SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈
NTNS3A92PZT5G onsemi NTNS3A92PZT5G 0.3434
RFQ
ECAD 2839 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - NTNS3 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8,000 - - - - - -
BSS83,235 NXP USA Inc. BSS83,235 -
RFQ
ECAD 8312 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 10 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BSS8 - MOSFET SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933418060235 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50ma - - -
IXTP152N085T IXYS IXTP152N085T -
RFQ
ECAD 2233 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP152 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 152A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 25 v - 360W (TC)
NDS331N_D87Z onsemi NDS331N_D87Z -
RFQ
ECAD 2643 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NDS331 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.7V, 4.5V 160mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 8V 162 pf @ 10 v - 500MW (TA)
AUIRLU3114Z Infineon Technologies auirlu3114z -
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA auirlu3114 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516750 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
FQD2N50TF onsemi FQD2N50TF -
RFQ
ECAD 5719 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 1.6A (TC) 10V 5.3ohm @ 800ma, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
FDD068AN03L onsemi FDD068AN03L -
RFQ
ECAD 8564 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD068 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 80W (TC)
AON6426 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6426 -
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON642 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 14A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 2W (TA), 42W (TC)
NTB6410ANT4G onsemi NTB6410ANT4G 3.1200
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB6410 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 76A (TC) 10V 13mohm @ 76a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 188W (TC)
IRF6618TRPBF Infineon Technologies irf6618trpbf -
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt IRF6618 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 30A (TA), 170A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.35V @ 250µA 65 NC @ 4.5 v ± 20V 5640 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRFS4610PBF Infineon Technologies IRFS4610PBF -
RFQ
ECAD 2252 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC420SA10 23.7600
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 FC420 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 100 v 435A (TC) 10V 2.15mohm @ 200a, 10V 3.8V @ 750µA 375 NC @ 10 v ± 20V 17300 pf @ 25 v - 652W (TC)
IPU04N03LA G Infineon Technologies IPU04N03LA g -
RFQ
ECAD 2858 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU04N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µa 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
NDT3055L onsemi NDT3055L 0.8900
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NDT3055 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 4A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 4a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 345 pf @ 25 v - 3W (TA)
AON6403L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6403L -
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON640 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 21A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 196 NC @ 10 v ± 20V 9120 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 83W (TC)
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4634DY-T1-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 3654 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4634 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 24.5A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
IRLZ14SPBF Vishay Siliconix IRLZ14SPBF 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
STSJ60NH3LL STMicroelectronics stsj60nh3ll 2.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 STSJ60 MOSFET (금속 (() 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 7.5a, 10V 1V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 16V 1810 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
PMCXB900UEL/S500Z Nexperia USA Inc. PMCXB900UUL/S500Z 0.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 MOSFET (금속 (() 265MW (TA), 4.03W (TC) DFN1010B-6 - 2156-PMCXB900UUL/S500Z 4,300 n 보완 p 채널 및 20V 600ma (TA), 500ma (TA) 620mohm @ 600ma, 4.5v, 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 0.95V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10v, 43pf @ 10v 기준
IRF1405STRRPBF Infineon Technologies IRF1405STPBF -
RFQ
ECAD 9342 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1405 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 131A (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 5480 pf @ 25 v - 200W (TC)
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage tk2r4e08qm, s1x 3.1800
RFQ
ECAD 196 년 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2.44mohm @ 50a, 10V 3.5v @ 2.2ma 178 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 40 v - 300W (TC)
IRL540SPBF Vishay Siliconix IRL540SPBF 2.7000
RFQ
ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL540SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
NTD95N02R-1G onsemi NTD95N02R-1g -
RFQ
ECAD 7236 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD95 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 24 v 12A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 86W (TC)
FQI4N20TU Fairchild Semiconductor fqi4n20tu 0.3100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 220 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 45W (TC)
STH110N10F7-2 STMicroelectronics STH110N10F7-2 3.5100
RFQ
ECAD 90 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH110 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 110A (TC) 10V 6.5mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 5117 pf @ 50 v - 150W (TC)
IRF730PBF Vishay Siliconix IRF730PBF 1.5700
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF730PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 74W (TC)
IPD26DP06NMSAUMA1 Infineon Technologies IPD26DP06NMSAUMA1 -
RFQ
ECAD 6506 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD26DP06 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP004987236 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v - - - - - - -
TPCC8001-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8001-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8001 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
SK8603150L Panasonic Electronic Components SK8603150L 1.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 MOSFET (금속 (() HSO8-F4-B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 26A (TA), 89A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 4.38ma 28 NC @ 4.5 v ± 20V 5180 pf @ 10 v - 2.9W (TA), 34W (TC)
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated zxm61p03fta 0.4100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXM61P03 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.1A (TA) 4.5V, 10V 350mohm @ 600ma, 10V 1V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 625MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고