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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H7N0308cf-e | 1.0000 |  | 1740 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | FQPF6N50 | 0.5900 | | 5 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 1.8a, 10V | 5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 790 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||||||||||||||
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 | SI4434DY-T1-E3 | 3.0000 | | 5766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4434 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 2.1A (TA) | 6V, 10V | 155mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||
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| 2SJ356 (0) -T1 -AZ | 0.4600 | | 961 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| DMG7N65SCTI | - | | 9815 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | DMG7N65 | MOSFET (금속 (() | ITO-220AB | - | Rohs3 준수 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 7.7A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 25.2 NC @ 10 v | ± 30V | 886 pf @ 50 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||
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 | YJJ3724A | 0.0740 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJJ3724AT | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | YJD45G10AQ | 0.5020 | | 250 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJD45G10AQTR | 귀 99 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDPF12N50NZ | 0.9800 | | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Unifet-II ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 306 | n 채널 | 500 v | 11.5A (TC) | 10V | 520mohm @ 5.75a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 1235 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||
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 | RJK0390DPA-00#J53 | 1.4800 | | 60 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wpak | - | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 65A (TA) | 2.2mohm @ 32.5a, 10V | - | 54 NC @ 4.5 v | 8900 pf @ 10 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||
 | IPD088N04LGBTMA1 | - | | 6718 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD088N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 50a, 10V | 2V @ 16µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 2100 pf @ 20 v | - | 47W (TC) | |||||||||||||
 | SPD15p10pg | 1.0000 | | 3487 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 100 v | 15A (TC) | 10V | 240mohm @ 10.6a, 10V | 2.1V @ 1.54ma | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1280 pf @ 25 v | - | 128W (TC) | ||||||||||||||||
 | BLF8G27LS-100V, 118 | - | | 2205 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-1244B | blf8 | 2.5GHz ~ 2.7GHz | LDMOS | CDFM6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 900 MA | 25W | 17dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | 2SK3706-MG5 | 5.5400 | | 11 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | 2SK370 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | STB43N65M5 | 9.4500 | | 9509 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB43 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 42A (TC) | 10V | 63mohm @ 21a, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 25V | 4400 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||
| IRFR4620PBF | - | | 3229 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 24A (TC) | 10V | 78mohm @ 15a, 10V | 5V @ 100µa | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | |||||||||||||
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 | ixta1n120p-trl | 3.3218 | | 3144 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA1 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA1N120P-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1200 v | 1A (TC) | 10V | 20ohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 17.6 NC @ 10 v | ± 20V | 550 pf @ 25 v | - | 63W (TC) |
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