SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK110A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 24A (TA) 10V 110mohm @ 12a, 10V 4V @ 1.02ma 40 nc @ 10 v ± 30V 2250 pf @ 300 v - 45W (TC)
SIZ256DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3 1.3100
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz256 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 742-SIZ256DT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 70V 11.5A (TA), 31.8A (TC) 17.6mohm @ 7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1060pf @ 35v -
SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP6N80AE-GE3 1.6900
RFQ
 ECAD 971 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-SIHP6N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 5A (TC) 950mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 30V 422 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor RS1G201ATTB1 2.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1g MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 20A (TA), 78A (TC) 5.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 130 NC @ 10 v ± 20V 6890 pf @ 20 v - 3W (TA), 40W (TC)
FQPF6N80T Fairchild Semiconductor FQPF6N80T 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 3.3A (TC) 10V 1.95ohm @ 1.65a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 25 v - 51W (TC)
FCH25N60N Fairchild Semiconductor FCH25N60N 3.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8542.39.0001 80 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 126MOHM @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 3352 pf @ 100 v - 216W (TC)
BUK7Y7R2-60EX NXP USA Inc. buk7y7r2-60ex -
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 60 v - 10V - - ± 20V - 167W (TC)
PMCM6501VPEZ NXP Semiconductors PMCM6501VPEZ 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1,528 p 채널 12 v 6.2A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 29.4 NC @ 4.5 v ± 8V 1400 pf @ 6 v - 556MW (TA), 12.5W (TC)
IRFR7440TRPBF International Rectifier irfr7440trpbf -
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 176-LQFP MOSFET (금속 (() 176-LQFP (24x24) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 90A (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 134 NC @ 10 v ± 20V 4610 pf @ 25 v - 140W (TC)
FQP20N06L Fairchild Semiconductor FQP20N06L -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 21A (TC) 5V, 10V 55mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 630 pf @ 25 v - 53W (TC)
IRFS4620PBF International Rectifier IRFS4620PBF 1.0000
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 77.5mohm @ 15a, 10V 5V @ 100µa 38 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 50 v - 144W (TC)
PHB18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB18NQ10T, 118 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 727 n 채널 100 v 18A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 79W (TC)
MRF24301HR5178 NXP USA Inc. MRF24301HR5178 1.0000
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PSMN030-150P,127 NXP USA Inc. PSMN030-150P, 127 -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN0 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
PSMN1R5-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN1R5-30YL, 115 -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
FDS9435A Fairchild Semiconductor FDS9435A -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 25V 528 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRLR7833TRPBF International Rectifier IRLR7833TRPBF -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4010 pf @ 15 v - 140W (TC)
ON5451,518 Nexperia USA Inc. on5451,518 -
RFQ
 ECAD 2378 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 - - - - - 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R090CFD7XTMA1 6.4300
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-powersop op IPDD60 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-10-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,700 n 채널 600 v 33A (TC) 90mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 470µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1747 pf @ 400 v - 227W (TC)
SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18.4A (TA), 65A (TC) 7.4mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1915 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
HUF75639S3STNL Fairchild Semiconductor huf75639s3stnl -
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 88 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
FDD5680 Fairchild Semiconductor FDD5680 -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 8.5A (TA) 6V, 10V 21mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1835 pf @ 30 v - 2.8W (TA), 60W (TC)
FDPF5N50NZF Fairchild Semiconductor FDPF5N50NZF 0.7900
RFQ
 ECAD 552 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Unifet-II ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 4.2A (TC) 10V 1.75ohm @ 2.1a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 25V 485 pf @ 25 v - 30W (TC)
SPD03N60C3 Infineon Technologies SPD03N60C3 -
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 54 n 채널 600 v 3.2A (TC) 1.4ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 135µA 17 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 38W (TC)
SPP08N80C3 Infineon Technologies SPP08N80C3 1.0000
RFQ
 ECAD 1057 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104W (TC)
UPA2387T1P-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2387T1P-E4-A 0.2000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
IRFB9N60APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFB9N60APBF-BE3 3.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFB9N60APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr110trlpbf-be3 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfl014trpbf-be3 0.9400
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1499DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TA), 1.6A (TC) 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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