전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXTP76P10T | 6.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ixys | Trenchp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP76 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 621165 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 76A (TC) | 10V | 25mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250µA | 197 NC @ 10 v | ± 15V | 13700 pf @ 25 v | - | 298W (TC) | |||||||||||
![]() | MCP87022T-U/MF | - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCP87022 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n 채널 | 25 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 25a, 10V | 1.6V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 2310 pf @ 12.5 v | - | 2.2W (TA) | ||||||||||||
![]() | AOCA32108E | 0.8700 | ![]() | 1639 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-smd,, 없음 | AOCA32108 | MOSFET (금속 (() | 3.1W (TA) | 10- 알파드프 (alphadfn) (3.01x1.52) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 12V | 25A (TA) | 3.8mohm @ 5a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 32NC @ 4.5V | - | - | ||||||||||||||
![]() | STF30N65M5 | - | ![]() | 1244 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF30N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 22A (TC) | 10V | 139mohm @ 11a, 10V | 5V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 25V | 2880 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||
![]() | BUK9M156-100EX | 0.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | BUK9M156 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 9.3A (TC) | 5V | 150mohm @ 5a, 10V | 2.1v @ 1ma | 7.4 NC @ 5 v | ± 10V | 695 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPD135N03LG | 1.0000 | ![]() | 8832 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 15 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | NX7002BKW115 | 0.0200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC4015SSD-13 | 1.0500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMC4015 | MOSFET (금속 (() | 1.2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 8.6A, 6.2A | 15mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1810pf @ 20V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
![]() | APTM50TAM65FPG | 279.4700 | ![]() | 7185 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 500V | 51A | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | ||||||||||||||
![]() | TSM60NB600CP ROG | 3.3600 | ![]() | 6944 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM60 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 516 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFP4321PBF | - | ![]() | 6990 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | - | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 150 v | 78A (TC) | 10V | 15.5mohm @ 33a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 4460 pf @ 25 v | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | TSM480P06CH X0G | 2.1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | TSM480 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 8a, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 30 v | - | 66W (TC) | ||||||||||||
NVD4806NT4G-VF01 | 0.4304 | ![]() | 9615 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD4806 | MOSFET (금속 (() | DPAK-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvd4806nt4g-vf01tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11.3A (TA), 79A (TC) | 4.5V, 11.5V | 6ohm @ 30a, 11.5v | 2.5V @ 250µA | 37 NC @ 11.5 v | ± 20V | 2142 pf @ 12 v | - | 1.4W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||
TSM160P04LCRHRLG | - | ![]() | 1572 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM160 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 51A (TC) | 4.5V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2712 pf @ 20 v | - | 69W (TC) | |||||||||||||
![]() | blc9g20ls-240pvy | - | ![]() | 9749 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-1275-3 | blc9 | 1.81GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | SOT-1275-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 934069173518 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 이중, 소스 일반적인 | - | 1.6 a | 240W | 18db | - | 28 v | ||||||||||||||
![]() | BBL4001-1E | - | ![]() | 2107 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | BBL4001 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 74A (TA) | 4V, 10V | 6.1mohm @ 37a, 10V | 2.6v @ 1ma | 135 NC @ 10 v | ± 20V | 6900 pf @ 20 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||
![]() | bla8g1011l-300u | 387.4050 | ![]() | 9197 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-502A | Bla8 | 1.06GHz | LDMOS | SOT502A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934068315112 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | - | 150 MA | 300W | 16.5dB | - | 32 v | |||||||||||||||
STL33N65M2 | - | ![]() | 4929 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL33 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 154mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 41.5 nc @ 10 v | ± 25V | 1790 pf @ 100 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||
![]() | SISH472DN-T1-GE3 | 0.6500 | ![]() | 437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH472 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 997 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||
![]() | NP90N04MUG-S18-ay | - | ![]() | 5428 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 3MOHM @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 182 NC @ 10 v | ± 20V | 11200 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 217W (TC) | |||||||||||||
![]() | CAS175M12BM3 | 515.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | CAS175 | 실리콘 실리콘 (sic) | - | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 1200V (1.2kv) | 228A (TC) | 10.4mohm @ 175a, 15V | 3.6V @ 43MA | 422NC @ 15V | 12900pf @ 800V | - | ||||||||||||||||
2N7002TA | - | ![]() | 9385 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 330MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | IPA60R180P7XKSA1 | 3.0000 | ![]() | 8254 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220 20 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 280µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1081 pf @ 400 v | - | 26W (TC) | ||||||||||||
![]() | SIHB120N60E-GE3 | 5.2400 | ![]() | 984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB120 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 120mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 1562 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | |||||||||||||
IXTA08N100D2HV | 2.6031 | ![]() | 5819 | 0.00000000 | ixys | 고갈 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA08 | MOSFET (금속 (() | TO-263HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1000 v | 800ma (TJ) | 0V | 21ohm @ 400ma, 0v | 4V @ 25µA | 14.6 NC @ 5 v | ± 20V | 325 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 60W (TC) | ||||||||||||||
BSS84TC | - | ![]() | 7530 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 50 v | 130MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | ± 20V | 40 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | IRFS52N15DTRLP | 3.0400 | ![]() | 213 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS52 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 51A (TC) | 10V | 32mohm @ 36a, 10V | 5V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 30V | 2770 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 230W (TC) | ||||||||||||
![]() | blf10h6600psu | 246.2250 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 110 v | 표면 표면 | SOT-539B | BLF10 | 860MHz | LDMOS | SOT539B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | - | 1.3 a | 250W | 20.8dB | - | 50 v | |||||||||||||||
![]() | IPP120N20NFDAKSA1 | 6.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP120 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 84A (TC) | 10V | 12MOHM @ 84A, 10V | 4V @ 270µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 6650 pf @ 100 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
![]() | AOTF8N50_002 | - | ![]() | 6346 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | AOTF8 | MOSFET (금속 (() | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | - | - | - | - | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고