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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | 3SK255-T2-A | 1.8100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDR608EP-T1-RE3 | 2.6400 | ![]() | 3406 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIDR608EP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 45 v | 56A (TA), 228A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 167 NC @ 10 v | +20V, -16V | 8900 pf @ 20 v | - | 7.5W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||
STP24N60M2 | 2.8700 | ![]() | 990 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP24 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13556-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 190mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 25V | 1060 pf @ 100 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||
![]() | irfib5n65a | - | ![]() | 6693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfib5 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfib5n65a | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 5.1A (TC) | 10V | 930mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 1417 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||||||||
![]() | BUK7Y59-60E, 115 | - | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100TA35SCTPG | 417.0600 | ![]() | 4810 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 1000V (1KV) | 22A | 420mohm @ 11a, 10V | 5V @ 2.5MA | 186NC @ 10V | 5200pf @ 25V | - | ||||||||||||||
![]() | BF245C_D74Z | - | ![]() | 7490 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BF245 | - | JFET | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 25MA | - | - | - | ||||||||||||||||||
ixta06n120p | 4.6400 | ![]() | 9475 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA06 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 617329 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1200 v | 600MA (TC) | 10V | 32ohm @ 300ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 13.3 NC @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||
ixta3n120hv | 8.1900 | ![]() | 262 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA3 | MOSFET (금속 (() | TO-263HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixta3n120hv | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1200 v | 3A (TC) | 10V | 4.5ohm @ 500ma, 10V | 5V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||
![]() | MRFX1K80NR5 | 180.2400 | ![]() | 8532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | OM-1230-4L | MRFX1 | 1.8MHz ~ 470MHz | LDMOS | OM-1230-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1800W | 24dB | - | 65 v | ||||||||||||||||||
![]() | irf9z34nstrrpbf | - | ![]() | 6101 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9Z34 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 55 v | 19A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||
![]() | FQPF6N60C | - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF6 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 5.5A (TC) | 10V | 2ohm @ 2.75a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 810 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | R8003KNXC7G | 2.4900 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | R8003 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 3A (TA) | 10V | 1.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 2MA | 11.5 nc @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 100 v | - | 36W (TC) | ||||||||||||
![]() | MRF6S24140HSR5 | 136.5600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 68 v | 표면 표면 | NI-880S | 2.39GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.3 a | 28W | 15.2db | - | 28 v | |||||||||||||||||||
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CGH27030F | 119.4200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 쟁반 | 활동적인 | 84 v | 440166 | CGH27030 | 3GHz | 헴 | 440166 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 150 MA | 30W | 14.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||
![]() | BSC097N06NSTATMA1 | 1.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC097 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 13A (TA), 48A (TC) | 6V, 10V | 9.7mohm @ 40a, 10V | 3.3V @ 14µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1075 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||
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![]() | YJL3407A | 0.0390 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJL3407AT | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLM7G1822S-20PBG | - | ![]() | 4766 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | SOT-1212-2 | 1.805GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | 16 마일 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 300 | 이중 | 1.4µA | 76 MA | - | 32.3db | - | 28 v | |||||||||||||||||
![]() | BCF030T | 21.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Berex Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 12 v | 주사위 | 26.5GHz | mesfet | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 4704-BCF030T | 귀 99 | 8541.21.0040 | 5 | 120ma | 60 MA | 21.5dBM | 11.5dB | 1.45dB | 8 v | |||||||||||||||||
![]() | irfr3711ztr | - | ![]() | 4620 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001571586 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 20 v | 93A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.45V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2160 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||
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![]() | BLF7G24LS-160p, 112 | 113.5700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 65 v | SOT539B | BLF7G24 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | SOT539B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | - | 1.2 a | 30W | 18.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | MRF6V3450HSR5-NXP | 225.1400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | NI-1230-4S | 470MHz ~ 860MHz | LDMOS | NI-1230-4S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | 10µA | 1.4 a | 450W | 22.5dB | - | 50 v | ||||||||||||||||
![]() | blp8g21s-160pvy | - | ![]() | 5884 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | SOT-1221-1 | blp8 | 1.88GHz ~ 1.92GHz | LDMOS | 6-HSOPF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 이중, 소스 일반적인 | - | 600 MA | 20W | 17.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||
![]() | 2SK2171-5-TD-E | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFU15N80K5 | 4.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STFU15 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 14A (TC) | 10V | 375mohm @ 7a, 10V | 5V @ 100µa | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||
![]() | BCL015-70 | 11.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Berex Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 5 v | 4 마이크로 -x | 1GHz ~ 26GHz | Phemt Fet | 4 마이크로 -x | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 4704-BCL015-70TR | 귀 99 | 8541.21.0000 | 5 | 40µA | 10 MA | 14dbm | 11.5dB | 0.46dB | 2 v | |||||||||||||||||
DMN52D0UVA-7 | 0.4700 | ![]() | 1941 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMN52 | MOSFET (금속 (() | 480MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 31-DMN52D0UVA-7DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 50V | 480MA (TA) | 2ohm @ 50ma, 5V | 1V @ 250µA | 1.5NC @ 10V | 39pf @ 25v | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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