SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IXFT74N20Q IXYS IXFT74N20Q -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 IXFT74 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 -
RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E150MNTB1 0.5924
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E150 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 2W (TA)
IXFH14N85X IXYS IXFH14N85X 8.7400
RFQ
ECAD 197 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH14 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 850 v 14A (TC) 10V 550mohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1043 pf @ 25 v - 460W (TC)
NTLJS3180PZTAG onsemi NTLJS3180PZTAG -
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 NTLJS31 MOSFET (금속 (() 6-wdfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 1.5V, 4.5V 3A @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 19.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 16 v - 700MW (TA)
MCH6331-TL-W onsemi MCH6331-TL-W -
RFQ
ECAD 8789 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MCH63 MOSFET (금속 (() SC-88FL/MCPH6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 98mohm @ 1.5a, 10V 2.6v @ 1ma 5 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
DMG3415U-13 Diodes Incorporated DMG3415U-13 -
RFQ
ECAD 7790 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3415 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMG3415U-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 42.5mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 v ± 8V 294 pf @ 10 v - 900MW (TA)
IXFT120N15P IXYS IXFT120N15P 9.6787
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 상자 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT120 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 120A (TC) 10V 16mohm @ 500ma, 10V 5V @ 4MA 150 nc @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 600W (TC)
TN5325K1-G Microchip Technology TN5325K1-G 0.6800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TN5325 MOSFET (금속 (() TO-236AB (SOT23) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 250 v 150MA (TA) 4.5V, 10V 7ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 110 pf @ 25 v - 360MW (TA)
DMC2710UVQ-13 Diodes Incorporated DMC2710UVQ-13 0.0648
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMC2710 MOSFET (금속 (() 460MW (TA) SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 31-dmc2710uvq-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 및 p 채널 20V 1.1A (TA), 800ma (TA) 400mohm @ 600ma, 4.5v, 700mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6nc @ 4.5v, 0.7nc @ 4.5v 42pf @ 16v, 49pf @ 16v 기준
SIPC10N65C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC10N65C3X1SA1 -
RFQ
ECAD 2899 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 - - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000655832 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
BLF8G20LS-400PVU Ampleon USA Inc. blf8g20ls-400pvu -
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 65 v 섀시 섀시 SOT-1242B blf8 1.81GHz ~ 1.88GHz LDMOS CDFM8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 3.4 a 95W 19db - 28 v
AUIRFB8405 Infineon Technologies AUIRFB8405 6.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AUIRFB8405 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.5mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 v ± 20V 5193 pf @ 25 v - 163W (TC)
APTC60TAM21SCTPAG Microchip Technology APTC60TAM21SCTPAG 533.2133
RFQ
ECAD 8148 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 APTC60 MOSFET (금속 (() 625W SP6-P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 600V 116a 21mohm @ 88a, 10V 3.6v @ 6ma 580NC @ 10V 13000pf @ 100v -
UPA2821T1L-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2821T1L-E1-AT -
RFQ
ECAD 3882 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-HWSON (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 26A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 26a, 10V - 51 NC @ 10 v ± 20V 2490 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
HUF75639S3S Fairchild Semiconductor HUF75639S3S 1.3700
RFQ
ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
NVMJD016N06CTWG onsemi NVMJD016N06CTWG 0.6108
RFQ
ECAD 9076 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 NVMJD016 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvmjd016n06ctwgtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 -
PH6325L,115 NXP USA Inc. pH6325L, 115 -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 pH63 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. PSMQC040N10NS2_R2_00601 2.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 PSMQC040N10 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
YJL3401AQ Yangjie Technology YJL3401AQ 0.0640
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL3401AQTR 귀 99 3,000
NVMFS6B05NT1G onsemi NVMFS6B05NT1G -
RFQ
ECAD 5900 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 114A (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 16V 3100 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 165W (TC)
IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R099P6XKSA1 6.8500
RFQ
ECAD 4147 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 37.9A (TC) 10V 99mohm @ 14.5a, 10V 4.5V @ 1.21ma 70 nc @ 10 v ± 20V 3330 pf @ 100 v - 34W (TC)
PJU4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 5360 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA70 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA70_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 77W (TC)
AUIRL1404ZS International Rectifier auirl1404z 1.7000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 NC @ 5 v ± 16V 5080 pf @ 25 v - 200W (TC)
FDME910PZT Fairchild Semiconductor fdme910pzt 1.0000
RFQ
ECAD 3527 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn MOSFET (금속 (() 마이크로 마이크로 1.6x1.6 얇은 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 20 v 8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 8V 2110 pf @ 10 v - 2.1W (TA)
IRFR1N60APBF-BE3 Vishay Siliconix irfr1n60apbf-be3 1.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-IRFR1N60APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1.4A (TC) 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
APT20M22LVFRG Microchip Technology APT20M22LVFRG 22.6100
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT20M22 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 100A (TC) 10V 22mohm @ 500ma, 10V 4V @ 2.5MA 435 NC @ 10 v ± 30V 10200 pf @ 25 v - 520W (TC)
UF4C120070K4S Qorvo UF4C120070K4 13.8900
RFQ
ECAD 432 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 Sicfet (Cascode Sicjfet) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2312-UF4C120070K4S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 27.5A (TC) 91mohm @ 20a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1370 pf @ 800 v - 217W (TC)
MTB4N40ET4-ON onsemi MTB4N40ET4-ON 0.9100
RFQ
ECAD 147 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 800
NX602NBKS115 NXP USA Inc. NX602NBKS115 -
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
SIR164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir164DP-T1-GE3 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir164 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 123 NC @ 10 v ± 20V 3950 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고