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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
NTE2384 NTE Electronics, Inc NTE2384 50.8400
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2384 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 900 v 6A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 180W (TC)
NTE2396A NTE Electronics, Inc NTE2396A 1.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2396A 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 44mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 1960 pf @ 25 v - 130W (TC)
NTE2934 NTE Electronics, Inc NTE2934 7.3100
RFQ
 ECAD 449 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pml 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE2934 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 11.5A (TC) 10V 300mohm @ 5.75a, 10V 4V @ 250µA 131 NC @ 10 v ± 30V 2780 pf @ 25 v - 92W (TC)
FDP6030L Fairchild Semiconductor FDP6030L 0.5700
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 48A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1250 pf @ 15 v - 52W (TC)
HUF75623P3 Fairchild Semiconductor HUF75623P3 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 22A (TC) 10V 64mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 20 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 85W (TC)
HUF75531SK8T Fairchild Semiconductor HUF75531SK8T -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 6A (TA) 10V 30mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 20 v ± 20V 1210 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
FDS4885C Fairchild Semiconductor FDS4885C 1.0000
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS48 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 n 및 p 채널 40V 7.5A, 6A 22mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 20V -
FDR8308P Fairchild Semiconductor fdr8308p 0.2900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) FDR83 MOSFET (금속 (() 800MW SUPERSOT ™ -8 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.2A 50mohm @ 3.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1240pf @ 10V 논리 논리 게이트
NDS8858H Fairchild Semiconductor NDS8858H 0.5300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS885 MOSFET (금속 (() 1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6.3a, 4.8a 35mohm @ 4.8a, 10V 2.8V @ 250µA 30NC @ 10V 720pf @ 15V 논리 논리 게이트
HUFA76429P3 Fairchild Semiconductor hufa76429p3 -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 437 n 채널 60 v 47A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 16V 1480 pf @ 25 v - 110W (TC)
HAT2199R-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT2199R-EL-E 0.8500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 16.5mohm @ 5.5a, 10V - 7.5 NC @ 4.5 v 1060 pf @ 10 v - 2W (TA)
CPH6434-TL-E onsemi CPH6434-TL-E 0.2300
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6-CPH - 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 41mohm @ 3a, 4v - 7 nc @ 4 v 790 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
FDS7764A Fairchild Semiconductor FDS7764A 0.9900
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 7.5mohm @ 15a, 4.5v 2V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v 3451 pf @ 15 v - -
FDS6572A Fairchild Semiconductor FDS6572A 1.7300
RFQ
 ECAD 373 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 16A (TA) 2.5V, 4.5V 6ohm @ 16a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 12V 5914 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
FQAF40N25 Fairchild Semiconductor FQAF40N25 2.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 250 v 24A (TC) 10V 70mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 4000 pf @ 25 v - 108W (TC)
UPA2810T1L-E1-AY Renesas Electronics America Inc UPA2810T1L-E1-ay 1.0100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MOSFET (금속 (() 8-DFN3333 (3.3x3.3) - 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 13A (TA) 12MOHM @ 13A, 10V 2.5V @ 1mA 40 nc @ 10 v 1860 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
IXTA380N036T4-7-TR IXYS IXTA380N036T4-7-TR 4.2820
RFQ
 ECAD 7461 0.00000000 ixys 도랑 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA380 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA380N036T4-7-TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 36 v 380A (TC) 10V 1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 15V 13400 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXTA08N120P-TRL IXYS IXTA08N120P-TRL 2.5952
RFQ
 ECAD 1599 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA08 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA08N120P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1200 v 800MA (TC) 10V 25ohm @ 400ma, 10V 4.5V @ 50µA 14 nc @ 10 v ± 20V 333 pf @ 25 v - 50W (TC)
IXTA3N110-TRL IXYS IXTA3N110-TRL 4.3470
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA3N110-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1100 v 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
IXFA76N15T2-TRL IXYS IXFA76N15T2-TRL 3.8409
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA76 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA76N15T2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 76A (TC) 10V 22mohm @ 38a, 10V 4.5V @ 250µA 97 NC @ 10 v ± 20V 5800 pf @ 25 v - 350W (TC)
GTRA263902FC-V2-R0 Wolfspeed, Inc. GTRA263902FC-V2-R0 185.3754
RFQ
 ECAD 4388 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 간 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 H-37248C-4 GTRA263902 2.495GHz ~ 2.69GHz 헴 H-37248C-4 다운로드 1697-GTRA263902FC-V2-R0TR 귀 99 8541.29.0075 50 - 280 MA 370W 13.8dB - 48 v
GTRA362802FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTRA362802FC-V1-R0 197.9200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 간 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 H-37248C-4 GTRA362802 3.4GHz ~ 3.6GHz 헴 H-37248C-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3A001B3 8541.29.0075 50 - 200 MA 280W 13.5dB - 48 v
CGH40045P Wolfspeed, Inc. CGH40045P 201.5300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 간 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 84 v 표면 표면 440206 4GHz 헴 440206 다운로드 1 (무제한) 1697-CGH40045P 귀 99 8541.29.0075 120 - 400 MA 45W 14db - 28 v
PTFB201402FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. PTFB201402FC-V1-R0 -
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 H-37248-4 2.01GHz ~ 2.025GHz LDMOS H-37248-4 - 1697-PTFB201402FC-V1-R0 귀 99 8541.29.0075 50 이중, 소스 일반적인 10µA 650 MA 140W 16db - 28 v
PXFE211507FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. PXFE211507FC-V1-R0 66.3392
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 65 v 표면 표면 H-37248G-4/2 PXFE211507 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS H-37248G-4/2 다운로드 1697-PXFE211507FC-V1-R0TR 귀 99 8541.29.0075 50 10µA 900 MA 170W 18db - 28 v
CGH40120P Wolfspeed, Inc. CGH40120P 322.2202
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 간 쟁반 활동적인 120 v 표면 표면 440206 CGH40120 2.5GHz 헴 440206 다운로드 1697-CGH40120P 귀 99 8541.29.0075 100 - 1 a 120W 15.5dB - 28 v
CGH27015P Wolfspeed, Inc. CGH27015P 87.5968
RFQ
 ECAD 3229 0.00000000 Wolfspeed, Inc. 간 쟁반 활동적인 84 v 표면 표면 440196 CGH27015 2.3GHz ~ 2.9GHz 헴 440196 다운로드 1697-CGH27015P 귀 99 8541.29.0075 50 - 100 MA 15W 15db - 28 v
RJK03B9DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK03B9DPA-00#J53 0.5100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wpak - 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TA) 10.6mohm @ 15a, 10V - 7.4 NC @ 4.5 v 1110 pf @ 10 v - 25W (TC)
FQU3N40TU Fairchild Semiconductor fqu3n40tu 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
FQP2P25 Fairchild Semiconductor FQP2P25 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 750 p 채널 250 v 2.3A (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 52W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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