SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
2N7002A Diotec Semiconductor 2N7002A -
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-2N7002atr 8541.21.0000 3,000 n 채널 60 v 280MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 30V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J 11.0300
RFQ
ECAD 9581 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA G3R75 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R75MT12J 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 42A (TC) 15V 90mohm @ 20a, 15V 2.69V @ 7.5MA 54 NC @ 15 v ± 15V 1560 pf @ 800 v - 224W (TC)
G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12d 10.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R75 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R75MT12d 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 41A (TC) 15V 90mohm @ 20a, 15V 2.69V @ 7.5MA 54 NC @ 15 v ± 15V 1560 pf @ 800 v - 207W (TC)
G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J 18.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 G2R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA G2R1000 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G2R1000MT33J 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 3300 v 4A (TC) 20V 1.2ohm @ 2a, 20V 3.5V @ 2MA 21 NC @ 20 v +20V, -5V 238 pf @ 1000 v - 74W (TC)
SQJ142ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ142ELP-T1_GE3 1.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ142 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 742-sqj142elp-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 175A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3015 pf @ 25 v - 190W (TC)
DI100N10PQ Diotec Semiconductor DI100N10PQ 1.5648
RFQ
ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-di100n10pqtr 8541.21.0000 5,000 n 채널 100 v 100A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 30 v - 250W (TC)
DI080N03PQ Diotec Semiconductor DI080N03PQ 0.9919
RFQ
ECAD 7910 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-QFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-DI080N03PQTR 8541.21.0000 5,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V 7460 pf @ 30 v - 78W (TC)
SIHU2N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHU2N80AE-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA sihu2 MOSFET (금속 (() TO-251AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHU2N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 2.9A (TC) 10V 2.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 180 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SQJA66EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja66ep-t1_ge3 1.4400
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA66 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 3MOHM @ 10A, 10V 3.3V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v 기준 68W (TC)
SQJ138EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj138ep-t1_ge3 1.6400
RFQ
ECAD 1233 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ138 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj138ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 330A (TC) 10V 1.8mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 4715 pf @ 25 v - 312W (TC)
PCF6294W onsemi PCF6294W -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모 쓸모 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-PCF6294W 쓸모없는 1 13A (TJ)
IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R115CFD7AXKSA1 6.6600
RFQ
ECAD 6446 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R115 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 115mohm @ 9.7a, 10V 4.5V @ 490µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 400 v - 114W (TC)
IPW65R075CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R075CFD7AXKSA1 11.0800
RFQ
ECAD 6714 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R075 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 32A (TC) 10V 75mohm @ 16.4a, 10V 4.5V @ 820µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3288 pf @ 400 v - 171W (TC)
IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPLK60R360PFD7ATMA1 1.6300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPLK60 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-52 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10V 4.5V @ 140µA 12.7 NC @ 10 v ± 20V 534 pf @ 400 v - 74W (TC)
PHB21N06LT,118 NXP USA Inc. PHB21N06LT, 118 0.3700
RFQ
ECAD 978 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 55 v 19A (TC) 5V, 10V 70mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 9.4 NC @ 5 v ± 15V 650 pf @ 25 v - 56W (TC)
AUIRFR8401TRL International Rectifier auirfr8401trl -
RFQ
ECAD 6221 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 4.25mohm @ 60a, 10V 3.9V @ 50µA 63 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 79W (TC)
BUK765R2-40B,118 NXP USA Inc. BUK765R2-40B, 118 0.7900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 379 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 3789 pf @ 25 v - 203W (TC)
FDH047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDH047AN08A0 1.0000
RFQ
ECAD 9498 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 15A (TC) 6V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 310W (TC)
IPA057N08N3G Infineon Technologies IPA057N08N3G -
RFQ
ECAD 7088 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 80 v 60A (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 60a, 10V 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 40 v - 39W (TC)
BUK7606-55B,118 NXP USA Inc. BUK7606-55B, 118 -
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 64 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 254W (TC)
FDB9409-F085 Fairchild Semiconductor FDB9409-F085 1.0000
RFQ
ECAD 2313 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 94W (TJ)
BSS7728NH6327 Infineon Technologies BSS7728NH6327 -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.3V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 56 pf @ 25 v - 360MW (TA)
BSS84AKM,315 NXP USA Inc. BSS84AKM, 315 -
RFQ
ECAD 1687 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 50 v 230MA (TA) 10V 7.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 340MW (TA), 2.7W (TC)
PSMN041-80YL115 NXP USA Inc. PSMN041-80YL15 1.0000
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
SPB07N60C3 Infineon Technologies SPB07N60C3 -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 83W (TC)
AUIRFS3107-7P International Rectifier AUIRFS3107-7p 1.0000
RFQ
ECAD 6024 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 240A (TC) 10V 2.6mohm @ 160a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 9200 pf @ 50 v - 370W (TC)
IPA60R125P6 Infineon Technologies IPA60R125P6 1.0000
RFQ
ECAD 9832 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 125mohm @ 11.6a, 10V 4.5V @ 960µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRF6775MTRPBF International Rectifier IRF6775MTRPBF 1.2100
RFQ
ECAD 597 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mz 다운로드 귀 99 8541.29.0095 249 n 채널 150 v 4.9A (TA), 28A (TC) 10V 56MOHM @ 5.6A, 10V 5V @ 100µa 36 nc @ 10 v ± 20V 1411 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
ECH8619-TL-E Sanyo ech8619-tl-e 0.4100
RFQ
ECAD 1693 0.00000000 Sanyo - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8619 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 - 0000.00.0000 108 n 및 p 채널 60V 3A, 2A 93mohm @ 1.5a, 10V - 12.8NC @ 10V 560pf @ 20V 논리 논리 게이트
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor HUF75842P3 -
RFQ
ECAD 1670 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 42MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 230W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고