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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈
BUZ42 Harris Corporation buz42 0.6300
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 380 n 채널 500 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2000 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRF223 Harris Corporation IRF223 1.0000
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 40W (TC)
2SK1299STL-E Renesas Electronics America Inc 2SK1299STL-e 1.0000
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
MTP20N06V onsemi MTP20N06V 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
2SK4101FS-V-H onsemi 2SK4101FS-VH 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
2SK3712-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3712-AZ 3.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 93
HAT1038RJ-EL Renesas Electronics America Inc HAT1038RJ-EL 1.1300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
SPI12N50C3IN Infineon Technologies SPI12N50C3IN 1.1300
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPI144N12N3G Infineon Technologies IPI144N12N3G -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
MHT1005HSR3 NXP USA Inc. MHT1005HSR3 -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-MHT1005HSR3 쓸모없는 50 - - - - -
NTBLS001N06C onsemi NTBLS001N06C 7.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn NTBLS001 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 51A (TA), 422A (TC) 6V, 10V 0.9mohm @ 80a, 10V 4V @ 562µA 143 NC @ 10 v ± 20V 11575 pf @ 30 v - 4.2W (TA), 284W (TC)
FDBL86063 onsemi FDBL86063 6.9300
RFQ
 ECAD 286 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL8606 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 240A (TC) 10V 2.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 50 v - 357W (TJ)
NTTFS5D1N06HLTAG onsemi NTTFS5D1N06HLTAG 1.8200
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 18A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 16a, 10V 2V @ 80µa 22.5 nc @ 10 v ± 20V 1610 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 63W (TC)
NTS4001NT3G onsemi NTS4001NT3G 0.4300
RFQ
 ECAD 1411 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NTS4001 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTS4001NT3GTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 270MA (TA) 2.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 1.3 NC @ 5 v ± 20V 33 pf @ 5 v - 330MW (TA)
RM80N30LD Rectron USA RM80N30LD 0.1900
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N30LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 80A (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 2330 pf @ 15 v - 83W (TC)
RM15P30S8 Rectron USA RM15P30S8 0.2400
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM15P30S8tr 8541.10.0080 40,000 p 채널 30 v 15A (TA) 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 2900 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
NDCTR08120A onsemi NDCTR08120A 3.1938
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 NDCTR08120 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-ndctr08120atr 3,000 -
NVTFS6H854NLTAG onsemi NVTFS6H854NLTAG 0.6096
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS6 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvtfs6h854nltagtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 10A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 13.4mohm @ 10a, 10V 2V @ 45µA 17 nc @ 10 v ± 20V 902 pf @ 40 v - 3.2W (TA), 54W (TC)
NTMFS016N06CT1G onsemi NTMFS016N06CT1G 0.7724
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS016 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTMFS016N06CT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 10A (TA), 33A (TC) 10V 15.6mohm @ 5a, 10V 4V @ 25µA 6.9 NC @ 10 v ± 20V 489 pf @ 30 v - 3.4W (TA), 36W (TC)
NTMFS0D9N03CGT1G onsemi NTMFS0D9N03CGT1G 3.2900
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS0 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 48A (TA), 298A (TC) 10V 0.9mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 200µA 131.4 NC @ 10 v ± 20V 9450 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 144W (TC)
NVHL060N090SC1 onsemi NVHL060N090SC1 22.1900
RFQ
 ECAD 434 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL060 sicfet ((카바이드) TO-247-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVHL060N090SC1 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 900 v 46A (TC) 15V 84mohm @ 20a, 15V 4.3V @ 5mA 87 NC @ 15 v +19V, -10V 1770 pf @ 450 v - 221W (TC)
SVD5865NLT4G onsemi SVD5865NLT4G 0.3613
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SVD5865 MOSFET (금속 (() DPAK-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 10A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 19a, 10V 2V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 71W (TC)
RM7N600IP Rectron USA RM7N600IP 0.5500
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM7N600IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 580mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 587 pf @ 50 v - 63W (TC)
RM8N700LD Rectron USA RM8N700LD 0.4700
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N700LD 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 590 pf @ 50 v - 69W (TC)
RM17N800T2 Rectron USA RM17N800T2 1.5300
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM17N800T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 17A (TA) 10V 320mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2060 pf @ 50 v - 260W (TC)
RM1216 Rectron USA RM1216 0.1200
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM1216TR 8541.10.0080 25,000 p 채널 12 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 18mohm @ 6.7a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 2700 pf @ 10 v - 18W (TC)
RM5N150S8 Rectron USA RM5N150S8 0.4000
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N150S8 8541.10.0080 300 n 채널 150 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 625 pf @ 75 v - 3.1W (TA)
RM40N200TI Rectron USA RM40N200TI 0.7600
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N200TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 200 v 40A (TA) 10V 41mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 6500 pf @ 25 v - 60W (TA)
RM3400 Rectron USA RM3400 0.4100
RFQ
 ECAD 7462 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3400tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 2.5V, 10V 41mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA ± 12V 820 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
RM2312 Rectron USA RM2312 0.0440
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2312TR 8541.10.0080 30,000 n 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 4.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 12V 500 pf @ 8 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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