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 50 v - 24W (TC)
TSM35N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM35N10CP ROG 1.6271
RFQ
 ECAD 8011 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM35 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 32A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1598 pf @ 30 v - 83.3W (TC)
IRFP3306PBF Infineon Technologies IRFP3306PBF 3.3500
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP3306 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 4.2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 150µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4520 pf @ 50 v - 220W (TC)
AON6998 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6998 0.4748
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn AON699 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 19a, 26a 5.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 13NC @ 10V 820pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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