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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| NVH4L020N090SC1 | 52.5100 | | 450 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | MOSFET (금속 (() | TO-247-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 900 v | 116A (TC) | 15V, 18V | 16mohm @ 60a, 18V | 4.3v @ 20ma | 196 NC @ 15 v | +22V, -8V | 4415 pf @ 450 v | - | 484W (TC) | |||
| FDMC8327L-L701 | 0.7510 | | 8283 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-FDMC8327L-L701TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 12A (TA), 14A (TC) | 4.5V, 10V | 9.7mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 20 v | - | 2.3W (TA), 30W (TC) | ||
 | NTTFS115P10M5 | 0.9800 | | 3 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 2A (TA), 13A (TC) | 6V, 10V | 120mohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 45µA | 9.2 NC @ 10 v | ± 20V | 637 pf @ 50 v | - | 900MW (TA), 41W (TC) | |||
| BSS138-F169 | - | | 1749 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2832-BSS138-F169TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 220MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 220ma, 10V | 1.5V @ 1mA | 2.4 NC @ 10 v | ± 20V | 27 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||
 | PJD55N03_L2_00001 | 0.1992 | | 4928 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD55 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD55N03_L2_00001TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10.5A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 763 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 54W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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