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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI840GPBF | 3.0000 |  | 729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI840 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI840GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 4.6A (TC) | 10V | 850mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||
 | BLP0427M9S20GZ | 21.4400 | | 2849 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | SOT-1483-1 | BLP0427 | 400MHz ~ 2.7GHz | LDMOS | SOT1483-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | 1.4µA | 100 MA | 20W | 19db | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | irlr8729trlpbf | - | | 4139 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR8729 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001552874 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 58A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 25µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1350 pf @ 15 v | - | 55W (TC) | |||||||||||
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 | IPG20N10S4L35ATMA1 | 1.3100 | | 46 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 43W | PG-TDSON-8-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 20A | 35mohm @ 17a, 10V | 2.1V @ 16µA | 17.4NC @ 10V | 1105pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
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 | MTM861240LBF | - | | 7501 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | WSSMINI6-F1 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 2A (TA) | 2.5V, 4V | 130mohm @ 1a, 4v | 1.3v @ 1ma | ± 10V | 400 pf @ 10 v | - | 540MW (TA) | |||||||||||||||
 | FDP8876 | - | | 1788 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 15 v | - | 70W (TC) | |||||||||||||||
 | 2SK2260-O-TD-E | 0.5500 | | 26 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IXTA08N100D2-TRL | 1.6414 | | 7820 | 0.00000000 | ixys | 고갈 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA08 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA08N100D2-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1000 v | 800ma (TJ) | 0V | 21ohm @ 400ma, 0v | 4V @ 25µA | 14.6 NC @ 5 v | ± 20V | 325 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 60W (TC) | ||||||||||||
 | IXTC220N055T | - | | 5698 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXTC220 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 130A (TC) | 10V | 4.4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 158 NC @ 10 v | ± 20V | 7200 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||
 | AOB11S60L | 1.4333 | | 4128 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB11 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 399mohm @ 3.8a, 10V | 4.1V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 545 pf @ 100 v | - | 178W (TC) | ||||||||||||
| MMRF1314H-1200 | 1.0000 | | 2907 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 105 v | 섀시 섀시 | SOT-979A | 1.2GHz ~ 1.4GHz | ldmos (() | NI-1230-4H | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 568-MMRF1314H-1200 | 1 | 2 n 채널 | 10µA | 100 MA | 1000W | 17.7dB | - | 52 v | ||||||||||||||||||
 | irlhs6376trpbf | 0.6700 | | 159 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | IRLHS6376 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 3.6a | 63mohm @ 3.4a, 4.5v | 1.1V @ 10µA | 2.8nc @ 4.5v | 270pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
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| AOB20C60PL | - | | 3053 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB20 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 260mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 3607 pf @ 100 v | - | 463W (TC) | ||||||||||||
 | MGSF1N02LT1 | - | | 5198 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MGSF1 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | mgsf1n02lt1oStr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 750MA (TA) | 4.5V, 10V | 90mohm @ 1.2a, 10V | 2.4V @ 250µA | ± 20V | 125 pf @ 5 v | - | 400MW (TA) | ||||||||||||
 | BUK7M6R3-40EX | 1.0400 | | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | buk7m6 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 70A (TC) | 10V | 6.3MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 1MA | 28.1 NC @ 10 v | ± 20V | 1912 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||
 | qs8k2tr | 0.9200 | | 4199 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | QS8K2 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | TSMT8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 3.5a | 54mohm @ 3.5a, 4.5v | 1.5V @ 1mA | 4.6NC @ 4.5V | 285pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | SIHP15N65E-GE3 | 3.3700 | | 4396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP15 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 1640 pf @ 100 v | - | 34W (TC) | |||||||||||||
 | FQB50N06TM | - | | 2763 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB50N06 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 25A, 25A, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 25V | 1540 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||
 | TSM2303CX RFG | - | | 9737 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2303 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.3A (TA) | 4.5V, 10V | 180mohm @ 1.3a, 10V | 3V @ 250µA | 3.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 565 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||
| BUK7M8R0-40EX | 0.9300 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | buk7m8 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 69A (TC) | 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 4V @ 1MA | 23.8 nc @ 10 v | ± 20V | 1567 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||
 | MTB30P06VT4 | - | | 5954 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MTB30 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 80mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 15V | 2190 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
 | NX3008NBKT, 115 | - | | 2280 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | NX30 | MOSFET (금속 (() | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 350MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.4ohm @ 350ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.68 nc @ 4.5 v | ± 8V | 50 pf @ 15 v | - | 250MW (TA), 770MW (TC) | ||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | - | | 4273 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 9400 pf @ 50 v | - | 340W (TC) | ||||||||||||||
 | IXFH40N50Q2 | - | | 7835 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH40 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 40A (TC) | 10V | 160mohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 4mA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 4850 pf @ 25 v | - | 560W (TC) | |||||||||||||
 | SI2301CDS-T1-E3 | 0.3900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2301 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.1A (TC) | 2.5V, 4.5V | 112mohm @ 2.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 405 pf @ 10 v | - | 860MW (TA), 1.6W (TC) | ||||||||||||
 | FDU8770 | - | | 4141 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | FDU87 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 25 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 73 NC @ 10 v | ± 20V | 3720 pf @ 13 v | - | 115W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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