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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD57070S-E | - |  | 6872 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 65 v | Powerso-10 0 바닥 패드 | PD57070 | 945MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 7a | 250 MA | 70W | 14.7dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | 2N7002H-7 | 0.2600 | | 5469 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 170ma (TA) | 5V | 7.5ohm @ 50ma, 5V | 3V @ 250µA | 0.35 nc @ 4.5 v | ± 20V | 26 pf @ 25 v | - | 370MW (TA) | ||||||||||||
 | FQP22P10 | - | | 9258 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP2 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 22A (TC) | 10V | 125mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1500 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||
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 | BSC074N15NS5ATMA1 | 5.2700 | | 4430 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | BSC074 | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 150 v | 114A (TC) | 8V, 10V | 7.4mohm @ 50a, 10V | 4.6V @ 136µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 75 v | - | 214W (TC) | ||||||||||||
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 | TSG65N195CE RVG | 10.8700 | | 7675 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | TSG65 | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V2150NBR5 | - | | 8123 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | TO-272BB | MRF6 | 220MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 MA | 150W | 25db | - | 50 v | |||||||||||||||||
 | IRFU5505 | - | | 9485 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 55 v | 18A (TC) | 10V | 110mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | |||||||||||||
| 2SK3466 (TE24L, Q) | - | | 2985 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-97 | 2SK3466 | MOSFET (금속 (() | 4-TFP (9.2x9.2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 500 v | 5A (TA) | 10V | 1.5ohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 780 pf @ 10 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||
 | let9060tr | - | | 7866 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 80 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) | let9060 | 960MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (형성) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 600 | 12a | 300 MA | 60W | 17.2db | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | irf7468tr | - | | 5124 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 9.4A (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 9.4a, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2460 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
 | GPIHV14DF | - | | 5412 | 0.00000000 | ganpower | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | Ganfet ((갈륨) | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 4025-gpihv14dftr | 3A001 | 8541.49.7000 | 1 | n 채널 | 1200 v | 14a | 6V | 1.7v @ 3.5ma | 4 nc @ 6 v | +7.5V, -12V | 60 pf @ 700 v | |||||||||||||||||
 | IXTH41N25 | - | | 5528 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH41 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 250 v | 41A (TC) | 10V | 72mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | RTE002P02TL | 0.1546 | | 6377 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RTE002 | MOSFET (금속 (() | EMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 200MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 1.5ohm @ 200ma, 4.5v | 2V @ 1mA | ± 12V | 50 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||||
| APTC60HM45SCTG | 210.6100 | | 2298 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 600V | 49a | 45mohm @ 22.5a, 10V | 3.9V @ 3MA | 150NC @ 10V | 7200pf @ 25v | 슈퍼 슈퍼 | ||||||||||||||
 | IRL1004LPBF | - | | 7060 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 78a, 10V | 1V @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5330 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||
 | SPW20N60C3FKSA1 | 6.6600 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW20N60 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 20.7A (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||
| HRF3205 | - | | 4245 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | HRF32 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | HRF3205-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 10V | 8mohm @ 59a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 175W (TC) | ||||||||||||
 | BSS159NL6327HTSA1 | - | | 9297 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 230MA (TA) | 0V, 10V | 3.5ohm @ 160ma, 10V | 2.4V @ 26µA | 2.9 NC @ 5 v | ± 20V | 44 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 360MW (TA) | ||||||||||||||
 | ixfn20n120p | 48.7600 | | 5311 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN20 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 1200 v | 20A (TC) | 10V | 570mohm @ 10a, 10V | 6.5V @ 1mA | 193 NC @ 10 v | ± 30V | 11100 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||||||||||||
| ART1K6FHSU | 209.3200 | | 53 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | 미술 | 쟁반 | 활동적인 | 177 v | 표면 표면 | SOT-539BN | 1MHz ~ 425MHz | LDMOS | SOT539BN | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | 1.2µA | 600 MA | 1600W | 28db | - | 65 v | ||||||||||||||||
| DMN31D6UT-13 | 0.0403 | | 4432 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMN31 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 350MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 1.5ohm @ 100ma, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 0.35 nc @ 4.5 v | ± 12V | 13.6 pf @ 15 v | - | 320MW | ||||||||||||
 | BUK7M17-80EX | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | BUK7M17 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 43A (TC) | 10V | 17mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 29.6 NC @ 10 v | ± 20V | 2031 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||
 | IXTF1R4N450 | 85.0500 | | 3328 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | i4 -pac ™ -5 (3 리드) | IXTF1 | MOSFET (금속 (() | Isoplus i4-Pac ™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -IXTF1R4N450 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 4500 v | 1.4A (TC) | 10V | 40ohm @ 50ma, 10V | 6V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||||||||||
 | FDMC4435BZ-F126 | - | | 9866 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | FDMC4435 | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8.5A (TA), 18A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.5a, 10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 25V | 2045 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 31W (TC) | ||||||||||||
 | MCAC10H045Y-TP | - | | 1854 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC10 | DFN5060 | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| DMP3028LFDEQ-7 | 0.1262 | | 8060 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerudfn | DMP3028 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (e 형 e) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP3028LFDEQ-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.8A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 7a, 10V | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1860 pf @ 15 v | - | 660MW (TA) | |||||||||||||
 | BF1102R, 115 | - | | 7124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 7 v | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF110 | 800MHz | MOSFET | 6-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 40ma | 15 MA | - | - | 2db | 5 v | |||||||||||||||
 | PTFA212001F/1 P4 | - | | 2032 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA212001 | 2.14GHz | LDMOS | H-37260-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.6 a | 50W | 15.8dB | - | 30 v |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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