RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

Fets, Mosfets (55612)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈
BLC2425M9XS250Z	-	RFQ	2539	Ampleon USA Inc.	BLC	쟁반	쓸모없는	32 v		표면 표면	SOT-1270-1		2.4GHz ~ 2.5GHz	-		SOT-1270-1	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	20	-		-		18db											-
IRF40H233ATMA1	-	RFQ	2455	인피온 인피온	Strongirfet ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	IRF40		MOSFET (금속 (()	3.8W (TA), 50W (TC)	PG-TDSON-8-4	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)					40V	65A (TC)		6.2MOHM @ 35A, 10V	3.9V @ 50µA	57NC @ 10V		2200pf @ 20V	-
IXTA94N20X4	12.8000	RFQ	1	ixys	x4	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IXTA94		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	238-IXTA94N20X4	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				200 v	94A (TC)	10V	10.6mohm @ 47a, 10V	4.5V @ 250µA	77 NC @ 10 v	± 20V	5050 pf @ 25 v	-	360W (TC)
BUK7M21-40E, 115	1.0000	RFQ	6146	nxp 반도체	*	대부분	활동적인										-						0000.00.0000	1
CPH3442-TL-E	0.4100	RFQ	2944	Sanyo	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-96			MOSFET (금속 (()		3-cph	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	81		n 채널				30 v	6.5A (TA)		24mohm @ 3a, 4v	-	16.1 NC @ 4 v		1295 pf @ 10 v	-	1.2W (TA)
ph5830dl, 115	0.2200	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										-						0000.00.0000	1
BUK762R6-40E118	-	RFQ	3400	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										-						0000.00.0000	1
FQPF17N40T	1.8300	RFQ	642	페어차일드 페어차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널				400 v	9.5A (TC)	10V	270mohm @ 4.75a, 10V	5V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 30V	2300 pf @ 25 v	-	56W (TC)
FDMB3800N	-	RFQ	6599	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	FDMB3800		MOSFET (금속 (()	750MW	8-mlp,, 펫 (3x1.9)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	587	2 n 채널 (채널)					30V	4.8a		4.8A, 10V 40mohm	3V @ 250µA	5.6NC @ 5V		465pf @ 15V	논리 논리 게이트
IPG20N04S4-08	-	RFQ	6522	인피온 인피온	Optimos ™ T2	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	IPG20N		MOSFET (금속 (()	65W (TC)	PG-TDSON-8-4	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	2 n 채널 (채널)					40V	20A (TC)		7.6mohm @ 17a, 10V	4V @ 30µA	36NC @ 10V		2940pf @ 25v	-
BUK969R3-100E, 118	1.1100	RFQ	8475	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				100 v	100A (TC)	5V, 10V	8.9mohm @ 25a, 10V	2.1v @ 1ma	94.3 NC @ 5 v	± 10V	11650 pf @ 25 v	-	263W (TC)
IRFS4620PBF	1.0000	RFQ	1444	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				200 v	24A (TC)	10V	77.5mohm @ 15a, 10V	5V @ 100µa	38 NC @ 10 v	± 20V	1710 pf @ 50 v	-	144W (TC)
PHB18NQ10T, 118	0.4500	RFQ	1	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드					귀 99	8541.29.0095	727		n 채널				100 v	18A (TC)	10V	90mohm @ 9a, 10V	4V @ 1MA	21 NC @ 10 v	± 20V	633 pf @ 25 v	-	79W (TC)
IRLR7833TRPBF	-	RFQ	7124	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널				30 v	140A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	4010 pf @ 15 v	-	140W (TC)
on5451,518	-	RFQ	2378	Nexperia USA Inc.	-	대부분	활동적인				-		-	-		-	-					귀 99	8541.29.0095	1	-		-	-	-											-
FDS9435A	-	RFQ	8938	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		p 채널				30 v	5.3A (TA)	4.5V, 10V	50mohm @ 5.3a, 10V	3V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 25V	528 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
IPP062NE7N3G	1.0000	RFQ	3188	인피온 인피온	Optimos ™ 3	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3-1	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널				75 v	80A (TC)	10V	6.2MOHM @ 73A, 10V	3.8V @ 70µA	55 NC @ 10 v	± 20V	3840 pf @ 37.5 v	-	136W (TC)
PSMN030-150P, 127	-	RFQ	5355	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PSMN0					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000
PSMN1R5-30YL, 115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PSMN1					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500
CMS46N03V8-HF	-	RFQ	8661	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	CMS46		MOSFET (금속 (()		8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-CMS46N03V8-HFTR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	46A (TC)		9mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	12.8 nc @ 4.5 v	± 20V	1317 pf @ 15 v	-	1.67W (TA), 29W (TC)
CMS75P06CT-HF	-	RFQ	9017	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	CMS75		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-CMS75P06CT-HFTR	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널				60 v	75A (TC)		9.5mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	141 NC @ 10 v	± 20V	8620 pf @ 25 v	-	2W (TA), 183W (TC)
BSS7728NH6327	-	RFQ	9911	인피온 인피온	SIPMOS®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (금속 (()		PG-SOT23-3-5	다운로드					귀 99	8541.21.0095	1		n 채널				60 v	200MA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.3V @ 26µA	1.5 nc @ 10 v	± 20V	56 pf @ 25 v	-	360MW (TA)
FDB9409-F085	1.0000	RFQ	2313	페어차일드 페어차일드	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK (TO-263)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널				40 v	80A (TC)	10V	3.5mohm @ 80a, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 v	± 20V	2980 pf @ 25 v	-	94W (TJ)
PSMN041-80YL15	1.0000	RFQ	3638	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드						0000.00.0000	1
BSS84AKM, 315	-	RFQ	1687	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883			MOSFET (금속 (()		DFN1006-3	다운로드					귀 99	8541.21.0095	1		p 채널				50 v	230MA (TA)	10V	7.5ohm @ 100ma, 10V	2.1V @ 250µA	0.35 nc @ 5 v	± 20V	36 pf @ 25 v	-	340MW (TA), 2.7W (TC)
fqu5n40tu	0.5600	RFQ	28	페어차일드 페어차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()		i-pak	다운로드					귀 99	8542.39.0001	535		n 채널				400 v	3.4A (TC)	10V	1.6ohm @ 1.7a, 10V	5V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 30V	460 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 45W (TC)
IPA50R140CP	-	RFQ	3700	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()		PG-to220-3-111	다운로드					귀 99	8542.39.0001	80		n 채널				500 v	23A (TC)	10V	140mohm @ 14a, 10V	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 v	± 20V	2540 pf @ 100 v	-	34W (TC)
FDS8928A	1.0000	RFQ	1457	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	FDS89		MOSFET (금속 (()	900MW	8-SOIC	다운로드					귀 99	8541.21.0095	1	n 및 p 채널					30V, 20V	5.5A, 4A		30mohm @ 5.5a, 4.5v	1V @ 250µA	28NC @ 4.5V		900pf @ 10V	논리 논리 게이트
FCH060N80-F155	1.0000	RFQ	3001	페어차일드 페어차일드	Superfet® II	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3			MOSFET (금속 (()		TO-247-3	다운로드						0000.00.0000	1		n 채널				800 v	56A (TC)	10V	60mohm @ 29a, 10V	4.5V @ 5.8ma	350 NC @ 10 v	± 20V	14685 pf @ 100 v	-	500W (TC)
IPS80R1K4P7	0.5800	RFQ	2173	인피온 인피온	Coolmos P7 ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK			MOSFET (금속 (()		PG-to251	다운로드					귀 99	8542.39.0001	375		n 채널				800 v	4A (TJ)	10V	1.4ohm @ 1.4a, 10V	3.5V @ 700µA	10 nc @ 10 v	± 20V	250 pf @ 500 v	-	32W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

Fets, Mosfets (55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²