SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
BLS7G2729LS-350P,1 Ampleon USA Inc. BLS7G2729LS-350P, 1 716.0700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 SOT-539B BLS7G2729 2.7GHz ~ 2.9GHz LDMOS SOT539B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 200 MA 350W 13db - 32 v
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RH6R025 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 25A (TA) 6V, 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 75 v - 2W (TA), 59W (TC)
DMN6068LK3-13-52 Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52 0.3003
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6068 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMN6068LK3-13-52 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 502 pf @ 30 v - 2.12W (TA)
DMP2037UFCL-7 Diodes Incorporated DMP2037UFCL-7 0.1254
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn DMP2037 MOSFET (금속 (() U-DFN1616-6 (k) 다운로드 31-DMP2037UFCL-7 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 16.5 nc @ 8 v ± 10V 806 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
DMN1032UCP4-7 Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 0.1462
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, DSBGA DMN1032 MOSFET (금속 (() x1-dsn1010-4 (유형 b) 다운로드 31-DMN1032UCP4-7 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 1a, 10V 1.2V @ 250µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 8V 325 pf @ 6 v - 790MW (TA)
DMP3007LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3007LK3Q-13 0.5272
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP3007 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMP3007LK3Q-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 18.5A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 17a, 10V 2.8V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 20V 2826 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J808 MOSFET (금속 (() 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 7A (TA) 4V, 10V 35mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 100µa 24.2 NC @ 10 v +10V, -20V 1020 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
FAM04V18DT1 onsemi FAM04V18DT1 -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FAM04 - 다운로드 488-FAM04V18DT1 쓸모없는 1 -
DMTH41M2SPS-13 Diodes Incorporated DMTH41M2SPS-13 2.8100
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH41 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 225A (TC) 10V 1.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 11085 pf @ 20 v - 3.4W (TA), 158W (TC)
IPC26N10NRX1SA1 Infineon Technologies IPC26N10NRX1SA1 -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC26N 다운로드 쓸모없는 1
IIPC20S4N04X2SA1 Infineon Technologies IIPC20S4N04X2SA1 -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IIPC20S4 - 쓸모없는 1
NVLJWS022N06CLTAG onsemi NVLJWS022N06CLTAG 0.3079
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powerwdfn NVLJWS022 MOSFET (금속 (() 6-WDFNW (2.05x2.05) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVLJWS022N06CLTAGTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.2A (TA), 25A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10V 2V @ 77µA 7.6 NC @ 10 v ± 20V 440 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 28W (TC)
SSFP3806 Good-Ark Semiconductor SSFP3806 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 46W (TC) 8-ppak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 30V 40A (TC) 6.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 22NC @ 4.5V 1750pf @ 25v 기준
A5G26S008NT6 NXP USA Inc. A5G26S008nt6 13.0200
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 6-ldfn n 패드 2.496GHz ~ 2.69GHz - 6-PDFN (4x4.5) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 5,000 - - 17 MA 27dBM 18.4dB - 48 v
SSFL0956 Good-Ark Semiconductor SSFL0956 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 4A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V - 5.2W (TC)
GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 채널 150 v 50A (TC) 10V 25A, 25A, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 75 v - 133W (TC)
SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V - 15 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 30 v - 2W (TA)
SSFH6538 Good-Ark Semiconductor SSFH6538 2.9500
RFQ
 ECAD 991 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-SSFH6538 귀 99 8541.21.0080 500 n 채널 650 v 38A (TC) 10V 99mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 30V 3200 pf @ 50 v - 322W (TC)
SSFQ4810 Good-Ark Semiconductor SSFQ4810 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 40V 8A (TA) 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 21.6NC @ 10V 1450pf @ 25v 기준
BSS138 Good-Ark Semiconductor BSS138 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 50 v 220MA (TJ) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 430MW
GSFW0202 Good-Ark Semiconductor GSFW0202 0.2200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 10,000 n 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 230mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 2 nc @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 700MW (TA)
IPQC65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPQC65R040CFD7XTMA1 7.4950
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op IPDQ65 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22 - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 650 v 64A (TC) 10V 40mohm @ 24.8a, 10V 4.5V @ 1.24ma 97 NC @ 10 v ± 20V 4975 pf @ 400 v - 357W (TC)
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1HPB76BPSA1 225.0528
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 f411mr - Rohs3 준수 18
GT035N10T Goford Semiconductor GT035N10T 2.4124
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-GT035N10T 귀 99 8541.29.0000 50 n 채널 100 v 190a (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 6057 pf @ 50 v - 250W (TC)
6703 Goford Semiconductor 6703 0.0777
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) SOT-23-6L - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-6703tr 귀 99 8541.29.0000 3,000 - 20V 2.9A (TA), 3A (TA) 59mohm @ 2.5a, 2.5v, 110mohm @ 3a, 4.5v 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA - 300pf @ 10V, 405pf @ 10V 기준
SSF2300 Good-Ark Semiconductor SSF2300 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 4.5A 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 300 pf @ 10 v - 1.3W
GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308 0.3500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 n 채널 30 v 780MA (TA) 2.5V, 4.5V 450mohm @ 300ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 146 pf @ 15 v - 446MW (TA)
GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 50V 180MA (TA) 4ohm @ 150ma, 10V 3V @ 250µA 530pc @ 10V 25.2pf @ 25V 기준
GS2N7002KW Good-Ark Semiconductor GS2N7002KW 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 18 pf @ 30 v - 350MW (TA)
S3134K Good-Ark Semiconductor S3134K 0.2200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 8,000 n 채널 20 v 750MA (TA) 1.8V, 4.5V 380mohm @ 650ma, 4.5v 1.1V @ 250µA ± 12V 120 pf @ 16 v - 150MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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