전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PJD4NA70_L2_00001 | 0.9500 | ![]() | 9638 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD4NA70 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD4NA70_L2_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 700 v | 4A (TA) | 10V | 2.8ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 30V | 514 pf @ 25 v | - | 77W (TC) | |||||||||||
![]() | PSMQC040N08NS2_R2_00201 | 1.9800 | ![]() | 4393 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | PSMQC040 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB50R250CP | - | ![]() | 4955 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 13A (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10V | 3.5V @ 520µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1420 pf @ 100 v | - | 114W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMP1005UFDF-7 | 0.5400 | ![]() | 399 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMP1005 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 26A (TC) | 1.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 47 NC @ 8 v | ± 8V | 2475 pf @ 6 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||
![]() | sir1309dp-t1-ge3 | 0.9400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 19.1A (TA), 65.7A (TC) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 87 NC @ 10 v | ± 25V | 3250 pf @ 15 v | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFB4310PBF | 1.0000 | ![]() | 8280 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 130A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 7670 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BSS84K-TP | 0.3300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 130MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 30 pf @ 5 v | - | 225MW | |||||||||||||
![]() | APTC60DDAM70T1G | 59.3700 | ![]() | 7279 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Coolmos ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 벅 헬기 헬기) | 600V | 39a | 70mohm @ 39a, 10V | 3.9v @ 2.7ma | 259NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | ||||||||||||||
![]() | PMZ760SN, 315 | - | ![]() | 8731 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 60 v | 1.22A (TC) | 4.5V, 10V | 900mohm @ 300ma, 10V | 3V @ 250µA | 1.05 nc @ 10 v | ± 20V | 23 pf @ 30 v | - | 2.5W (TC) | |||||||||||||
![]() | AOD950A70 | 0.5851 | ![]() | 2585 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD950 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 700 v | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1a, 10V | 4.1V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 461 pf @ 100 v | - | 56.5W (TC) | ||||||||||||
![]() | SIHD3N50D-E3 | 0.3563 | ![]() | 9541 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD3 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 175 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMG1012UWQ-7 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMG1012 | MOSFET (금속 (() | SOT-363 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 950MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 450mohm @ 600ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 v | ± 6V | 43 pf @ 16 v | - | 460MW | |||||||||||||
![]() | IAUTN06S5N008TATMA1 | 6.9100 | ![]() | 7241 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1,800 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDR220EP-T1-RE3 | 3.3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 92.8A (TA), 415A (TC) | 4.5V, 10V | 0.58mohm @ 20a, 10V | 2.1V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | +16V, -12V | 10850 pf @ 10 v | - | 6.25W (TA), 415W (TC) | |||||||||||||||
![]() | MRFE6S9160HSR3 | 136.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 66 v | NI-780S | mrfe6 | 880MHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 a | 35W | 21db | - | 28 v | |||||||||||||||||
![]() | Sir850DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir850 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1120 pf @ 15 v | - | 4.8W (TA), 41.7W (TC) | |||||||||||||
![]() | STP14NK60ZFP | 4.6700 | ![]() | 8255 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP14 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 13.5A (TC) | 10V | 500mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 100µa | 75 NC @ 10 v | ± 30V | 2220 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||
![]() | ixft30n50p | 12.6006 | ![]() | 9164 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT30 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 200mohm @ 15a, 10V | 5V @ 4MA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 4150 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPP21N03L g | - | ![]() | 9153 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP21N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | irf7309trpbf | 1.0400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 30V | 4A, 3A | 50mohm @ 2.4a, 10V | 1V @ 250µA | 25NC @ 4.5V | 520pf @ 15V | - | ||||||||||||||
![]() | IRFU6215 | - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU6215 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||
![]() | MTB10N40E | 1.6500 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF32N12V2 | - | ![]() | 4422 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF3 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 120 v | 32A (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1860 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||
![]() | FQPF8N90C | 1.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF8 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 900 v | 6.3A (TC) | 10V | 1.9ohm @ 3.15a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 2080 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IXTP36N20T | - | ![]() | 8938 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP36 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 36A (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | PMCM4401VPEZ | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, WLCSP | PMCM4401 | MOSFET (금속 (() | 4-WLCSP (0.78x0.78) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 9,000 | p 채널 | 12 v | 3.9A (TA) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 415 pf @ 6 v | - | 400MW (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMT69M5LFVWQ-13 | 0.3567 | ![]() | 8341 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT69M5LFVWQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 14.8A (TA), 40.6A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 13.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 28.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1406 pf @ 30 v | - | 2.74W (TA), 20.5W (TC) | ||||||||||||||
![]() | PHP160NQ08T, 127 | - | ![]() | 3905 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP16 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 5.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 5585 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
![]() | Sir880ADP-T1-GE3 | 1.8600 | ![]() | 1429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir880 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 2289 pf @ 40 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||
![]() | irfr4104trr | - | ![]() | 2833 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 20V | 2950 pf @ 25 v | - | 140W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고