- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AON6562 | - |  | 8248 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | AON656 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 29A (TA), 32A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 6W (TA), 25W (TC) | |||||
 | FDC6036P_F077 | - | | 7398 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP | FDC6036 | MOSFET (금속 (() | 900MW | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 5a | 44mohm @ 5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 14NC @ 4.5V | 992pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | IRF1324LPBF | - | | 5251 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001564274 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 24 v | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7590 pf @ 24 v | - | 300W (TC) | |||||
 | RM8N700TI | 0.6800 | | 7906 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM8N700TI | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 700 v | 8A (TJ) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 v | - | 31.7W (TC) | |||||||
 | SPD22N08S2L-50 | - | | 3049 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | spd22n | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 11a, 10V | 2V @ 31µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 850 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||
 | SIHF22N60E-E3 | 1.8728 | | 5341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF22 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHF22N60EE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | 1920 pf @ 100 v | - | ||||||||
 | STK130N4LF7AG | 1.9500 | | 166 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | STK130N | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 50A, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 25 v | - | 105W (TC) | ||||
 | NVTFS5C460NLTAG | 1.3500 | | 5207 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS5 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 74A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 35a, 10V | 2V @ 40µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | IRLB3036GPBF | - | | 1983 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558722 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11210 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | |||||
 | TSM085NB03DCR RLG | 2.2400 | | 5 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM085 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 12A (TA), 51A (TC) | 8.5mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1091pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | PJA3412-AU_R1_000A1 | 0.4000 | | 18 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3412 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 56mohm @ 4.1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 350 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | ||||
 | SI7852ADP-T1-E3 | 2.7800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 8V, 10V | 17mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1825 pf @ 40 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
 | SISA16DN-T1-GE3 | 0.1995 | | 6070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SISA16 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA) | 6.8mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | 2060 pf @ 15 v | - | - | |||||||
 | R6009JNJGTL | 2.9400 | | 9436 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R6009 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 15V | 585mohm @ 4.5a, 15V | 7V @ 1.38ma | 22 nc @ 15 v | ± 30V | 645 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | ||||
| 2SK2484 (1) -az | 3.1200 | | 276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BSH202,215 | - | | 5824 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BSN2 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
 | FDMS8692 | 0.5000 | | 65 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1265 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | |||||||
 | PJD12P06_L2_00001 | 0.2741 | | 9356 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD12 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD12P06_L2_00001TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.6A (TA), 12A (TC) | 10V | 155mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 10.9 NC @ 10 v | ± 20V | 385 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 50W (TC) | |||
 | SUD19P06-60-GE3 | 1.1800 | | 80 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD19 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 60 v | 18.3A (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 25 v | - | 2.3W (TA), 38.5W (TC) | |||||
 | fdfme3n311zt | - | | 6587 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-ufdfn 노출 패드 | fdfme3 | MOSFET (금속 (() | 6 6 1. (1.6x1.6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 1.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 299mohm @ 1.6a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.4 NC @ 4.5 v | ± 12V | 75 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.4W (TA) | |||||
 | STP4NK50Z | - | | 5459 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP4N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 3A (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 310 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||
 | SI1315DL-T1-GE3 | - | | 6078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI1315 | MOSFET (금속 (() | SC-70-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 900ma (TC) | 1.8V, 4.5V | 336mohm @ 800ma, 4.5v | 800MV @ 250µA | 3.4 NC @ 4.5 v | ± 8V | 112 pf @ 4 v | - | 300MW (TA), 400MW (TC) | ||||
| smbf1066t1g | - | | 2630 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | SMBF1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
 | FQP17N08 | - | | 4965 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP1 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 16.5A (TC) | 10V | 115mohm @ 8.25a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 25V | 450 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | |||||
 | FQPF13N10 | - | | 9768 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 8.7A (TC) | 10V | 180mohm @ 4.35a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 25V | 450 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||||
 | BUK761R3-30E, 118 | - | | 7654 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk76 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 120A (TC) | 10V | 1.3mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 154 NC @ 10 v | ± 20V | 11960 pf @ 25 v | - | 357W (TC) | ||||
 | IPBE65R099CFD7AATMA1 | 7.9300 | | 2818 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | IPBE65 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 99mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 2513 pf @ 400 v | - | 127W (TC) | ||||
 | RJK03D2DPA-00#J53 | 0.9200 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
 | ntljd2104ptbg | - | | 6864 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | NTLJD21 | MOSFET (금속 (() | 700MW | 6-wdfn (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 2.4a | 90mohm @ 3a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 467pf @ 6v | 논리 논리 게이트 | |||||||
| SQ3418AEEV-T1_GE3 | 0.3929 | | 2137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3418 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 8a | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 3.5 NC @ 4.5 v | ± 20V | 528 pf @ 25 v | - | 5W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)