전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXFT74N20Q | - | ![]() | 4283 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | IXFT74 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E150MNTB1 | 0.5924 | ![]() | 9123 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | RQ3E150 | MOSFET (금속 (() | 8-HSMT (3.2x3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 1mA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||
![]() | IXFH14N85X | 8.7400 | ![]() | 197 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH14 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 850 v | 14A (TC) | 10V | 550mohm @ 500ma, 10V | 5.5V @ 1mA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 1043 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | ||||||||||||
![]() | NTLJS3180PZTAG | - | ![]() | 8073 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NTLJS31 | MOSFET (금속 (() | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.5A (TA) | 1.5V, 4.5V | 3A @ 3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 19.5 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1100 pf @ 16 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||||
![]() | MCH6331-TL-W | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MCH63 | MOSFET (금속 (() | SC-88FL/MCPH6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.5A (TA) | 4V, 10V | 98mohm @ 1.5a, 10V | 2.6v @ 1ma | 5 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
DMG3415U-13 | - | ![]() | 7790 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMG3415 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMG3415U-13DI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 42.5mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 9.1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 294 pf @ 10 v | - | 900MW (TA) | ||||||||||||
![]() | IXFT120N15P | 9.6787 | ![]() | 9537 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT120 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 120A (TC) | 10V | 16mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 4MA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 4900 pf @ 25 v | - | 600W (TC) | ||||||||||||
![]() | TN5325K1-G | 0.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN5325 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB (SOT23) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 150MA (TA) | 4.5V, 10V | 7ohm @ 1a, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 110 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
DMC2710UVQ-13 | 0.0648 | ![]() | 4077 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMC2710 | MOSFET (금속 (() | 460MW (TA) | SOT-563 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 31-dmc2710uvq-13tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 및 p 채널 | 20V | 1.1A (TA), 800ma (TA) | 400mohm @ 600ma, 4.5v, 700mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.6nc @ 4.5v, 0.7nc @ 4.5v | 42pf @ 16v, 49pf @ 16v | 기준 | |||||||||||||||
![]() | SIPC10N65C3X1SA1 | - | ![]() | 2899 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | - | - | - | - | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000655832 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | blf8g20ls-400pvu | - | ![]() | 2146 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-1242B | blf8 | 1.81GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | CDFM8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | - | 3.4 a | 95W | 19db | - | 28 v | |||||||||||||||
![]() | AUIRFB8405 | 6.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AUIRFB8405 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 NC @ 10 v | ± 20V | 5193 pf @ 25 v | - | 163W (TC) | ||||||||||||
![]() | APTC60TAM21SCTPAG | 533.2133 | ![]() | 8148 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 625W | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 600V | 116a | 21mohm @ 88a, 10V | 3.6v @ 6ma | 580NC @ 10V | 13000pf @ 100v | - | ||||||||||||||
![]() | UPA2821T1L-E1-AT | - | ![]() | 3882 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-HWSON (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 26a, 10V | - | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2490 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
![]() | HUF75639S3S | 1.3700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
![]() | NVMJD016N06CTWG | 0.6108 | ![]() | 9076 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | NVMJD016 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvmjd016n06ctwgtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | pH6325L, 115 | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | pH63 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMQC040N10NS2_R2_00601 | 2.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | PSMQC040N10 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YJL3401AQ | 0.0640 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJL3401AQTR | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6B05NT1G | - | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS6 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 114A (TC) | 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 16V | 3100 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 165W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPA60R099P6XKSA1 | 6.8500 | ![]() | 4147 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R099 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 37.9A (TC) | 10V | 99mohm @ 14.5a, 10V | 4.5V @ 1.21ma | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 3330 pf @ 100 v | - | 34W (TC) | ||||||||||||
![]() | PJU4NA70_T0_00001 | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | PJU4NA70 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | - | 3757-PJU4NA70_T0_00001 | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 700 v | 4A (TA) | 10V | 2.8ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 30V | 514 pf @ 25 v | - | 77W (TC) | |||||||||||||||
![]() | auirl1404z | 1.7000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 75a, 10V | 2.7V @ 250µA | 110 NC @ 5 v | ± 16V | 5080 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | fdme910pzt | 1.0000 | ![]() | 3527 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerufdfn | MOSFET (금속 (() | 마이크로 마이크로 1.6x1.6 얇은 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | p 채널 | 20 v | 8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 24mohm @ 8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 8V | 2110 pf @ 10 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | irfr1n60apbf-be3 | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRFR1N60APBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 7ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 229 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||||||||||||||
APT20M22LVFRG | 22.6100 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT20M22 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 100A (TC) | 10V | 22mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 435 NC @ 10 v | ± 30V | 10200 pf @ 25 v | - | 520W (TC) | |||||||||||||
![]() | UF4C120070K4 | 13.8900 | ![]() | 432 | 0.00000000 | Qorvo | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | Sicfet (Cascode Sicjfet) | TO-247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2312-UF4C120070K4S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 27.5A (TC) | 91mohm @ 20a, 12v | 6V @ 10MA | 37.8 nc @ 15 v | ± 20V | 1370 pf @ 800 v | - | 217W (TC) | ||||||||||||||
![]() | MTB4N40ET4-ON | 0.9100 | ![]() | 147 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX602NBKS115 | - | ![]() | 5279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sir164DP-T1-GE3 | 1.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir164 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 123 NC @ 10 v | ± 20V | 3950 pf @ 15 v | - | 5.2W (TA), 69W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고