전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MWT-9F | 53.2500 | ![]() | 3301 | 0.00000000 | 마이크로파 마이크로파 Inc. | - | 사례 | 활동적인 | 6 v | 주사위 | MWT-9 | 500MHz ~ 18GHz | mesfet | 칩 | 다운로드 | 1203-MWT-9F | 귀 99 | 8541.29.0040 | 10 | 270ma | 270 MA | 26.5dBM | 8.5dB | - | 4 v | |||||||||||||||||||
![]() | PXAC243502FV-V1 | - | ![]() | 3710 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | H-37275-4 | 2.4GHz | LDMOS | H-37275-4 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 35 | - | 850 MA | 68W | 15db | - | 28 v | ||||||||||||||||||
![]() | STB6NK90ZT4 | 3.2000 | ![]() | 2416 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB6 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 5.8A (TC) | 10V | 2ohm @ 2.9a, 10V | 4.5V @ 100µa | 60.5 nc @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMN67D8LT-7 | 0.0644 | ![]() | 1607 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMN67 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 210MA (TA) | 5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 821 NC @ 10 v | ± 20V | 22 pf @ 25 v | - | 260MW (TA) | ||||||||||||
![]() | SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | ![]() | 889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4430 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||
![]() | STD5N65M6 | 0.6486 | ![]() | 7192 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD5N65 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 4A (TC) | 0V, 10V | 1.3ohm @ 2a, 10V | 3.75V @ 250µA | 5.1 NC @ 10 v | ± 25V | 170 pf @ 100 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
![]() | FQA19N20C | - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA1 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 21.8A (TC) | 10V | 170mohm @ 10.9a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1080 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | |||||||||||||
![]() | RJK2508DPK-00#T0 | - | ![]() | 3980 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RJK2508 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 250 v | 50A (TA) | 10V | 64mohm @ 25a, 10V | - | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 2600 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||
![]() | FDB9409-F085 | - | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB9409 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 2980 pf @ 25 v | - | 94W (TJ) | ||||||||||||
![]() | Was300m12bm2 | 966.1940 | ![]() | 4524 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | Was300 | 기준 기준 | - | 1697-WAS300M12BM2 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 1200V | 423A (TC) | 1025NC @ 20V | 실리콘 실리콘 (sic) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S38040HR5 | - | ![]() | 7382 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-400-240 | MRF7 | 3.4GHz ~ 3.6GHz | LDMOS | NI-400-240 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 MA | 8W | 14db | - | 30 v | ||||||||||||||||
![]() | AS2302 | 0.1900 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 3a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 3.81 NC @ 4.5 v | ± 10V | 220 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | 2SK3747-1E | - | ![]() | 1108 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-94 | 2SK3747 | MOSFET (금속 (() | to-3pf-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1500 v | 2A (TA) | 10V | 13o @ 1a, 10V | - | 37.5 nc @ 10 v | ± 35V | 380 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||
![]() | BUK9Y40-55B/C3,115 | - | ![]() | 6309 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDFS3P303R2 | 0.1800 | ![]() | 77 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP8M3FP8TB1 | - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | LP8M3 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-lp8m3fp8tb1tr | 쓸모없는 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO303PHXUMA1 | - | ![]() | 4185 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO303 | MOSFET (금속 (() | 2W | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 7a | 21mohm @ 8.2a, 10V | 2V @ 100µa | 49NC @ 10V | 2678pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
![]() | FDAF69N25 | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FDAF69 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 250 v | 34A (TC) | 10V | 41mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 30V | 4640 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||
![]() | FDU8896 | 0.7200 | ![]() | 116 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 30 v | 17A (TA), 94A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2525 pf @ 15 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||
![]() | MMBF0201NLT1G | 0.3700 | ![]() | 3737 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF0201 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 300MA (TA) | 4.5V, 10V | 1ohm @ 300ma, 10V | 2.4V @ 250µA | ± 20V | 45 pf @ 5 v | - | 225MW (TA) | |||||||||||||
![]() | BSM180D12P3C007 | 675.9200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 기준 기준 | BSM180 | 실리콘 실리콘 (sic) | 880W | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q9597863 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 n 채널 (채널) | 1200V (1.2kv) | 180A (TC) | - | 5.6v @ 50ma | - | 900pf @ 10V | - | |||||||||||||
![]() | AOD424G | 0.2270 | ![]() | 6638 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD42 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOD424GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 30A (TA), 46A (TC) | 2.5V, 4.5V | 4.9mohm @ 20a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 45 NC @ 4.5 v | ± 12V | 3300 pf @ 10 v | - | 6.2W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||
STP14N80K5 | 1.9566 | ![]() | 2758 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP14 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 12A (TC) | 10V | 445mohm @ 6a, 10V | 5V @ 100µa | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 100 v | - | 130W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMTH4004SPSQ-13 | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH4004 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 31A (TA), 100A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 90a, 10V | 4V @ 250µA | 68.6 NC @ 10 v | ± 20V | 4305 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||
![]() | RF1S17N06L | 0.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | RF1S | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCT04N10B-TP | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MCT04 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 4a | 4.5V, 10V | 105mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1143 pf @ 50 v | - | 1.25W | ||||||||||||
VRF141 | 70.0400 | ![]() | 1004 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 상자 | 활동적인 | 80 v | M174 | VRF141 | 30MHz | MOSFET | M174 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 20A | 250 MA | 150W | 20dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
![]() | FDMS8660S | - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 25A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | 4345 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||
![]() | IXFN24N90Q | - | ![]() | 6887 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q 클래스 | 튜브 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN24 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 900 v | 24A (TC) | - | - | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BUK9K30-80EX | 1.5900 | ![]() | 8297 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | buk9k30 | MOSFET (금속 (() | 53W | LFPAK56D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 80V | 17A (TA) | 26mohm @ 5a, 10V | 2.1v @ 1ma | 17.5NC @ 5V | 2297pf @ 25v | 논리 논리 게이트 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고