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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NVMFS6H864NLT1G | 1.0900 |  | 9361 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS6 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVMFS6H864NLT1GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 7A (TA), 22A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 5a, 10V | 2V @ 20µA | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 431 pf @ 40 v | - | 3.5W (TA), 33W (TC) | |||
 | AOTF600A70FL | 0.8511 | | 6132 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF600 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF600A70FL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 700 v | 8.5A (TJ) | 10V | 600mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 100 v | - | 26W (TC) | |||
 | AOWF600A60 | 0.9866 | | 7717 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOWF600 | MOSFET (금속 (() | TO-262F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOWF600A60 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 8A (TJ) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 250µA | 11.5 nc @ 10 v | ± 20V | 608 pf @ 100 v | - | 23W (TC) | |||
 | NTTFS008P03P8Z | 3.1400 | | 6 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS008 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 22A (TA), 96A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 134 NC @ 10 v | ± 25V | 5600 pf @ 15 v | - | 2.36W (TA), 50W (TC) | ||||
 | AOD600A60 | 1.2600 | | 128 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD600 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 250µA | 11.5 nc @ 10 v | ± 20V | 608 pf @ 100 v | - | 96W (TC) | ||||
 | AOCA32112E | 0.1157 | | 5597 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | AOCA32112 | MOSFET (금속 (() | 1.1W (TA) | 4- 알파드프 (alphadfn) (0.97x0.97) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 4.5A (TA) | 48mohm @ 3a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 11.5NC @ 4.5V | - | - | ||||||
 | 2SK1274-T-AZ | 0.4800 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 3SK323UG-TL-E | 0.4800 | | 81 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
 | 2SK1167-E | 1.0000 | | 3099 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 3SK295ZQ-TL-E | 0.2600 | | 36 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
 | 2SJ670-TD-E | 0.2600 | | 974 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
 | buz42 | 0.6300 | | 2698 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 380 | n 채널 | 500 v | 4A (TC) | 10V | 2ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||
 | IRF223 | 1.0000 | | 6012 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 450 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||
| 2SK1299STL-e | 1.0000 | | 3533 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
 | BUK9875-100A/C1115 | - | | 1885 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
| BSO080P03NS3 g | - | | 3987 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 12A (TA) | 6V, 10V | 8mohm @ 14.8a, 10V | 3.1V @ 150µA | 81 NC @ 10 v | ± 25V | 6750 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA) | |||||
 | 2SK3573-ZK-E1-AZ | 2.4500 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||
 | UPA2710GR-E2-A | 1.4400 | | 27 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||
 | UPA2701TP-E2-AZ | 1.8500 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||
 | HUF76132S3st | 0.9800 | | 9 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||||
 | 2SK3348CNTL-E | 0.1500 | | 27 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
| 2SJ166-LA | - | | 5600 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
| ntmke4890nt1g | 0.5300 | | 21 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||
 | RJK4007DPP-00#T2 | 1.3300 | | 393 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
| RJJ0621DPP-0P#T2 | 1.4400 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
| UPA1524H-AZ | - | | 8683 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 35 | |||||||||||||||||||||
 | IPB26CN10N | - | | 4443 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 26mohm @ 35a, 10V | 4V @ 39µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 2070 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | |||||
 | CPH6614-TL-E | 0.1400 | | 84 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BSP324L6327 | 0.2900 | | 147 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 25ohm @ 170ma, 10V | 2.3V @ 94µA | 5.9 NC @ 10 v | ± 20V | 154 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||||
| IPB80N03S4L03 | 1.1000 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 295 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 45µA | 75 NC @ 10 v | ± 16V | 5100 pf @ 25 v | - | 94W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
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