SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IRFR9220TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9220TRPBF-BE3 1.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9220 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated DMP21D0UT-7 0.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMP21 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 590MA (TA) 1.8V, 4.5V 495mohm @ 400ma, 4.5v 700mv @ 250µa (타이핑) 1.54 NC @ 8 v ± 8V 80 pf @ 10 v - 240MW (TA)
BF1108/L,215 NXP USA Inc. BF1108/L, 215 -
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 3 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BF110 - MOSFET SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061588215 귀 99 8541.29.0075 3,000 n 채널 10MA - - -
BLP10H6120PY Ampleon USA Inc. blp10h6120py -
RFQ
ECAD 6694 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v SOT-1223-2 BLP10 1GHz LDMOS 4-HSOPF 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 934960006518 귀 99 8541.29.0075 100 1.4µA 80 MA 120W 18db - 50 v
IXFD26N60Q-8XQ IXYS IXFD26N60Q-8XQ -
RFQ
ECAD 2122 0.00000000 ixys - 대부분 쓸모없는 IXFD26N60Q - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
SI4204DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4204DY-T1-GE3 1.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4204 MOSFET (금속 (() 3.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 19.8a 4.6mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 45NC @ 10V 2110pf @ 10V -
RM3139K Rectron USA RM3139K 0.0360
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3139KTR 8541.10.0080 80,000 p 채널 20 v 660MA (TA) 1.8V, 4.5V 520mohm @ 1a, 4.5v 1.1V @ 250µA ± 12V 170 pf @ 16 v - 150MW (TA)
AON7528 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7528 0.9000
RFQ
ECAD 196 년 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Aon75 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 45A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2895 pf @ 15 v - 6.2W (TA), 83W (TC)
BLC9G20LS-150PVY Ampleon USA Inc. blc9g20ls-150pvy -
RFQ
ECAD 5892 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - blc9 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 934960016518 쓸모없는 0000.00.0000 100
FDD16AN08A0_NF054 Fairchild Semiconductor FDD16AN08A0_NF054 1.0000
RFQ
ECAD 3965 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 1874 pf @ 25 v - 135W (TC)
FCH104N60 Fairchild Semiconductor FCH104N60 1.0000
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH104 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 4165 pf @ 380 v - 357W (TC)
SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 191 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6423 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 9.5a, 4.5v 800MV @ 400µA 110 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
STB30N80K5 STMicroelectronics STB30N80K5 7.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 24A (TC) 10V 180mohm @ 12a, 10V 5V @ 100µa 43 NC @ 10 v ± 30V 1530 pf @ 100 v - 250W (TC)
PMPB13XNE,115 NXP USA Inc. PMPB13XNE, 115 0.1100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMPB13 MOSFET (금속 (() DFN1010B-6 다운로드 귀 99 8541.29.0095 2,876 n 채널 30 v 8A (TA) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 8a, 4.5v 900MV @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 12V 2195 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
IXFA24N60X IXYS IXFA24N60X 4.5712
RFQ
ECAD 1850 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA24 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 175mohm @ 12a, 10V 4.5V @ 2.5MA 47 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 400W (TC)
TSM4N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CZ C0G -
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM4N80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 3ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 955 pf @ 25 v - 38.7W (TC)
NVMFS5C456NLWFT1G onsemi NVMFS5C456NLWFT1G -
RFQ
ECAD 6161 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 87A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 55W (TC)
FDMS7606 Fairchild Semiconductor FDMS7606 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-powerwdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 11.5A, 12A 11.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 22NC @ 10V 1400pf @ 15V 논리 논리 게이트
IPB80N04S3-04 Infineon Technologies IPB80N04S3-04 1.4200
RFQ
ECAD 225 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA MOSFET (금속 (() PG-to263-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 225 n 채널 40 v 80A (TC) 4.1mohm @ 80a, 10V 4V @ 90µA 80 nc @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 136W (TC)
IXFH150N30X3 IXYS IXFH150N30X3 20.3100
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH150 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 150A (TC) 10V 8.3mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 4mA 177 NC @ 10 v ± 20V 13100 pf @ 25 v - 890W (TC)
NP179N055TUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP179N055TUK-E1-ay 6.8900
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 쟁반 활동적인 175 ° C 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 180A (TC) 10V 1.75mohm @ 90a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 13950 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 288W (TC)
PSMB050N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. PSMB050N10NS2_R2_00601 2.5300
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMB050N10 MOSFET (금속 (() TO-263 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TJ) 6V, 10V 5mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 270µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3910 pf @ 50 v - 138W (TC)
SI7888DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7888DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7782 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7888 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 12.4A, 10V 2V @ 250µA 10.5 nc @ 5 v ± 12V - 1.8W (TA)
PHU101NQ03LT,127 NXP USA Inc. phu101nq03lt, 127 -
RFQ
ECAD 8691 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PHU10 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 75A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 23 nc @ 5 v ± 20V 2180 pf @ 25 v - 166W (TC)
FDS4141-F085 onsemi FDS4141-F085 -
RFQ
ECAD 5586 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS41 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 10.8A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10.5a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2005 pf @ 20 v - 1.6W (TA)
SAV-581+ Mini-Circuits SAV-581+ 16.0200
RFQ
ECAD 132 0.00000000 미니 미니 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 5 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 45MHz ~ 6GHz e-pemt MMM1362 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 1,000 - 30 MA 20.5dBm 22.3db 1.5dB 3 v
IRFS7530-7PPBF Infineon Technologies IRFS7530-7PPBF -
RFQ
ECAD 9100 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565236 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 240A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 354 NC @ 10 v ± 20V 12960 pf @ 25 v - 375W (TC)
FDN304P Fairchild Semiconductor fdn304p -
RFQ
ECAD 6522 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 0000.00.0000 1 p 채널 20 v 2.4A (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 8V 1312 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2N7002DWKX-7 Diodes Incorporated 2N7002DWKX-7 -
RFQ
ECAD 7686 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 2N7002 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N7002DWKX-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 -
IPF04N03LA Infineon Technologies IPF04N03LA -
RFQ
ECAD 9074 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPF04N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 50a, 10V 2V @ 30µA 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고