SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NTD5862NT4G onsemi NTD5862NT4G 1.7500
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD5862 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 98A (TC) 10V 5.7mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRLL014NPBF Infineon Technologies irll014npbf -
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550472 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 2A (TA) 4V, 10V 140mohm @ 2a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 16V 230 pf @ 25 v - 1W (TA)
AO3423A UMW AO3423A 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 음 음 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 12V 325 pf @ 4.5 v - 1.4W (TA)
IPW60R099ZH Infineon Technologies IPW60R099ZH 2.5800
RFQ
 ECAD 8493 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 - 2156-IPW60R099ZH 101
IRF9956TRPBF Infineon Technologies IRF9956TRPBF 0.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF995 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDS8926A onsemi FDS8926A -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A 30mohm @ 5.5a, 4.5v 1V @ 250µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDMD82100L onsemi FDMD82100L 2.3700
RFQ
 ECAD 684 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-powerwdfn FDMD82 MOSFET (금속 (() 1W 12-power3.3x5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 7a 19.5mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1585pf @ 50V 논리 논리 게이트
AO3406L_106 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3406L_106 -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.6a, 10V 3V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 375 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
SP8M6TB Rohm Semiconductor SP8M6TB -
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M6 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 3.5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF7504TR Infineon Technologies irf7504tr -
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7504 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.7a 270mohm @ 1.2a, 4.5v 700MV @ 250µA 8.2NC @ 4.5V 240pf @ 15V 논리 논리 게이트
US5K3TR Rohm Semiconductor US5K3TR -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Rohm 반도체 * 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 US5K3 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 US5K3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 -
IRF7509TR Infineon Technologies irf7509tr -
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7509 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 2.7a, 2a 110mohm @ 1.4a, 10V 1V @ 250µA 12NC @ 10V 210pf @ 25V 논리 논리 게이트
ZXMC3A17DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8TC -
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMC3 MOSFET (금속 (() 1.25W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 4.1a, 3.4a 50mohm @ 7.8a, 10V 1V @ 250µA (Min) 12.2NC @ 10V 600pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRF7555TRPBF Infineon Technologies IRF7555TRPBF -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7555 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 55mohm @ 4.3a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15NC @ 5V 1066pf @ 10v 논리 논리 게이트
NTB22N06T4 onsemi NTB22N06T4 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB22 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 22A (TA) 10V 60mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 60W (TJ)
IRF5810 Infineon Technologies IRF5810 -
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 IRF58 MOSFET (금속 (() 960MW 6TSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 100 2 p 채널 (채널) 20V 2.9A 90mohm @ 2.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 9.6NC @ 4.5V 650pf @ 16V 논리 논리 게이트
IRF7311TR Infineon Technologies irf7311tr -
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001562178 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 29mohm @ 6a, 4.5v 700MV @ 250µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFH7185TRPBF Infineon Technologies IRFH7185TRPBF -
RFQ
 ECAD 4201 0.00000000 인피온 인피온 Fastirfet ™, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH7185 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 19A (TA) 10V 5.2MOHM @ 50A, 10V 3.6V @ 150µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 160W (TC)
NTQD6866R2G onsemi NTQD6866R2G -
RFQ
 ECAD 8325 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD68 MOSFET (금속 (() 940MW 8-tssop 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.7a 32mohm @ 6.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 22NC @ 4.5V 1400pf @ 16v 논리 논리 게이트
DMN601DMK-7 Diodes Incorporated DMN601DMK-7 0.4100
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMN601 MOSFET (금속 (() 700MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 510ma 2.4ohm @ 200ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.304NC @ 4.5V 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRLR7807ZPBF Infineon Technologies IRLR7807ZPBF -
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001553220 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 43A (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10V 2.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 780 pf @ 15 v - 40W (TC)
SP8J5TB Rohm Semiconductor SP8J5TB 1.5669
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J5 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7a 28mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 25NC @ 5V 2600pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF740STRLPBF Vishay Siliconix IRF740STRLPBF 2.8000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRF3707ZCSTRRP Infineon Technologies IRF3707ZCSTRRP -
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 25µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 57W (TC)
IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPU60R1K0CEAKMA1 -
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU60R MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001369532 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 600 v 4.3A (TC) 1ohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v 280 pf @ 100 v -
NVMFS6B05NLT3G onsemi NVMFS6B05NLT3G -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 114A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 16V 3980 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 165W (TC)
CPH6341-TL-E onsemi CPH6341-TL-E -
RFQ
 ECAD 5608 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CPH634 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 59mohm @ 3a, 10V - 10 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
IRL1104SPBF Infineon Technologies IRL1104SPBF -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 104A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10V 1V @ 250µA 68 NC @ 4.5 v ± 16V 3445 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 167W (TC)
FDI150N10 onsemi FDI150N10 2.9800
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FDI150 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 57A (TC) 10V 16mohm @ 49a, 10V 4.5V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 4760 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRL3103L Infineon Technologies irl3103L -
RFQ
 ECAD 5856 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3103L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 16V 1650 pf @ 25 v - 94W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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