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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK9629-100B, 118 | 1.7500 |  | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9629 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 46A (TC) | 5V, 10V | 27mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 33 NC @ 5 v | ± 15V | 4360 pf @ 25 v | - | 157W (TC) | ||||||||||||
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| AO6602 | 0.1804 | | 8907 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (금속 (() | 1.15W (TA) | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO6602TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 30V | 3.5A (TA), 2.7A (TA) | 50mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10v | 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA | 5NC @ 10V, 5.2NC @ 10V | 210pf @ 15V, 240pf @ 15V | 기준 | ||||||||||||||
 | NP80N04NHE-S18-ay | 1.8400 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | 3300 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||
 | SIHH250N60EF-T1GE3 | 4.3200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 250mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 915 pf @ 100 v | - | 89W (TC) | ||||||||||||||
| A3I35D012WNR1 | 30.4600 | | 396 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | to-270-17 0, 플랫 리드 | 3.2GHz ~ 4GHz | ldmos (() | TO-270WB-17 | - | 2156-A3I35D012WNR1 | 10 | 2 n 채널 | 10µA | 138 MA | 1.8W | 27.8dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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