SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
DMT64M8LCG-7 Diodes Incorporated DMT64M8LCG-7 0.3973
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT64M8LCG-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 16.1A (TA), 77.8A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 47.5 nc @ 10 v ± 20V 2664 pf @ 30 v - 990MW (TA)
DMN2451UFB4Q-7R Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q-7R 0.0460
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2451 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2451UFB4Q-7RTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 12V 32 pf @ 16 v - 660MW (TA)
DMN2450UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN2450UFB4Q-7B 0.0434
RFQ
 ECAD 7545 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2450 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2450UFB4Q-7BTR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1.3 NC @ 10 v ± 12V 56 pf @ 16 v - 500MW (TA)
DMT8030LFDF-7 Diodes Incorporated DMT8030LFDF-7 0.2915
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT8030LFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 641 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
DMJ70H1D3SK3-13 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SK3-13 -
RFQ
 ECAD 6218 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMJ70H1D3SK3-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 4.7A (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 30V 264 pf @ 100 v - 57W (TC)
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated DMN65D8LV-13 0.0496
RFQ
 ECAD 3115 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 영향을받지 영향을받지 31-DMN65D8LV-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 115ma, 10V 2V @ 250µA 0.87 nc @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 370MW (TA)
DMN3016LFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDFQ-7 0.1333
RFQ
 ECAD 9864 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3016 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3016LFDFQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 730MW (TA)
DMC2025UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC2025UFDBQ-7 0.1294
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC2025 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMC2025UFDBQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 6A (TA), 3.5A (TA) 25mohm @ 4a, 4.5v, 75mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 12.3nc @ 10v, 15nc @ 8v 486pf @ 10v, 642pf @ 10v -
DMN2310UW-7 Diodes Incorporated DMN2310UW-7 0.0469
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2310 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2310UW-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 200mohm @ 300ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 38 pf @ 10 v - 450MW (TA)
DMP31D7LFBQ-7B Diodes Incorporated DMP31D7LFBQ-7B 0.0398
RFQ
 ECAD 8563 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMP31 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP31D7LFBQ-7BTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 810MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA 0.36 nc @ 4.5 v ± 20V 19 pf @ 15 v - 530MW (TA)
MCAC25P10YHE3-TP Micro Commercial Co MCAC25P10YHE3-TP 1.5200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn mcac25p10y MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 100 v 25A 4.5V, 10V 55mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 70W (TJ)
SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3460BDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.7A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 8 v ± 8V 860 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.5W (TC)
SI2333DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-BE3 0.4200
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2333DDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TA), 6A (TC) 1.5V, 4.5V 28mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 8V 1275 pf @ 6 v - 1.2W (TA), 1.7W (TC)
SIHFR320TRL-GE3 Vishay Siliconix SIHFR320TRL-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFR320TRL-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJ454EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ454EP-T1_BE3 1.3100
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj454ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 13A (TC) 4.5V, 10V 145mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIHFR320TR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR320TR-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFR320TR-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI2301BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-BE3 0.4600
RFQ
 ECAD 6098 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-si2301bds-t1-be3tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2.8a, 4.5v 950MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 375 pf @ 6 v - 700MW (TA)
SIHA21N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA21N60EF-GE3 4.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 176mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 2030 pf @ 100 v - 35W (TC)
SQJ407EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ407EP-T1_BE3 1.4800
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj407ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 10700 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQJ844AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_BE3 1.2100
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ844 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj844aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 16.6MOHM @ 7.6A, 10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1161pf @ 15V -
SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-RE3 2.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR668DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 23.2A (TA), 95A (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SIHFU310-GE3 Vishay Siliconix SIHFU310-GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siHA6n65e-ge3 2.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-siHA6n65e-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 31W (TC)
SI3443DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA), 4A (TC) 2.5V, 4.5V 47mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 12V 970 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 2.7W (TC)
SQJB44EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB44EP-T1_GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB44 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb44ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 5.2mohm @ 8a, 10V 2.2V @ 250µA 50NC @ 10V 3075pf @ 25V -
SQJA20EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja20ep-t1_be3 1.4700
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja20ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 22.5A (TC) 7.5V, 10V 50mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-BE3 0.4100
RFQ
 ECAD 2031 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.6A (TA) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 3.6a, 4.5v 850MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 710MW (TA)
DMP26M1UFG-7 Diodes Incorporated DMP26M1UFG-7 0.8400
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP26 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 20 v 71A (TC) 1.5V, 4.5V 5.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 164 NC @ 10 v ± 10V 5392 pf @ 10 v - 1.67W (TA), 3W (TC)
DMN61D9UDWQ-13 Diodes Incorporated dmn61d9udwq-13 0.0381
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN61 MOSFET (금속 (() 370MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmn61d9udwq-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 318MA (TA) 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 39pf @ 30v -
DMT10H9M9SH3 Diodes Incorporated DMT10H9M9SH3 0.8644
RFQ
 ECAD 3393 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMT10 MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H9M9SH3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 84A (TC) 6V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2085 pf @ 50 v - 114W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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