전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD50R500CE | 0.3900 | ![]() | 116 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos CE ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-344 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 500 v | 7.6A (TC) | 13V | 500mohm @ 2.3a, 13v | 3.5V @ 200µA | 18.7 NC @ 10 v | ± 20V | 433 PF @ 100 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||
![]() | SI2102A-TP | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI2102 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-SI2102A-TPTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3A | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 3.6 NC @ 4.5 v | ± 10V | 220 pf @ 10 v | - | 200MW | ||||||||||
MRF7S16150HSR3 | - | ![]() | 5157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-780S | MRF7 | 1.6GHz ~ 1.66GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.5 a | 32W | 19.7dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | sir462dp-t1-ge3 | 1.1800 | ![]() | 2837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir462 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1155 pf @ 15 v | - | 4.8W (TA), 41.7W (TC) | ||||||||||||
![]() | SIHB33N60ET5-GE3 | 3.8346 | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB33 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 33A (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 3508 pf @ 100 v | - | 278W (TC) | |||||||||||||
![]() | TW027Z65C, S1F | 20.2700 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | TO-247-4L (X) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 58A (TC) | 18V | 38mohm @ 29a, 18V | 5V @ 3MA | 65 NC @ 18 v | +25V, -10V | 2288 pf @ 400 v | - | 156W (TC) | |||||||||||||
![]() | NDT451AN_J23Z | - | ![]() | 9021 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NDT451 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 7.2A (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 7.2a, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 720 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||
![]() | DMT32M4LFG-13 | 0.3870 | ![]() | 6197 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT32 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT32M4LFG-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 4366 pf @ 15 v | - | 1.1W | ||||||||||||
![]() | FQP9N08L | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 9.3A (TC) | 5V, 10V | 210mohm @ 4.65a, 10V | 5V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 20V | 280 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||
![]() | TSM480P06CH X0G | 2.1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | TSM480 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 8a, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 30 v | - | 66W (TC) | |||||||||||
![]() | MRF6V2300NBR5 | - | ![]() | 3717 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 110 v | 섀시 섀시 | TO-272BB | MRF6 | 220MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 MA | 300W | 25.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||
![]() | BSR802NL6327HTSA1 | 0.6300 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR802 | MOSFET (금속 (() | PG-SC59-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.7A (TA) | 1.8V, 2.5V | 23mohm @ 3.7a, 2.5v | 750MV @ 30µA | 4.7 NC @ 2.5 v | ± 8V | 1447 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | IXTH76N25T | 6.5700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH76 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 250 v | 76A (TC) | 10V | 39mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 1MA | 92 NC @ 10 v | ± 30V | 4500 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | |||||||||||
![]() | SI3477DV-T1-GE3 | 0.7500 | ![]() | 9052 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3477 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 17.5mohm @ 9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 10V | 2600 pf @ 6 v | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPB90N06S4L04ATMA1 | - | ![]() | 6655 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB90N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 90a, 10V | 2.2V @ 90µA | 170 nc @ 10 v | ± 16V | 13000 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||
![]() | blc9h10xs-606az | 112.6200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | * | 쟁반 | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-1250-4 | blc9 | SOT1250-4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STI6N90K5 | 2.4900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-262-3 2 팩 팩, i²pak | STI6 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17075 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 6A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 3a, 10V | 5V @ 100µa | ± 30V | - | 110W (TC) | ||||||||||||
![]() | CP775-CWDM3011P-WN | - | ![]() | 1859 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1514-cp775-cwdm3011p-wn | 쓸모없는 | 8,000 | p 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 11a, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 8 v | - | - | ||||||||||||
![]() | IPL60R180P6AUMA1 | 3.9900 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 22.4A (TC) | 10V | 180mohm @ 9a, 10V | 4.5V @ 750µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 2080 pf @ 100 v | - | 176W (TC) | |||||||||||
![]() | buk9e3r2-40e, 127 | - | ![]() | 8556 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | buk9 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 5V, 10V | 2.8mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 69.5 nc @ 5 v | ± 10V | 9150 pf @ 25 v | - | 234W (TC) | |||||||||||
![]() | MRF373R1 | 41.6000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-360 | 470MHz ~ 860MHz | n 채널 | NI-360 | - | 2156-MRF373R1 | 8 | n 채널 | 7a | 60W | 14.7dB | - | |||||||||||||||||||||
![]() | PMZ390Unyl | 0.4800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | PMZ390 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 900MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 470mohm @ 900ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.3 NC @ 4.5 v | ± 8V | 41 pf @ 15 v | - | 350MW (TA), 5.43W (TC) | |||||||||||
![]() | IRL3715ZS | - | ![]() | 2628 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3715ZS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 870 pf @ 10 v | - | 45W (TC) | |||||||||||
![]() | SI2331DS-T1-E3 | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2331 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 3.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 48mohm @ 3.6a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 8V | 780 pf @ 6 v | - | 710MW (TA) | |||||||||||
![]() | AoT296L | 1.0064 | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT296 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 9.5A (TA), 70A (TC) | 6V, 10V | 10MOHM @ 20A, 10V | 3.4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2785 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 107W (TC) | |||||||||||
![]() | SI7111EDN-T1-GE3 | 0.6300 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7111 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 60A (TC) | 2.5V, 4.5V | 8.55mohm @ 15a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 46 NC @ 2.5 v | ± 12V | 5860 pf @ 15 v | - | 52W (TC) | ||||||||||||
![]() | AONS62814T | 1.1110 | ![]() | 1693 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aons628 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aons62814ttr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 40A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 2.6MOHM @ 20A, 10V | 3.2V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4940 pf @ 40 v | - | 8.8W (TA), 258W (TC) | |||||||||||
![]() | 2SK0664G0L | - | ![]() | 5013 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-85 | MOSFET (금속 (() | smini3-f2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 100MA (TA) | 5V | 50ohm @ 20ma, 5V | 3.5V @ 100µA | 8V | 15 pf @ 5 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | let9060s | 56.8300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 80 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 직선 리드 리드) | let9060 | 960MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (직선 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 12a | 300 MA | 60W | 17.2db | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP61K25HSR5 | 227.0300 | ![]() | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 133 v | 섀시 섀시 | NI-1230-4S | mrfe6 | 230MHz | LDMOS | NI-1230-4S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 100 MA | 1250W | 24dB | - | 50 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고