SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
PJD4NA70_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA70_L2_00001 0.9500
RFQ
ECAD 9638 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD4NA70 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD4NA70_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 77W (TC)
PSMQC040N08NS2_R2_00201 Panjit International Inc. PSMQC040N08NS2_R2_00201 1.9800
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 PSMQC040 - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000
IPB50R250CP Infineon Technologies IPB50R250CP -
RFQ
ECAD 4955 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 520µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1420 pf @ 100 v - 114W (TC)
DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated DMP1005UFDF-7 0.5400
RFQ
ECAD 399 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1005 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 26A (TC) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 47 NC @ 8 v ± 8V 2475 pf @ 6 v - 2.1W (TA)
SIR1309DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir1309dp-t1-ge3 0.9400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 19.1A (TA), 65.7A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 25V 3250 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
IRFB4310PBF International Rectifier IRFB4310PBF 1.0000
RFQ
ECAD 8280 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 7670 pf @ 50 v - 300W (TC)
BSS84K-TP Micro Commercial Co BSS84K-TP 0.3300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 130MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 30 pf @ 5 v - 225MW
APTC60DDAM70T1G Microchip Technology APTC60DDAM70T1G 59.3700
RFQ
ECAD 7279 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Coolmos ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTC60 MOSFET (금속 (() 250W SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 벅 헬기 헬기) 600V 39a 70mohm @ 39a, 10V 3.9v @ 2.7ma 259NC @ 10V 7000pf @ 25V -
PMZ760SN,315 Nexperia USA Inc. PMZ760SN, 315 -
RFQ
ECAD 8731 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 1.22A (TC) 4.5V, 10V 900mohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 1.05 nc @ 10 v ± 20V 23 pf @ 30 v - 2.5W (TC)
AOD950A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD950A70 0.5851
RFQ
ECAD 2585 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD950 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 1a, 10V 4.1V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 461 pf @ 100 v - 56.5W (TC)
SIHD3N50D-E3 Vishay Siliconix SIHD3N50D-E3 0.3563
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG1012 MOSFET (금속 (() SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 950MA (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 6V 43 pf @ 16 v - 460MW
IAUTN06S5N008TATMA1 Infineon Technologies IAUTN06S5N008TATMA1 6.9100
RFQ
ECAD 7241 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1,800
SIDR220EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR220EP-T1-RE3 3.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 92.8A (TA), 415A (TC) 4.5V, 10V 0.58mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 10850 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 415W (TC)
MRFE6S9160HSR3 Freescale Semiconductor MRFE6S9160HSR3 136.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 프리 프리 반도체 - 대부분 활동적인 66 v NI-780S mrfe6 880MHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 35W 21db - 28 v
SIR850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir850DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2345 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1120 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
STP14NK60ZFP STMicroelectronics STP14NK60ZFP 4.6700
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP14 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13.5A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 100µa 75 NC @ 10 v ± 30V 2220 pf @ 25 v - 40W (TC)
IXFT30N50P IXYS ixft30n50p 12.6006
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT30 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 5V @ 4MA 70 nc @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
IPP21N03L G Infineon Technologies IPP21N03L g -
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP21N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 - - - - -
IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309trpbf 1.0400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 1.4W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 4A, 3A 50mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 4.5V 520pf @ 15V -
IRFU6215 Infineon Technologies IRFU6215 -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU6215 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 110W (TC)
MTB10N40E onsemi MTB10N40E 1.6500
RFQ
ECAD 78 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
FQPF32N12V2 onsemi FQPF32N12V2 -
RFQ
ECAD 4422 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF3 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 32A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1860 pf @ 25 v - 50W (TC)
FQPF8N90C Fairchild Semiconductor FQPF8N90C 1.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF8 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 900 v 6.3A (TC) 10V 1.9ohm @ 3.15a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 2080 pf @ 25 v - 60W (TC)
IXTP36N20T IXYS IXTP36N20T -
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP36 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 36A (TC) - - - -
PMCM4401VPEZ Nexperia USA Inc. PMCM4401VPEZ 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP PMCM4401 MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (0.78x0.78) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 9,000 p 채널 12 v 3.9A (TA) 1.8V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 415 pf @ 6 v - 400MW (TA), 12.5W (TC)
DMT69M5LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMT69M5LFVWQ-13 0.3567
RFQ
ECAD 8341 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT69M5LFVWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14.8A (TA), 40.6A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10V 2.5V @ 250µA 28.4 NC @ 10 v ± 20V 1406 pf @ 30 v - 2.74W (TA), 20.5W (TC)
PHP160NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP160NQ08T, 127 -
RFQ
ECAD 3905 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 5.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 v ± 20V 5585 pf @ 25 v - 300W (TC)
SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir880ADP-T1-GE3 1.8600
RFQ
ECAD 1429 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir880 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 6.3MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2289 pf @ 40 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
IRFR4104TRR Infineon Technologies irfr4104trr -
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고