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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | Ph3120L, 115-nxp | - | ![]() | 3809 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1,500 | n 채널 | 20 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 48.5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4457 pf @ 10 v | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFR13N20DPBF-IR | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 13A (TC) | 235mohm @ 8a, 10V | 5.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 830 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||
![]() | AFT26HW050GSR3-NXP | 115.4500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfp064n-ir | - | ![]() | 1047 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 110A (TC) | 10V | 8mohm @ 59a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||
![]() | irfh7921trpbf-ir | 0.3600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 34A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10V | 2.35V @ 25µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1210 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||
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![]() | AUIRF6218S-IR | - | ![]() | 6333 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 150 v | 27A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2210 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||
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![]() | buk6e2r3-40c, 127 | - | ![]() | 7460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | buk6 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BUK7508-55A, 127 | - | ![]() | 6763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 75A (TA) | 8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 76 NC @ 0 v | ± 20V | 4352 pf @ 25 v | - | 254W (TA) | |||||||||||||
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![]() | IRFS59N10DTRLP | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 25mohm @ 35.4a, 10V | 5.5V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | ± 30V | 2450 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||
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![]() | RFH75N05 | 4.1100 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC | MOSFET (금속 (() | TO-218 분리 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 50 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | IPP120N04S3-02 | 3.2000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 80a, 10V | 4V @ 230µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 14300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
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![]() | IRF7739L2TRPBF | 1.0000 | ![]() | 7657 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet L8 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 246 | n 채널 | 40 v | 46A (TA), 375A (TC) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 20V | 11880 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
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![]() | AUIRFR3504 | 1.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 56A (TC) | 10V | 9.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||
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![]() | MRF6VP3450HR6 | - | ![]() | 7297 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | NI-1230 | MRF6 | 860MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 이중 | - | 1.4 a | 90W | 22.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||
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![]() | BSZ0702LSATMA1 | 1.2600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ0702 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 17A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 36µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 30 v | - | 2.1W (TA), 69W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고