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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDC3616N | - |  | 6707 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP | FDC3616 | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -6 FLMP | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 3.7A (TA) | 6V, 10V | 70mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1215 pf @ 50 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
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 | aou2n60 | 0.2634 | | 2852 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | aou2 | MOSFET (금속 (() | TO-251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 56.8W (TC) | ||||||||||||
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 | AO3400A | 0.3800 | | 149 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 5.8a, 10V | 1.4V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1050 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||
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 | FDS5692Z | 1.0700 | | 8 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 50 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 5.8a, 10V | 3V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1025 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
 | SIHH27N60EF-T1-GE3 | 7.0000 | | 9092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH27 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 29A (TC) | 10V | 100mohm @ 13.5a, 10V | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 30V | 2609 pf @ 100 v | - | 202W (TC) | |||||||||||||
 | STD12NF06LT4 | - | | 3108 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD12 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 12A (TC) | 5V, 10V | 100mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 10 nc @ 5 v | ± 16V | 350 pf @ 25 v | - | 42.8W (TC) | ||||||||||||
 | AON4605 | - | | 1857 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON460 | MOSFET (금속 (() | 1.9W | 8-DFN (3x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V | 4.3a, 3.4a | 50mohm @ 4.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 5NC @ 10V | 210pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
 | SD2932BW | 180.7559 | | 6316 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 활동적인 | - | SD2932 | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 15 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
| SISF04DN-T1-GE3 | 1.3400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SCD | SISF04 | MOSFET (금속 (() | 5.2W (TA), 69.4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SISP04DN-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 30V | 30A (TA), 108A (TC) | 4mohm @ 7a, 10V | 2.3V @ 250µA | 60NC @ 10V | 2600pf @ 15V | - | ||||||||||||||
 | DMG2307LQ-7 | 0.3700 | | 2 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMG2307 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.5A (TA) | 4.5V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 3V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 371.3 pf @ 15 v | - | 760MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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