SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
STD12N60M6 STMicroelectronics STD12N60M6 1.0473
RFQ
 ECAD 7177 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD12 MOSFET (금속 (() DPAK (TO-252) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STD12N60M6 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 4.75V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 25V 452 pf @ 100 v - 96W (TC)
RF5L05950CF2 STMicroelectronics RF5L05950CF2 135.0000
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 50 v 표면 표면 C2 RF5L05950 1.5GHz LDMOS C2 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-RF5L05950CF2 100 n 채널 - 2500W 50dB -
STL195N4F7AG STMicroelectronics STL195N4F7AG 1.0548
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 STL195 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STL195N4F7AG 3,000
STD70R1K3S STMicroelectronics STD70R1K3S 0.2705
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STD70 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STD70R1K3S 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.75a, 10V 3.75V @ 250µA 4.1 NC @ 10 v ± 25V 175 pf @ 100 v - 77W (TC)
STAC1011-500 STMicroelectronics STAC1011-500 208.7250
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 110 v 표면 표면 STAC780-4F STAC1011 700MHz ~ 1.2GHz LDMOS STAC780-4F - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STAC1011-500 80 n 채널 1µA 200 MA 500W 16db - 50 v
IPA50R280E6 Infineon Technologies IPA50R280E6 0.9400
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 - 2156-IPA50R280E6 349
MW7IC930NR1 NXP Semiconductors MW7IC930NR1 59.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모 쓸모 65 v 표면 표면 to-270-16 0, 플랫 리드 920MHz ~ 960MHz ldmos (() TO-270WB-16 - 2156-MW7IC930NR1 귀 99 8542.33.0001 6 2 n 채널 10µA 285 MA 3.2W 35.9dB - 28 v
2SJ179-T2-AZ Renesas 2SJ179-T2-AZ -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모 쓸모 - 2156-2SJ179-T2-AZ 1
2SK3366-AZ Renesas 2SK3366-AZ -
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() MP-3 - 2156-2SK3366-az 1 n 채널 30 v 20A (TA) 10V 21mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 20V 730 pf @ 10 v - 1W (TA), 30W (TC)
2SK1591W-T1B-A Renesas 2SK1591W-T1B-A -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모 쓸모 - 2156-2SK1591W-T1B-A 1
PMPB15XP/S500H Nexperia USA Inc. PMPB15XP/S500H 0.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 - 2156-PMPB15XP/S500H 2,520 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 12V 2875 pf @ 6 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
MW7IC930GNR1 NXP Semiconductors MW7IC930GNR1 -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모 쓸모 65 v 표면 표면 to-270-16 0, 갈매기 날개 920MHz ~ 960MHz ldmos (() TO-270 WBL-16 갈매기 - 2156-MW7IC930GNR1 1 2 n 채널 10µA 285 MA 3.2W 35.9dB - 28 v
RJK03E2DNS-00#J5 onsemi RJK03E2DNS-00#J5 -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-HWSON (3.3x3.3) - 2156-RJK03E2DNS-00#J5 1 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 1.8 nc @ 4.5 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 12.5W (TC)
MRF6V2150NBR1 NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1 59.8400
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모 쓸모 110 v 섀시 섀시 TO-272BB 450MHz LDMOS TO-272 WB-4 - 2156-MRF6V2150NBR1 귀 99 8541.21.0075 6 n 채널 - 450 MA 150W 25db - 50 v
HAT1089C-EL-E Renesas HAT1089C-EL-E -
RFQ
 ECAD 9103 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-CMFPAK - 2156-HAT1089C-EL-E 1 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 103mohm @ 1a, 4.5v 1.4V @ 1mA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V 365 pf @ 10 v - 850MW (TA)
AOB2140L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2140L 1.8278
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB21 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOB2140LTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 57A (TA), 195a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 9985 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 272W (TC)
AONS36304 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS36304 0.3032
RFQ
 ECAD 3625 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AONS363 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aons36304tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 37A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 1.9V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2430 pf @ 15 v - 6.2W (TA), 42W (TC)
AOK040A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK040A60 6.7519
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK040 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK040A60 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 70A (TC) 10V 40mohm @ 25a, 10V 3.6V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 20V 9320 pf @ 100 v - 500W (TC)
AOT2146L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2146L 0.9409
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2146 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2146LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 42A (TA), 105A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3830 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 119W (TC)
AOTF2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2144L 1.1829
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF2144 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOTF2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 46A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 32W (TC)
AOK033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK033V120X2 16.3538
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOY66920 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY66920 0.5595
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOY669 MOSFET (금속 (() TO-251B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOY66920 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 100 v 19.5A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 89W (TC)
AOM033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOM033V120X2 17.9071
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 AOM033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOM033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOD780A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD780A70 0.6229
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD7 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOD780A70TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 7A (TC) 10V 780mohm @ 1.4a, 10V 4.1V @ 250µA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 675 pf @ 100 v - 83W (TC)
AOD66919 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66919 0.6619
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD66 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aod66919tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 22A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 3420 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 156W (TC)
AOT2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2144L 1.0036
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2144 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 205A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 187W (TC)
BLS7G2729LS-350P,1 Ampleon USA Inc. BLS7G2729LS-350P, 1 716.0700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 SOT-539B BLS7G2729 2.7GHz ~ 2.9GHz LDMOS SOT539B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 200 MA 350W 13db - 32 v
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RH6R025 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 25A (TA) 6V, 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 75 v - 2W (TA), 59W (TC)
DMN6068LK3-13-52 Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52 0.3003
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6068 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMN6068LK3-13-52 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 502 pf @ 30 v - 2.12W (TA)
DMP2037UFCL-7 Diodes Incorporated DMP2037UFCL-7 0.1254
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn DMP2037 MOSFET (금속 (() U-DFN1616-6 (k) 다운로드 31-DMP2037UFCL-7 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 16.5 nc @ 8 v ± 10V 806 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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