SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
98-0299 Infineon Technologies 98-0299 -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 -
SQD50P08-28-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD50P08-28-T4_GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50p08-28-t4_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 80 v 48A (TC) 10V 28mohm @ 12.5a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6035 pf @ 25 v - 136W (TC)
SIHF520STRR-GE3 Vishay Siliconix SIHF520St-GE3 0.5608
RFQ
 ECAD 5659 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHF520ST-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SQJ431EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj431ep-t2_ge3 0.9356
RFQ
 ECAD 1591 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ431 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj431ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 12A (TC) 6V, 10V 213mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 25 v - 83W (TC)
SIHFU9220-GE3 Vishay Siliconix SIHFU9220-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SIHFU9220 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIS472BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS472BDN-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS472 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15.3A (TA), 38.3A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SIHLZ34S-GE3 Vishay Siliconix SIHLZ34S-GE3 0.6631
RFQ
 ECAD 2012 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHLZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHLZ34S-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SQJ460AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ460AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ460 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj460aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 58A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 10.7a, 10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 2654 pf @ 30 v - 68W (TC)
CP398X-CPDM303-CT20 Central Semiconductor Corp CP398X-CPDM303-CT20 -
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 - - - CP398 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
CP398X-CTLDM303N-WN Central Semiconductor Corp CP398X-CTLDM303N-WN -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 CP398 MOSFET (금속 (() 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 78mohm @ 1.8a, 2.5v 1.2V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v 12V 590 pf @ 10 v - -
MRF101AN-START NXP USA Inc. MRF101AN- 1 -
RFQ
 ECAD 9286 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 쓸모없는 133 v 구멍을 구멍을 TO-220-3 MRF101 1.8MHz ~ 250MHz LDMOS TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 10µA 100 MA 115W 21.1db - 50 v
ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies ISP13DP06NMSATMA1 0.9000
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP13DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.8A (TA) - - - ± 20V - -
ISP25DP06NMXTSA1 Infineon Technologies ISP25DP06NMXTSA1 0.8600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP25DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 10V 250mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 270µA 10.8 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 30 v - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies ISP26DP06NMSATMA1 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP26DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) - - - ± 20V - -
IPD06P003NSAUMA1 Infineon Technologies IPD06P003NSAUMA1 -
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD06P MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001863526 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 22A (TC) 10V 65mohm @ 22a, 10V 4V @ 1.04ma 39 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 30 v - 83W (TC)
CMS45P03H8-HF Comchip Technology CMS45P03H8-HF -
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CMS45 MOSFET (금속 (() DFN5X6 (PR-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 9.6A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 20V 2215 pf @ 15 v - 2W (TA), 45W (TC)
NTTFS003N04CTAG onsemi NTTFS003N04CTAG -
RFQ
 ECAD 1149 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS003 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 22A (TA), 103A (TC) 10V 3.5mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 60µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 69W (TC)
NTTFS5C460NLTAG onsemi NTTFS5C460NLTAG 1.4100
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS5 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 19A (TA), 74A (TC) 4.8mohm @ 35a, 10V 2V @ 40µA -
NVTFS5C460NLWFTAG onsemi nvtfs5c460nlwftag 0.8764
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 19A (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 35a, 10V 2V @ 40µA 11 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SIS108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS108DN-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS108 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 6.7A (TA), 16A (TC) 7.5V, 10V 34mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 545 pf @ 40 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS61DN-T1-GE3 0.9900
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS61 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 30.9A (TA), 111.9A (TC) 1.8V, 4.5V 3.5mohm @ 15a, 4.5v 900MV @ 250µA 231 NC @ 10 v ± 8V 8740 pf @ 10 v - 5W (TA), 65.8W (TC)
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies IAUA200N04S5N010AUMA1 2.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC -Q101, Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA200 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 200a (TC) 7V, 10V 1MOHM @ 100A, 10V 3.4V @ 100µa 132 NC @ 10 v ± 20V 7650 pf @ 25 v - 167W (TC)
IPL65R165CFDAUMA2 Infineon Technologies IPL65R165CFDAUMA2 2.4916
RFQ
 ECAD 3744 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL65R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 21.3A (TC) 10V 165mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 900µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 195W (TC)
IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA2 6.8400
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R110 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
PSMN6R7-40MSDX Nexperia USA Inc. psmn6r7-40msdx 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn6r7 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA) 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 3.6v @ 1ma 22 nc @ 10 v ± 20V 1642 pf @ 20 v - 65W (TA)
STH13N120K5-2AG STMicroelectronics STH13N120K5-2AG 10.7200
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH13 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STH13N120K5-2AGTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 12A (TC) 10V 6A, 6A, 10V 5V @ 100µa 44.2 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 100 v - 250W (TC)
MCU20N15A-TP Micro Commercial Co MCU20N15A-TP -
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCU20 MOSFET (금속 (() DPAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCU20N15A-TPTR 2,500 n 채널 150 v 20A 6V, 10V 59mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 20.9 NC @ 10 v ± 20V 1158 pf @ 75 v - 50W
MCAC75N02-TP Micro Commercial Co MCAC75N02-TP -
RFQ
 ECAD 5335 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCAC75N02 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCAC75N02-TPTR 5,000 n 채널 20 v 75a 2.5V, 4.5V 4.8mohm @ 20a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 10V 2386 pf @ 10 v - 35W
MCG20N06Y-TP Micro Commercial Co MCG20N06Y-TP -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCG20N06 MOSFET (금속 (() DFN3333 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCG20N06Y-TPTR 5,000 n 채널 60 v 20A 10V 7.3mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2027 pf @ 30 v - 20.8W
MCAC50P03-TP Micro Commercial Co MCAC50P03-TP -
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCAC50 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-mcac50p03-tptr 5,000 p 채널 30 v 50a 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 7394 pf @ 15 v - 45W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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