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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SFI9Z24TU Fairchild Semiconductor sfi9z24tu 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 9.7A (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 49W (TC)
BSS119NH7978XTSA1 Infineon Technologies BSS119NH7978XTSA1 0.1200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 190ma, 10V 2.3V @ 13µA 0.6 nc @ 10 v ± 20V 20.9 pf @ 25 v - 500MW (TA)
2SJ609 onsemi 2SJ609 0.5500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 544
BUK7506-55A127 NXP USA Inc. BUK7506-55A127 -
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 6000 pf @ 25 v - 300W (TC)
2SJ634-S-TL-E onsemi 2SJ634-S-TL-E 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 700
2SJ654 onsemi 2SJ654 0.6300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BUK7628-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK7628-55A/C1118 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800
2SK2623-TL-E onsemi 2SK2623-TL-E 0.6300
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies BSB012N03LX3GXUMA1 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
HUF75631SK8 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 5.5A (TA) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 v ± 20V 1225 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
2SK2934-92-E Renesas Electronics America Inc 2SK2934-92-E 2.1100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
2SK3055(1)-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3055 (1) -az 2.4200
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
HUF76113SK8 Fairchild Semiconductor HUF76113SK8 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) MOSFET (금속 (() US8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.5a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 585 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
HUF76129D3ST Fairchild Semiconductor huf76129d3st 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1425 pf @ 25 v - 105W (TC)
HUF76129P3 Harris Corporation HUF76129P3 0.7600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 해리스 해리스 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 56A (TC) 4.5V, 10V 16ohm @ 56a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 105W (TC)
CPH3303-TL-E onsemi CPH3303-TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
BSH205G2215 NXP USA Inc. BSH205G2215 -
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 2,950
BSC886N03LSG Infineon Technologies BSC886N03LSG -
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 39W (TC)
BSB053N03LPG Infineon Technologies BSB053N03LPG 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 42W (TC)
2SK2515-A Renesas Electronics America Inc 2SK2515-A 3.7800
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
2SK544D-AC onsemi 2SK544D-AC 0.0700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
RJK0204DPA-WS#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0204DPA-WS#J53 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BSC200P03LSG Infineon Technologies BSC200P03LSG 0.4300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 30 v 9.9A (TA), 12.5A (TC) 10V 20mohm @ 12.5a, 10V 1V @ 100µA 48.5 nc @ 10 v ± 25V 2430 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 63W (TC)
BSP373L6327 Infineon Technologies BSP373L6327 -
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 1.7A (TA) 10V 300mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 550 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
RQK0202RGDQAWS#H6 Renesas Electronics America Inc RQK0202RGDQAWS#H6 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
RJJ0315DSP-WS#J5 Renesas Electronics America Inc RJJ0315DSP-WS#J5 -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
SPD50N03S2L-06G Infineon Technologies SPD50N03S2L-06G 1.0000
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
PMV50XP215 NXP USA Inc. PMV50XP215 0.0800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMV50 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,836
TPIC1533DWR Texas Instruments TPIC1533DWR 2.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
FDP6035L Fairchild Semiconductor FDP6035L 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 58A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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