전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF4905PBF | 2.8100 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF4905 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 55 v | 74A (TC) | 10V | 20mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||
![]() | auirfz24nstrr | - | ![]() | 8647 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BSZ130N03MSGATMA1 | 0.7800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ130 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
![]() | BUK7S1R2-40HJ | 3.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1235 | BUK7S1 | MOSFET (금속 (() | LFPAK88 (SOT1235) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 300A (TA) | 10V | 1.2MOHM @ 25A, 10V | 3.6v @ 1ma | 112 NC @ 10 v | +20V, -10V | 8420 pf @ 25 v | - | 294W (TA) | ||||||||||||
![]() | MGSF1N03LT1 | - | ![]() | 9118 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MGSF1 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.6A (TA) | 100mohm @ 1.2a, 10V | 2.4V @ 250µA | 140 pf @ 5 v | - | |||||||||||||||||
![]() | SPP80N06S2-08 | - | ![]() | 8591 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp80n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 25 v | - | 215W (TC) | ||||||||||||
![]() | IXTP20N65XM | 7.8840 | ![]() | 1018 | 0.00000000 | ixys | x. x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP20 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 9A (TC) | 10V | 210mohm @ 10a, 10V | 5.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1390 pf @ 25 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||
![]() | STU5N65M6 | 0.6486 | ![]() | 4198 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stu5n65 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 4A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2a, 10V | 3.75V @ 250µA | 5.1 NC @ 10 v | ± 25V | 170 pf @ 100 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
![]() | BLF4G10LS-160,112 | - | ![]() | 6550 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-502B | blf4 | 894.2MHz | LDMOS | SOT502B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 60 | 15a | 900 MA | 160W | 19.7dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | irfbe30strr | - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBE30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 800 v | 4.1A (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||
ZVN2120GTA | 0.8700 | ![]() | 4000 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | ZVN2120 | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 320MA (TA) | 10V | 10ohm @ 250ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 85 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
STP8NS25 | - | ![]() | 1903 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP8N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 51.8 NC @ 10 v | ± 20V | 770 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||
![]() | AOTF20S60_900 | - | ![]() | 6973 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | AOTF20 | MOSFET (금속 (() | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | STB160N75F3 | 5.7400 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB160 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 4mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 6750 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | ||||||||||||
![]() | IXFD80N20Q-8XQ | - | ![]() | 8583 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | - | 주사위 | IXFD80N20Q | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | zvn3306astob | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 270MA (TA) | 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 35 pf @ 18 v | - | 625MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | IPD06P004NATMA1 | - | ![]() | 9150 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD06P | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001727898 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 16.4A (TC) | 10V | 90mohm @ 16.4a, 10V | 4V @ 710µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 30 v | - | 63W (TC) | |||||||||||
![]() | FQP13N10 | - | ![]() | 9724 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP13 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 12.8A (TC) | 10V | 180mohm @ 6.4a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 25V | 450 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | ||||||||||||
![]() | BUK9620-100A, 118 | - | ![]() | 5477 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk96 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 63A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 6385 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||
NVMD6N04R2G | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NVMD6 | MOSFET (금속 (() | 1.29W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 4.6a | 34mohm @ 5.8a, 10V | 3V @ 250µA | 30NC @ 10V | 900pf @ 32v | - | |||||||||||||||
![]() | ntmfs5c410nt1g | 6.0700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 46A (TA), 300A (TC) | 10V | 0.92mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 25 v | - | 3.9W (TA), 166W (TC) | ||||||||||||
![]() | SPW17N80C3FKSA1 | 6.0500 | ![]() | 330 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW17N80 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10V | 3.9V @ 1mA | 177 NC @ 10 v | ± 20V | 2320 pf @ 25 v | - | 227W (TC) | ||||||||||||
![]() | MMRF1306HR5 | 197.1090 | ![]() | 6339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 133 v | 섀시 섀시 | SOT-979A | MMRF1306 | 230MHz | LDMOS | NI-1230-4H | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 100 MA | 1250W | 24dB | - | 50 v | |||||||||||||||
![]() | FDD6530A | - | ![]() | 8984 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD653 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 21A (TA) | 2.5V, 4.5V | 32mohm @ 8a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 9 NC @ 4.5 v | ± 8V | 710 pf @ 10 v | - | 3.3W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRF530SPBF | 1.7300 | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||||||||||
![]() | IPP100N04S204AKSA1 | - | ![]() | 3985 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP100N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 3.6mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 172 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
![]() | TPHR9003NL, L1Q | 2.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPHR9003 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 30a, 10V | 2.3v @ 1ma | 74 NC @ 10 v | ± 20V | 6900 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||
![]() | irf630nstrlpbf | 1.6400 | ![]() | 2675 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF630 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9.3A (TC) | 10V | 300mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 575 pf @ 25 v | - | 82W (TC) | ||||||||||||
![]() | SI3447BDV-T1-GE3 | - | ![]() | 5935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
NTBGS3D5N06C | 4.2800 | ![]() | 142 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 22A (TA), 127A (TC) | 10V, 12V | 3.7mohm @ 24a, 12v | 4V @ 122µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 2430 pf @ 30 v | - | 3.7W (TA), 115W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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