SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
VMM650-01F IXYS VMM650-01F -
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y3-LI vmm650 MOSFET (금속 (() - Y3-LI 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 2 n 채널 (채널) 100V 680A 2.2MOHM @ 500A, 10V 4V @ 30MA 1440NC @ 10V - -
IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPLK60R600PFD7ATMA1 1.5500
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPLK60 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-52 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4.5V @ 80µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 344 pf @ 400 v - 45W (TC)
IRF9530STRRPBF Vishay Siliconix IRF9530STRRPBF 1.5619
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219 0.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 278MW (TA) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 20V 540MA (TA) 600mohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 78pf @ 10V 기준
IRL3715ZLPBF Infineon Technologies IRL3715ZLPBF -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
IRF7404QTRPBF Infineon Technologies IRF7404QTRPBF -
RFQ
ECAD 4205 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 6.7A (TA) 40mohm @ 3.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 50 nc @ 4.5 v 1500 pf @ 15 v -
PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS, 118 3.4700
RFQ
ECAD 869 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN1R1 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 136 NC @ 10 v ± 20V 9710 pf @ 20 v - 306W (TC)
BLF7G24L-140,118 Ampleon USA Inc. BLF7G24L-140,118 -
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502A BLF7G24 2.3GHz ~ 2.4GHz LDMOS SOT502A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064993118 귀 99 8541.29.0075 100 28a 1.3 a 30W 18.5dB - 28 v
UF28150J MACOM Technology Solutions UF28150J 484.8750
RFQ
ECAD 2218 0.00000000 Macom 기술 솔루션 - 쟁반 활동적인 65 v - UF28150 100MHz ~ 500MHz MOSFET - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1465-1210 귀 99 8541.29.0075 10 2 n 채널 (채널) 16A 400 MA 150W 8db - 28 v
DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated DMN2019UTS-13 0.4000
RFQ
ECAD 35 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DMN2019 MOSFET (금속 (() 780MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 5.4A 18.5mohm @ 7a, 10V 950MV @ 250µA 8.8nc @ 4.5v 143pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMP2021UTSQ-13 Diodes Incorporated DMP2021UTSQ-13 0.3616
RFQ
ECAD 7771 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DMP2021 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 7.4A (TA), 18A (TC) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 59 NC @ 8 v ± 10V 2760 pf @ 15 v - 1.3W (TA)
DMP2075UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2075UFDB-13 0.1114
RFQ
ECAD 6550 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2075 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.8A (TA) 75mohm @ 2.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v 642pf @ 10V -
IRF9Z34STRL Vishay Siliconix irf9z34strl -
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated zxmn2a14fta 0.5800
RFQ
ECAD 23 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN2 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.4A (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 3.4a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 6.6 NC @ 4.5 v ± 12V 544 pf @ 10 v - 1W (TA)
NTMFS5C410NT1G onsemi ntmfs5c410nt1g 6.0700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 46A (TA), 300A (TC) 10V 0.92mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 166W (TC)
BUK7K6R8-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E, 115 1.7300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk7k6 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 40a 6.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 28.9NC @ 10V 1947pf @ 25v -
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ65R019C7XKSA1 26.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZ65R019 MOSFET (금속 (() PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 75A (TC) 10V 19mohm @ 58.3a, 10V 4V @ 2.92ma 215 NC @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 400 v - 446W (TC)
DMN3060LVT-13 Diodes Incorporated DMN3060LVT-13 0.1185
RFQ
ECAD 2921 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN3060 MOSFET (금속 (() 830MW TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3060LVT-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.6A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250µA 11.3NC @ 10V 395pf @ 15V -
FDJ1028N onsemi FDJ1028N -
RFQ
ECAD 9473 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75-6 FLMP FDJ1028 MOSFET (금속 (() 1.5W SC75-6 FLMP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 3.2A 90mohm @ 3.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 200pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7110DN-T1-E3 1.8500
RFQ
ECAD 8508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7110 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 21.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5L120ATMA1 0.6886
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 46A (TJ) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 27µa @ 2.2v 22.6 NC @ 10 v ± 20V 1589 pf @ 50 v - 62W (TC)
MMRF1008HSR5 NXP USA Inc. MMRF1008HSR5 -
RFQ
ECAD 7453 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 100 v 섀시 섀시 NI-780S MMRF1 1.03GHz LDMOS NI-780S - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935311734178 귀 99 8541.29.0075 50 - 100 MA 275W 20.3db - 50 v
AON6260L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6260L -
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - Aon62 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
SPP47N10 Infineon Technologies spp47n10 -
RFQ
ECAD 7807 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp47n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000012415 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2MA 105 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 175W (TC)
HUFA76629D3ST onsemi hufa76629d3st -
RFQ
ECAD 6444 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 20A (TC) 4.5V, 10V 52MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 16V 1285 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFP450LC Vishay Siliconix IRFP450LC -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP450 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP450LC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRF734PBF Vishay Siliconix IRF734PBF -
RFQ
ECAD 7243 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF734 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF734PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 4.9A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024ntrpbf 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL024 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 2.8A (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies irlhs6242trpbf 0.6300
RFQ
ECAD 149 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervdfn IRLHS6242 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 10A (TA), 12A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 8.5a, 4.5v 1.1V @ 10µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V 1110 pf @ 10 v - 1.98W (TA), 9.6W (TC)
RJK0225DNS-00#J5 Renesas RJK0225DNS-00#J5 -
RFQ
ECAD 9419 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-HVSON (3x3.3) - 2156-RJK0225DNS-00#J5 1 n 채널 25 v 30A (TA) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 8.5 NC @ 4.5 v +16V, -12V 2310 pf @ 10 v - 30W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고