SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IXTK200N10P IXYS IXTK200N10P 16.0200
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK200 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 200a (TC) 10V 7.5mohm @ 100a, 10V 5v @ 500µa 240 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 800W (TC)
IXTA1N120P-TRL IXYS ixta1n120p-trl 3.3218
RFQ
 ECAD 3144 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA1 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA1N120P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1200 v 1A (TC) 10V 20ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 50µA 17.6 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 63W (TC)
FDMC7672 Fairchild Semiconductor FDMC7672 0.4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 715 n 채널 30 v 16.9A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 16.9a, 10V 3V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3890 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 33W (TC)
IXFN130N30 IXYS IXFN130N30 42.4320
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN130 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 IXFN130N30-NDR 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 300 v 130A (TC) 10V 22mohm @ 500ma, 10V 4V @ 8MA 380 nc @ 10 v ± 20V 14500 pf @ 25 v - 700W (TC)
APTM60H23FT1G Microchip Technology APTM60H23FT1G 67.4700
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTM60 MOSFET (금속 (() 208W SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 600V 20A 276mohm @ 17a, 10V 5V @ 1MA 165NC @ 10V 5316pf @ 25v -
SI4972DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4972DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4972 MOSFET (금속 (() 3.1W, 2.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 10.8A, 7.2A 14.5mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 28NC @ 10V 1080pf @ 15V -
DMP56D0UV-7 Diodes Incorporated DMP56D0UV-7 0.4800
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP56 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 160ma 6ohm @ 100ma, 4v 1.2V @ 250µA 0.58NC @ 4V 50.54pf @ 25V 논리 논리 게이트
AUIRFR5305TRL International Rectifier auirfr5305trl 1.0000
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 55 v 31A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 110W (TC)
CLF1G0060-10 Rochester Electronics, LLC CLF1G0060-10 97.0800
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC - 대부분 쓸모없는 150 v SOT-1227A 6GHz 헴 CDFM2 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-CLF1G0060-10-2156 귀 99 8541.29.0075 1 - 150 MA 10W 16db - 50 v
SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA432DJ-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA432 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
BLM10D2327-40ABX Ampleon USA Inc. BLM10D2327-40ABX 18.3568
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 20-qfn n 패드 BLM10 2.5GHz ~ 2.7GHz LDMOS 20-PQFN (8x8) - Rohs3 준수 1603-BLM10D2327-40ABXTR 2,000 - 1.4µA 46 MA 45.7dbm 29db - 28 v
IRFU210PBF Vishay Siliconix IRFU210PBF 1.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU210 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
PSMNR70-30YLHX Nexperia USA Inc. psmnr70-30ylhx 3.0600
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmnr70 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 300A (TA) 4.5V, 10V 0.82mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 157 NC @ 10 v ± 20V 4852 pf @ 15 v - 268W (TA)
PH5030AL115 Nexperia USA Inc. ph5030al115 -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 - 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1,500 n 채널 30 v 91A (TC) 5mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 29 NC @ 10 v 1760 pf @ 12 v - -
MRF6VP3091NR5 NXP USA Inc. MRF6VP3091NR5 -
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 115 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF6 860MHz LDMOS TO-272 WB-4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935314619578 귀 99 8541.29.0095 50 이중 - 350 MA 18W 22db - 50 v
NVMFS5C426NWFT1G onsemi NVMFS5C426NWFT1G -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 235A (TC) 10V 1.3mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 128W (TC)
FDPF7N50F Fairchild Semiconductor FDPF7N50F 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 6A (TC) 10V 1.15ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 960 pf @ 25 v - 38.5W (TC)
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL211SPH6327XTSA1 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL211 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 4.7a, 4.5v 1.2V @ 25µA 12.4 NC @ 10 v ± 12V 654 pf @ 15 v - 2W (TA)
PMXB120EPE147 NXP USA Inc. PMXB120EPE147 -
RFQ
 ECAD 1459 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
IXFA18N60X IXYS IXFA18N60X 6.7505
RFQ
 ECAD 6301 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA18 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 230mohm @ 9a, 10V 4.5V @ 1.5MA 35 NC @ 10 v ± 30V 1440 pf @ 25 v - 320W (TC)
IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies IRF1010ESTRLPBF 2.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1010 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 84A (TC) 10V 12MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3210 pf @ 25 v - 200W (TC)
AUIRL1404STRL Infineon Technologies auirl1404strl -
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522830 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10V 3V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
NTQD6968NR2G onsemi NTQD6968NR2G -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD69 MOSFET (금속 (() 1.39W 8-tssop 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 22mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 17NC @ 4.5V 630pf @ 16v 논리 논리 게이트
SIHL620STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHL620STRL-GE3 0.9000
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IXFP24N60X IXYS IXFP24N60X 4.8011
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP24 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 175mohm @ 12a, 10V 4.5V @ 2.5MA 47 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 400W (TC)
FDMS86320 Fairchild Semiconductor FDMS86320 0.7200
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 69 n 채널 80 v 10.5A (TA), 22A (TC) 8V, 10V 11.7mohm @ 10.5a, 10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2640 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
AO3401A UMW AO3401A 0.4400
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 음 음 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 4.2A (TA) 2.5V, 10V 50mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA 9.4 NC @ 4.5 v ± 12V 954 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
IRFB16N50K Vishay Siliconix IRFB16N50K -
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB16N50K 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 350mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 2210 pf @ 25 v - 280W (TC)
NTD60N03-001 onsemi NTD60N03-001 -
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 28 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 24 v - 75W (TC)
BUK9511-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK9511-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 4230 pf @ 25 v - 166W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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