전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 |
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![]() | jantxv2n6796u | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 8A (TC) | 10V | 195mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 28.51 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
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![]() | GTRB226002FC-V1-R2 | 148.6720 | ![]() | 8313 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 48 v | 표면 표면 | H-37248C-4 | GTRB226002 | 2.11GHz ~ 2.2GHz | 헴 | H-37248C-4 | - | 1697-GTRB226002FC-V1-R2TR | 250 | - | - | 450W | 15db | - | |||||||||||||||||||
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![]() | NTK3142PT1H-ON | 0.0200 | ![]() | 107 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | NTK3142 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STF7N65M2 | 1.6500 | ![]() | 102 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 5A (TC) | 10V | 1.15ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 v | ± 25V | 270 pf @ 100 v | - | 20W (TC) | ||||||||||
![]() | 2SJ438 (Aisin, A, Q) | - | ![]() | 3224 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SJ438 | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 5A (TJ) | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | irlbd59n04etrlp | - | ![]() | 4703 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA | MOSFET (금속 (() | TO-263-5 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 59A (TC) | 5V, 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 2V @ 250µA | 50 nc @ 5 v | ± 10V | 2190 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||
![]() | Ald1117sal | 4.2600 | ![]() | 574 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1117 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1049 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 1800ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||||||||
![]() | GE17140CEA3 | 3.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ge 항공 우주 | sic 파워 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TC) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | GE17140 | 실리콘 실리콘 (sic) | 3.75kW | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 4014-GE17140CEA3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 1700V (1.7kv) | 1.275KA | 1.5ohm @ 1275a, 20V | 4.5V @ 480ma | 3621NC @ 18V | 82NF @ 600V | - | |||||||||||
![]() | SFH9140 | 0.6600 | ![]() | 2935 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 388 | p 채널 | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 1535 pf @ 25 v | - | 166W (TC) | |||||||||||
![]() | SI4048DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4048 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 19.3A (TC) | 10V | 85mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2060 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||||||||
![]() | STF24N65M2 | 2.9700 | ![]() | 271 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF24 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 16A (TC) | 10V | 230mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 25V | 1060 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | ||||||||||
![]() | SSM3K15ACT (TPL3) | 0.0672 | ![]() | 1826 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosiii | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | SSM3K15 | MOSFET (금속 (() | CST3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 100MA (TA) | 2.5V, 4V | 3.6ohm @ 10ma, 4v | 1.5V @ 100µa | ± 20V | 13.5 pf @ 3 v | - | 100MW (TA) | ||||||||||||
![]() | RCX700N20 | 3.9000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RCX700 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 70A (TC) | 10V | 42.7mohm @ 35a, 10V | 5V @ 1MA | 125 nc @ 10 v | ± 30V | 6900 pf @ 25 v | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||
![]() | irf7306tr | - | ![]() | 8501 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 도 8- | - | 2156-irf7306tr | 1 | 2 p 채널 | 30V | 3.6A (TA) | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250µA | 25NC @ 10V | 440pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | NVTFS5124PLTWG | 0.7400 | ![]() | 7657 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS5124 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 60 v | 2.4A (TA) | 4.5V, 10V | 260mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 18W (TC) | ||||||||||
![]() | HAF1002-90STL-E | - | ![]() | 8701 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-83 | HAF1002 | MOSFET (금속 (() | ldpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 15A (TA) | 4V, 10V | 90mohm @ 7.5a, 10V | - | +3V, -16V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
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![]() | IXTT72N20 | - | ![]() | 9844 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT72 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 72A (TC) | 10V | 33mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | ||||||||||
![]() | FDB12N50UTM | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDB12N | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 800 | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | spp80p06pbksa1 | - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp80p | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 60 v | 80A (TC) | 10V | 23mohm @ 64a, 10V | 4V @ 5.5MA | 173 NC @ 10 v | ± 20V | 5033 pf @ 25 v | - | 340W (TC) | |||||||||||
![]() | ZVN2120ASTZ | - | ![]() | 6035 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 180MA (TA) | 10V | 10ohm @ 250ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 85 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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