전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STY130NF20D | - | ![]() | 2471 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STY130 | MOSFET (금속 (() | Max247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 130A (TC) | 10V | 12MOHM @ 65A, 10V | 4V @ 250µA | 338 NC @ 10 v | ± 20V | 11100 pf @ 25 v | - | 450W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRF540ZLPBF | 1.6000 | ![]() | 863 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF540 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||
![]() | RDN150N20FU6 | - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RDN150 | MOSFET (금속 (() | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 15A (TA) | 10V | 160mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 1MA | 64 NC @ 10 v | ± 30V | 1224 pf @ 10 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFS7430TRLPBF | 3.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS7430 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||
![]() | CSD19532Q5BT | 2.8200 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD19532 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 100 v | 100A (TA) | 6V, 10V | 4.9mohm @ 17a, 10V | 3.2V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 4810 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||
![]() | IXFK80N65X2 | 23.1100 | ![]() | 44 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK80 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 650 v | 80A (TC) | 10V | 40mohm @ 40a, 10V | 5.5V @ 4mA | 143 NC @ 10 v | ± 30V | 8245 pf @ 25 v | - | 890W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPW65R230CFD7AXKSA1 | 4.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 230mohm @ 5.2a, 10V | 4.5V @ 260µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1044 pf @ 400 v | - | 63W (TC) | |||||||||||||
![]() | FQP7N80 | 1.9400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 6.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 3.3a, 10V | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1850 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRF840LCSTRL | - | ![]() | 5066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||
![]() | BUK9637-100E, 118 | 1.0800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9637 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 31A (TC) | 5V, 10V | 36mohm @ 10a, 10V | 2.1v @ 1ma | 22.8 nc @ 5 v | ± 10V | 2681 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||
![]() | MTD6N20E1 | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP16NS25FP | - | ![]() | 5000 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP16N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 16A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 83 NC @ 10 v | ± 20V | 1270 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||
![]() | nttfs4c05ntag | 1.6000 | ![]() | 9561 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS4 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1988 pf @ 15 v | - | 820MW (TA), 33W (TC) | ||||||||||||
![]() | auxfn8403tr | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-tqfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001519874 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 95A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 50a, 10V | 3.9V @ 100µA | 98 NC @ 10 v | ± 20V | 3174 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||
![]() | SIHFL210TR-GE3 | 0.6700 | ![]() | 388 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHFL210TR-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||||||||||
![]() | EFC4626R-TR | 0.4000 | ![]() | 3591 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA | EFC4626 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | 4-bga (1x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | - | - | - | - | 7.5NC @ 4.5V | - | 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브 | ||||||||||||||
![]() | STF11NM50N | 2.9700 | ![]() | 215 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF11 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8.5A (TC) | 10V | 470mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 25V | 547 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFP064PBF | 5.3400 | ![]() | 452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP064 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP064PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 60 v | 70A (TC) | 10V | 9mohm @ 78a, 10V | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 7400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
![]() | AON7784 | - | ![]() | 9254 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SRFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Aon77 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 31A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 2.1V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 12V | 4600 pf @ 15 v | Schottky Diode (Body) | 6.2W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||
![]() | STWA68N60M6 | 11.4800 | ![]() | 53 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA68 | MOSFET (금속 (() | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 63A (TC) | 10V | 41mohm @ 31.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 25V | 4360 pf @ 100 v | - | 390W (TC) | ||||||||||||
![]() | G2K8P15S | 0.2280 | ![]() | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | p 채널 | 150 v | 2.2A (TC) | 10V | 310mohm @ 500ma, 10V | 3.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 966 pf @ 75 v | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||
![]() | NVMFS4C308NWFT1G | 2.3421 | ![]() | 6094 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVMFS4C308NWFT1GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 17.2A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250µA | 18.2 NC @ 10 v | ± 20V | 1670 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 30.6W (TC) | ||||||||||||
![]() | AON3806 | - | ![]() | 2017 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON380 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 8-DFN (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 6A | 26mohm @ 6.8a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 500pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | IPL65R650C6SATMA1 | 0.8473 | ![]() | 2354 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPL65R650 | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 650 v | 6.7A (TC) | 10V | 650mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 210µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 56.8W (TC) | ||||||||||||
![]() | PD57070S-E | - | ![]() | 6872 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 65 v | Powerso-10 0 바닥 패드 | PD57070 | 945MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 7a | 250 MA | 70W | 14.7dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
![]() | DMC2025UFDB-13 | 0.1096 | ![]() | 8820 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMC2025 | MOSFET (금속 (() | 700MW (TA) | u-dfn2020-6 (유형 b) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 보완 p 채널 및 | 20V | 6A (TA), 3.5A (TA) | 25mohm @ 4a, 4.5v, 75mohm @ 2.9a, 4.5v | 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA | 12.3nc @ 10v, 15nc @ 8v | 486pf @ 10v, 642pf @ 10v | - | ||||||||||||||
![]() | AOTF10N62 | - | ![]() | 5940 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AOTF10 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF10N62TR | 쓸모없는 | 1,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SUD50N03-06AP-T4E3 | - | ![]() | 1942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 15 v | - | 10W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||
![]() | 5LN01C-TB-E | - | ![]() | 7723 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 5LN01 | MOSFET (금속 (() | SC-59-3/CP3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 100MA (TA) | 1.5V, 4V | 7.8ohm @ 50ma, 4v | - | 1.57 NC @ 10 v | ± 10V | 6.6 pf @ 10 v | - | 250MW (TA) | |||||||||||||
![]() | HUF75332P3 | 0.8900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 364 | n 채널 | 55 v | 60A (TC) | 10V | 19mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 145W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고