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Fets, Mosfets (55612)
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| FDD2570 | - | | 5238 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD257 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 4.7A (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 1907 pf @ 75 v | - | 3.2W (TA), 70W (TC) | |||||||||||||
 | G450N10D52 | 0.8700 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | G450 | 80W (TC) | 8-DFN (4.9x5.75) | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 100V | 35A (TC) | 45mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 2196pf @ 50V | 기준 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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