SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
SUP50N03-5M1P-GE3 Vishay Siliconix SUP50N03-5M1P-GE3 -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP50 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2780 pf @ 15 v - 2.7W (TA), 59.5W (TC)
BUK9660-100A Nexperia USA Inc. BUK9660-100A 1.0000
RFQ
ECAD 4910 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 15a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 1924 pf @ 25 v - 106W (TC)
STP75NF75FP STMicroelectronics STP75NF75FP -
RFQ
ECAD 1895 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP75N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 11mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 45W (TC)
IXTH10P50 IXYS ixth10p50 -
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH10 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 ixth10p50-ndr 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 500 v 10A (TC) 10V 900mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 300W (TC)
TSM500N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500N03CP ROG -
RFQ
ECAD 9860 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 12.5W (TC)
DMP6050SSD-13 Diodes Incorporated DMP6050SSD-13 0.8300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP6050 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 4.8a 55mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1293pf @ 30V -
FQD30N06TM onsemi FQD30N06TM 1.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD30N06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 22.7A (TC) 10V 45mohm @ 11.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 945 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
R6509ENJTL Rohm Semiconductor R6509ENJTL 3.4100
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6509 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 585mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 230µA 24 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 25 v - 94W (TC)
APT34F60S Microchip Technology APT34F60S 14.4200
RFQ
ECAD 91 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT34F60 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT34F60S 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 36A (TC) 10V 190mohm @ 17a, 10V 5V @ 1MA 165 NC @ 10 v ± 30V 6640 pf @ 25 v - 624W (TC)
NVTFWS004N04CTAG onsemi NVTFWS004N04CTAG 0.8223
RFQ
ECAD 4264 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFWS004 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 18A (TA), 77A (TC) 10V 4.9mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 50µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 55W (TC)
IXTY44N10T IXYS ixty44n10t 2.5800
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY44 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 100 v 44A (TC) 10V 30mohm @ 22a, 10V 4.5V @ 25µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1262 pf @ 25 v - 130W (TC)
NTNS3C68NZT5G onsemi NTNS3C68NZT5G 0.0900
RFQ
ECAD 269 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-NTNS3C68NZT5G-488 1
FDMS3624S Fairchild Semiconductor FDMS3624S -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3624 MOSFET (금속 (() 2.2W (TA), 2.5W (TA) 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 17.5A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 60A (TC) 1.8mohm @ 30a, 10v, 5mohm @ 17.5a, 10v 2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA 26NC @ 10V, 59NC @ 10V 1570pf @ 13v, 4045pf @ 13v -
NTBG060N065SC1 onsemi NTBG060N065SC1 11.7600
RFQ
ECAD 773 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA NTBG060 sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 46A (TC) 15V, 18V 70mohm @ 20a, 10V 4.3v @ 6.5ma 74 NC @ 18 v +22V, -8V 1473 pf @ 325 v - 170W (TC)
IXTQ36N30P IXYS IXTQ36N30P 5.6000
RFQ
ECAD 398 0.00000000 ixys Polarht ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ36 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 36A (TC) 10V 110mohm @ 18a, 10V 5.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2250 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPP45N06S3-16 Infineon Technologies IPP45N06S3-16 -
RFQ
ECAD 4031 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP45N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 45A (TC) 10V 15.7mohm @ 23a, 10V 4V @ 30µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 65W (TC)
PHD96NQ03LT,118 NXP USA Inc. phd96nq03lt, 118 -
RFQ
ECAD 8075 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD96 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 75A (TC) 5V, 10V 4.95mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 26.7 NC @ 5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRFS7762PBF Infineon Technologies IRFS7762PBF -
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (to-263ab) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 85A (TC) 6V, 10V 6.7mohm @ 51a, 10V 3.7v @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 4440 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRLS3036PBF International Rectifier IRLS3036PBF -
RFQ
ECAD 4499 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 48 n 채널 60 v 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 11210 pf @ 50 v - 380W (TC)
AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc. AFT05MS031GNR1 14.5100
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 v 표면 표면 TO-270BA AFT05 520MHz LDMOS TO-270-2 -2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 - 10 MA 31W 17.7dB - 13.6 v
TP5322K1-G Microchip Technology TP5322K1-G 0.7500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP5322 MOSFET (금속 (() TO-236AB (SOT23) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 220 v 120ma (TJ) 4.5V, 10V 12ohm @ 200ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 110 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IRFR13N15DPBF International Rectifier IRFR13N15DPBF 1.0000
RFQ
ECAD 6627 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 150 v 14A (TC) 10V 180mohm @ 8.3a, 10V 5.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 86W (TC)
MGSF3442XT1 onsemi MGSF3442XT1 0.2000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 3,000
AUIRFZ44ZS Infineon Technologies auirfz44z -
RFQ
ECAD 1858 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 51A (TC) 10V 13.9mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1420 pf @ 25 v - 80W (TC)
2SK1590-T1B-A Renesas 2SK1590-T1B-A -
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SK1590-T1B-A 1
IPD220N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD220N06L3GATMA1 0.8400
RFQ
ECAD 2035 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD220N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-311 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 11µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1600 pf @ 30 v - 36W (TC)
AOTF20S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF20S60L 3.2400
RFQ
ECAD 6654 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF20 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 199MOHM @ 10A, 10V 4.1V @ 250µA 19.8 nc @ 10 v ± 30V 1038 pf @ 100 v - 37.8W (TC)
IPA60R650CEXKSA1 Infineon Technologies IPA60R650CEXKSA1 1.3500
RFQ
ECAD 395 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R650 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
IXTA230N075T2-7 IXYS IXTA230N075T2-7 6.4098
RFQ
ECAD 4523 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA230 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 230A (TC) 10V 4.2mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 178 NC @ 10 v ± 20V 10500 pf @ 25 v - 480W (TC)
IRFR014PBF Vishay Siliconix IRFR014PBF 1.4600
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고