전화 : +86-0755-83501315
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SH8K37GZETB | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SH8K37 | MOSFET (금속 (() | 1.4W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5.5A (TA) | 46MOHM @ 5.5A, 10V | 2.7V @ 100µA | 9.7NC @ 10V | 500pf @ 30V | - | |||||||||||||||
STP28N60DM2 | 3.9000 | ![]() | 1550 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP28 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16348-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 160mohm @ 10.5a, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 25V | 1500 pf @ 100 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||
![]() | SI5485DU-T1-GE3 | - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5485 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TC) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 5.9a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 42 NC @ 8 v | ± 12V | 1100 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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