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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSD840N L6327 | - |  | 3728 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD840 | MOSFET (금속 (() | 500MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 880ma | 400mohm @ 880ma, 2.5v | 750MV @ 1.6µA | 0.26NC @ 2.5V | 78pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||
 | NTTFSC4821NTAG | - | | 5649 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFSC | - | 8-wdfn (3.3x3.3) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | - | 13.5A (TA) | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | SPI35N10 | - | | 6256 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI35N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 44mohm @ 26.4a, 10V | 4V @ 83µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||
 | B11G1822N60DYZ | 49.9600 | | 290 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | 36-Qfn n 패드 | 1.8GHz ~ 2.2GHz | LDMOS | 36-PQFN (12x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 300 | 이중 | 1.4µA | - | 32db | - | ||||||||||||||||
 | EPC2020 | 7.8700 | | 2 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 500 | n 채널 | 60 v | 90A (TA) | 5V | 2.2mohm @ 31a, 5V | 2.5V @ 16MA | 16 nc @ 5 v | +6V, -4V | 1780 pf @ 30 v | - | - | ||||||||||
 | IRFHS8342TRPBF | 0.5400 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | IRFHS8342 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.8A (TA), 19A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 8.5a, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||
 | PJD35P03_L2_00001 | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD35 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD35P03_L2_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8.4A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1169 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | |||||||||
 | IRLU014N | - | | 6850 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLU014N | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 6a, 10V | 1V @ 250µA | 7.9 NC @ 5 v | ± 16V | 265 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | ||||||||||
 | FQB6N70TM | 2.2500 | | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 700 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 142W (TC) | |||||||||||||
 | STP38N65M5 | 5.9000 | | 8340 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP38 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 95mohm @ 15a, 10V | 5V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 25V | 3000 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||||||||||
 | IXFK66N50Q2 | - | | 4061 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK66 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 66A (TC) | 10V | 80mohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 8mA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 8400 pf @ 25 v | - | 735W (TC) | ||||||||||
 | IRF7702TRPBF | - | | 4888 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 12 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 8a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 81 NC @ 4.5 v | ± 8V | 3470 pf @ 10 v | - | 1.5W (TC) | ||||||||||||
 | IRFB23N20DPBF | - | | 8004 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 24A (TC) | 10V | 100mohm @ 14a, 10V | 5.5V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1960 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | |||||||||||
 | x97813760 | - | | 5856 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | DMT3004LPS-13 | 0.9100 | | 2945 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMT3004 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 140A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 43.7 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2370 pf @ 15 v | - | 2.7W (TA), 113W (TC) | ||||||||||
| SFR2955TM | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 7.6A (TC) | 10V | 300mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | |||||||||||
 | TPH1R204PB, L1Q | 1.5500 | | 31 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosix-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPH1R204 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 150A (TC) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 50a, 10V | 3V @ 500µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 5855 pf @ 20 v | - | 960MW (TA), 132W (TC) | ||||||||||||
| SQD23N06-31L_T4GE3 | 0.4269 | | 4967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD23 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SQD23N06-31L_T4GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 23A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 845 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | ||||||||||
 | FDP5645 | - | | 317 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 80A (TA) | 6V, 10V | 9.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | ± 20V | 4468 pf @ 30 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||
 | IPA075N15N3G | - | | 4057 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 150 v | 43A (TC) | 8V, 10V | 7.5mohm @ 43a, 10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 7280 pf @ 75 v | - | 39W (TC) | ||||||||||||||
 | DMP3045LVT-7 | 0.1309 | | 9473 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMP3045 | MOSFET (금속 (() | TSOT-26 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP3045LVT-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5.4A (TA) | 4.5V, 10V | 42MOHM @ 4.9A, 10V | 2.1V @ 250µA | 14.3 NC @ 10 v | ± 20V | 749 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
 | STB33N60DM2 | 5.0300 | | 4037 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB33 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 24A (TC) | 10V | 130mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 25V | 1870 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||||||||||
 | CPC3909ZTR | 1.1400 | | 5375 | 0.00000000 | ixys 회로 통합 부서 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 110 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | CPC3909 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 300MA (TA) | 0V | 9ohm @ 300ma, 0v | - | 15V | 고갈 고갈 | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | PMV164ENER | 0.4200 | | 8912 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 1.6A (TA) | 4.5V, 10V | 218mohm @ 1.6a, 10V | 2.7V @ 250µA | 3.8 NC @ 10 v | ± 20V | 110 pf @ 30 v | - | 640MW (TA), 5.8W (TC) | |||||||||||
 | AOD2816 | 0.3881 | | 6743 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD281 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 8.5A (TA), 35A (TC) | 6V, 10V | 15mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1109 pf @ 40 v | - | 2.5W (TA), 53.5W (TC) | ||||||||||
 | NTD20N06-001 | - | | 2031 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD20 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 20A (TA) | 10V | 46mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1015 pf @ 25 v | - | 1.88W (TA), 60W (TJ) | ||||||||||
 | di035n10pt | 0.4474 | | 9213 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | DI035N10 | MOSFET (금속 (() | 8-QFN (3x3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-di035n10pttr | 8541.21.0000 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1220 pf @ 15 v | - | 25W (TC) | ||||||||||
 | FDD8445-F085P | - | | 8560 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD844 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 2832-FDD8445-F085PTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TA) | 10V | 8.7mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 4050 pf @ 25 v | - | 79W (TA) | |||||||||||
 | AoT2N60 | - | | 7820 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT2 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1185-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11.4 NC @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||||
| TPCA8051-H (T2L1, VM | - | | 9874 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u-mosvi-h | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPCA8051 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 28A (TA) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 14a, 10V | 2.3v @ 1ma | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 7540 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA), 45W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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