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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXTA180N085T7 | - | ![]() | 7057 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IXTA180 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 (IXTA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 85 v | 180A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 7500 pf @ 25 v | - | 430W (TC) | |||
![]() | A2T26H165-24SR3128 | 127.1600 | ![]() | 497 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||
SQJ152EP-T1_GE3 | 0.9400 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 114A (TC) | 10V | 5.1mohm @ 15a, 10V | 3.5V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1450 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||
![]() | IPU09N03LB g | - | ![]() | 7354 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU09N | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-21 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 50a, 10V | 2V @ 20µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 58W (TC) | |||
![]() | FDS9431A-F085 | - | ![]() | 6085 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 3.5A (TA) | 130mohm @ 3.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 405 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | ||||
![]() | SSM3J325F, LF | 0.4100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosvi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3J325 | MOSFET (금속 (() | S- 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2A (TA) | 1.5V, 4.5V | 150mohm @ 1a, 4.5v | - | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 270 pf @ 10 v | - | 600MW (TA) | |||
![]() | PSMN4R8-100PSEQ | 5.3900 | ![]() | 2238 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | psmn4r8 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 120A (TJ) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 278 NC @ 10 v | ± 20V | 14400 pf @ 50 v | - | 405W (TC) | ||
STP310N10F7 | 5.8300 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP310 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13233-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 60a, 10V | 3.8V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 12800 pf @ 25 v | - | 315W (TC) | ||
![]() | UPA2201UT1M-T1-AT | 0.6500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | sir472adp-t1-ge3 | 0.6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir472 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1040 pf @ 15 v | - | 3.3W (TA), 14.7W (TC) | |||
![]() | TK16J60W5, S1VQ | 5.2000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | TK16J60 | MOSFET (금속 (() | TO-3P (N) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 15.8A (TA) | 10V | 230mohm @ 7.9a, 10V | 4.5V @ 790µA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 300 v | - | 130W (TC) | |||
![]() | DMTH61M8SPS-13 | 0.9002 | ![]() | 5835 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (k) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH61M8SPS-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 215A (TC) | 10V | 1.6MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 130.6 NC @ 10 v | ± 20V | 8306 pf @ 30 v | - | 3.2W (TA), 167W (TC) | ||||
![]() | PMPB100ENEAX | - | ![]() | 9802 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB100 | - | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934070699115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | ± 20V | - | - | ||||
![]() | NP88N04KUG-E1-ay | - | ![]() | 2967 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 88A (TC) | 10V | 2.9mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 15000 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 200W (TC) | |||
![]() | SI7452DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7452 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 11.5A (TA) | 10V | 8.3mohm @ 19.3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||
![]() | IXFC14N60p | - | ![]() | 2058 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polarht ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXFC14N60 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 630mohm @ 7a, 10V | 5.5V @ 2.5MA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 2500 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
![]() | SFT1431-W | - | ![]() | 6229 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | SFT143 | MOSFET (금속 (() | IPAK/TP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 35 v | 11A (TA) | 4V, 10V | 25mohm @ 5.5a, 10V | 2.6v @ 1ma | 17.3 NC @ 10 v | ± 20V | 960 pf @ 20 v | - | 1W (TA), 15W (TC) | |||
![]() | NP80N04KHE-e1-ay | - | ![]() | 3149 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 120W (TC) | |||
![]() | BUK6228-55C, 118 | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1,268 | n 채널 | 55 v | 31A (TC) | 10V | 29mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 1MA | 20.2 NC @ 10 v | ± 16V | 1340 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||
EKI10126 | - | ![]() | 4561 | 0.00000000 | 산켄 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | EKI10126 DK | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 66A (TC) | 4.5V, 10V | 11.6MOHM @ 33A, 10V | 2.5V @ 1.5MA | 88.8 NC @ 10 v | ± 20V | 6420 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | ||||
![]() | BUK9635-100A, 118 | - | ![]() | 5660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk96 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 41A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 3573 pf @ 25 v | - | 149W (TC) | |||
![]() | IPB60R385CPATMA1 | - | ![]() | 4600 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 385mohm @ 5.2a, 10V | 3.5V @ 340µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||
![]() | IPP139N08N3G | 0.5600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 80 v | 45A (TC) | 6V, 10V | 13.9mohm @ 45a, 10V | 3.5V @ 33µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1730 pf @ 40 v | - | 79W (TC) | |||
![]() | TQM043NH04CR RLG | 3.6200 | ![]() | 4045 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | TQM043 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N04S2-H4 | - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 4mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 148 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||
![]() | AOTS21313C | 0.1921 | ![]() | 4302 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | AOTS21313 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTS21313CTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7.3A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 7.3a, 10V | 2.2V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 15 v | - | 2.7W (TA) | |
![]() | IPD122N10N3GATMA1 | 1.6300 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD122 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 6V, 10V | 12.2MOHM @ 46A, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 50 v | - | 94W (TC) | ||
![]() | 2SK3457-AZ | 2.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NTH027N65S3F-F155 | 23.0900 | ![]() | 419 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NTH027 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 75A (TC) | 10V | 27.4mohm @ 35a, 10V | 5V @ 7.5MA | 259 NC @ 10 v | ± 30V | 7690 pf @ 400 v | - | 595W (TC) | ||
![]() | UPA2709GR-E1-A | 0.9800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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