SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IRFR9014NTR Vishay Siliconix irfr9014ntr -
RFQ
ECAD 1970 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
BS170G onsemi BS170G -
RFQ
ECAD 9741 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BS170 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 350MW (TA)
IXFH72N30X3 IXYS IXFH72N30X3 12.3900
RFQ
ECAD 114 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH72 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 72A (TC) 10V 19mohm @ 36a, 10V 4.5V @ 1.5MA 82 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 390W (TC)
DMN2710UDW-7 Diodes Incorporated DMN2710UDW-7 0.0678
RFQ
ECAD 1250 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN2710 MOSFET (금속 (() 360MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmn2710udw-7tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 800MA (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V -
ATP214-TL-H onsemi ATP214-TL-H -
RFQ
ECAD 5089 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP214 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 75A (TA) 4V, 10V 8.1mohm @ 38a, 10V - 96 NC @ 10 v ± 20V 4850 pf @ 20 v - 60W (TC)
BLP9H10S-850AVTZ Ampleon USA Inc. BLP9H10S-850AVTZ 77.2960
RFQ
ECAD 8280 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 활동적인 105 v 표면 표면 OMP-1230-6F-1 blp9 617MHz ~ 960MHz ldmos ((), 공통 소스 OMP-1230-6F-1 - Rohs3 준수 1603-BLP9H10S-850AVTZ 60 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 2.8µA 1.4 a 850W 17.8dB - 50 v
IRLS3036PBF International Rectifier IRLS3036PBF -
RFQ
ECAD 4499 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 48 n 채널 60 v 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 11210 pf @ 50 v - 380W (TC)
FDD6680 onsemi FDD6680 -
RFQ
ECAD 7368 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD668 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.3W (TA), 56W (TC)
PMPB50ENEX Nexperia USA Inc. PMPB50ENEX 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB50 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.9A (TA) 4.5V, 10V 43mohm @ 5.1a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 271 pf @ 15 v - 1.9MW (TA)
FQA90N15 Fairchild Semiconductor FQA90N15 -
RFQ
ECAD 2864 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 18mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 8700 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRF6215S Infineon Technologies IRF6215S -
RFQ
ECAD 7335 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
RRS075P03Z00TB1 Rohm Semiconductor RRS075P03Z00TB1 -
RFQ
ECAD 8989 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RRS075P03Z00TB1TR 쓸모없는 2,500 -
AUIRF3504-IR International Rectifier AUIRF3504-IR -
RFQ
ECAD 4759 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-AUIRF3504-IR 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 87A (TC) 9.2MOHM @ 52A, 10V 4V @ 100µa 54 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 25 v - 143W (TC)
FDD45AN06LA0 onsemi FDD45AN06LA0 -
RFQ
ECAD 9739 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 5.2A (TA), 25A (TC) 5V, 10V 36mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 5 v ± 20V 880 pf @ 25 v - 55W (TC)
MSC090SMA070SA Microchip Technology MSC090SMA070SA 6.4000
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA MSC090 sicfet ((카바이드) TO-268 - 영향을받지 영향을받지 150-MSC090SMA070SA 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 25A (TC) 20V 115mohm @ 15a, 20V 2.4V @ 750µA 38 NC @ 20 v +23V, -10V 785 pf @ 700 v - 91W (TC)
NVMFD5483NLWFT1G onsemi NVMFD5483NLWFT1G -
RFQ
ECAD 3075 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5483 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 6.4a 36mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 23.4NC @ 10V 668pf @ 25v 논리 논리 게이트
DMN2028UVT-7 Diodes Incorporated DMN2028UVT-7 0.4100
RFQ
ECAD 1569 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN2028 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.2A (TA) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 6.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8.3 NC @ 4.5 v ± 8V 856 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
NTR4502PT1G onsemi ntr4502pt1g 0.4600
RFQ
ECAD 9956 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR4502 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.13A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.95a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 200 pf @ 15 v - 400MW (TJ)
DMN61D9UW-13 Diodes Incorporated DMN61D9UW-13 -
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN61 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN61D9UW-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.4 nc @ 4.5 v ± 20V 28.5 pf @ 30 v - 320MW (TA)
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies IAUC80N04S6L032ATMA1 1.0500
RFQ
ECAD 8277 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IAUC80 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.29mohm @ 40a, 10V 2V @ 18µA 25 nc @ 10 v ± 16V 1515 pf @ 25 v - 50W (TC)
IPB50CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPB50CN10NGATMA1 -
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 20A (TC) 10V 50mohm @ 20a, 10V 4V @ 20µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1090 pf @ 50 v - 44W (TC)
TSM60NB380CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CP 2.2100
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM60 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM60NB380CPTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 9.5A (TC) 10V 380mohm @ 2.85a, 10V 4V @ 250µA 19.4 NC @ 10 v ± 30V 795 pf @ 100 v - 83W (TC)
RSJ10HN06TL Rohm Semiconductor rsj10hn06tl -
RFQ
ECAD 3100 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ10 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 100A (TA) 4V, 10V 4.2mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 202 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 10 v - 100W (TC)
IRFI840GLCPBF Vishay Siliconix IRFI840GLCPBF 2.9600
RFQ
ECAD 725 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI840 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI840GLCPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 850mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
TSM120N06LCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS 1.0840
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM120 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM120N06LCSTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 10A (TA), 23A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2193 pf @ 30 v - 2.2W (TA), 12.5W (TC)
IRLR3103TR Infineon Technologies IRLR3103TR -
RFQ
ECAD 2828 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10V 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 16V 1600 pf @ 25 v - 107W (TC)
DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated DMP2039UFDE4-7 0.5700
RFQ
ECAD 5893 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerxdfn DMP2039 MOSFET (금속 (() X2-DFN2020-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 25 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 6.4a, 4.5v 1V @ 250µA 28.2 NC @ 4.5 v ± 8V 2530 pf @ 15 v - 690MW (TA)
SH8K37GZETB Rohm Semiconductor SH8K37GZETB 1.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K37 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5.5A (TA) 46MOHM @ 5.5A, 10V 2.7V @ 100µA 9.7NC @ 10V 500pf @ 30V -
STP28N60DM2 STMicroelectronics STP28N60DM2 3.9000
RFQ
ECAD 1550 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP28 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16348-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10V 5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 170W (TC)
SI5485DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5485DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4626 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5485 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 5.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 42 NC @ 8 v ± 12V 1100 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고