전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | IRFR9220TRPBF-BE3 | 1.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 200 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||
![]() | DMP21D0UT-7 | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMP21 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 590MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 495mohm @ 400ma, 4.5v | 700mv @ 250µa (타이핑) | 1.54 NC @ 8 v | ± 8V | 80 pf @ 10 v | - | 240MW (TA) | ||||||||||||
![]() | BF1108/L, 215 | - | ![]() | 7749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 3 v | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BF110 | - | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934061588215 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | n 채널 | 10MA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | blp10h6120py | - | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 110 v | SOT-1223-2 | BLP10 | 1GHz | LDMOS | 4-HSOPF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 934960006518 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 1.4µA | 80 MA | 120W | 18db | - | 50 v | |||||||||||||||||
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![]() | SI4204DY-T1-GE3 | 1.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4204 | MOSFET (금속 (() | 3.25W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 19.8a | 4.6mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 45NC @ 10V | 2110pf @ 10V | - | |||||||||||||||
![]() | RM3139K | 0.0360 | ![]() | 2553 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | MOSFET (금속 (() | SOT-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM3139KTR | 8541.10.0080 | 80,000 | p 채널 | 20 v | 660MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 520mohm @ 1a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | ± 12V | 170 pf @ 16 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | AON7528 | 0.9000 | ![]() | 196 년 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon75 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 45A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2895 pf @ 15 v | - | 6.2W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||
![]() | blc9g20ls-150pvy | - | ![]() | 5892 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | blc9 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 934960016518 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD16AN08A0_NF054 | 1.0000 | ![]() | 3965 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 9A (TA), 50A (TC) | 6V, 10V | 16mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 1874 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FCH104N60 | 1.0000 | ![]() | 7227 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Superfet® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH104 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 600 v | 37A (TC) | 10V | 104mohm @ 18.5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 4165 pf @ 380 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||
![]() | SI6423DQ-T1-GE3 | 1.7700 | ![]() | 191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6423 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 9.5a, 4.5v | 800MV @ 400µA | 110 NC @ 5 v | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||||||||||
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![]() | PMPB13XNE, 115 | 0.1100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | PMPB13 | MOSFET (금속 (() | DFN1010B-6 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,876 | n 채널 | 30 v | 8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 16mohm @ 8a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2195 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||||
IXFA24N60X | 4.5712 | ![]() | 1850 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA24 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 24A (TC) | 10V | 175mohm @ 12a, 10V | 4.5V @ 2.5MA | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 1910 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | |||||||||||||
![]() | TSM4N80CZ C0G | - | ![]() | 3483 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TSM4N80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 800 v | 4A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 955 pf @ 25 v | - | 38.7W (TC) | ||||||||||||
![]() | NVMFS5C456NLWFT1G | - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||
![]() | FDMS7606 | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powerwdfn | FDMS76 | MOSFET (금속 (() | 1W | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 11.5A, 12A | 11.4mohm @ 11.5a, 10V | 3V @ 250µA | 22NC @ 10V | 1400pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | IPB80N04S3-04 | 1.4200 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 225 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.1mohm @ 80a, 10V | 4V @ 90µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 5200 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||||||||||||
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![]() | NP179N055TUK-E1-ay | 6.8900 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 자동차, AEC-Q101 | 쟁반 | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 180A (TC) | 10V | 1.75mohm @ 90a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 13950 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 288W (TC) | |||||||||||||
![]() | PSMB050N10NS2_R2_00601 | 2.5300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PSMB050N10 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 120A (TJ) | 6V, 10V | 5mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 270µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 3910 pf @ 50 v | - | 138W (TC) | ||||||||||||
![]() | SI7888DP-T1-E3 | - | ![]() | 7782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7888 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9.4A (TA) | 4.5V, 10V | 12.4A, 10V | 2V @ 250µA | 10.5 nc @ 5 v | ± 12V | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||
![]() | phu101nq03lt, 127 | - | ![]() | 8691 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | PHU10 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 5.5mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 1mA | 23 nc @ 5 v | ± 20V | 2180 pf @ 25 v | - | 166W (TC) | ||||||||||||
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SAV-581+ | 16.0200 | ![]() | 132 | 0.00000000 | 미니 미니 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 5 v | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | 45MHz ~ 6GHz | e-pemt | MMM1362 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,000 | - | 30 MA | 20.5dBm | 22.3db | 1.5dB | 3 v | |||||||||||||||||||
![]() | IRFS7530-7PPBF | - | ![]() | 9100 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565236 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 354 NC @ 10 v | ± 20V | 12960 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||
![]() | fdn304p | - | ![]() | 6522 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 20 v | 2.4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 52mohm @ 2.4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1312 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2N7002DWKX-7 | - | ![]() | 7686 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 2N7002 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N7002DWKX-7DI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPF04N03LA | - | ![]() | 9074 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPF04N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 50a, 10V | 2V @ 30µA | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5199 pf @ 15 v | - | 115W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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