SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies IRF1010ESTRLPBF 2.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1010 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 84A (TC) 10V 12MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3210 pf @ 25 v - 200W (TC)
AUIRL1404STRL Infineon Technologies auirl1404strl -
RFQ
ECAD 3677 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522830 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10V 3V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
NTQD6968NR2G onsemi NTQD6968NR2G -
RFQ
ECAD 8822 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD69 MOSFET (금속 (() 1.39W 8-tssop 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 22mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 17NC @ 4.5V 630pf @ 16v 논리 논리 게이트
SIHL620STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHL620STRL-GE3 0.9000
RFQ
ECAD 788 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IXFP24N60X IXYS IXFP24N60X 4.8011
RFQ
ECAD 9264 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP24 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 175mohm @ 12a, 10V 4.5V @ 2.5MA 47 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 400W (TC)
FDMS86320 Fairchild Semiconductor FDMS86320 0.7200
RFQ
ECAD 4089 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 69 n 채널 80 v 10.5A (TA), 22A (TC) 8V, 10V 11.7mohm @ 10.5a, 10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2640 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
AO3401A UMW AO3401A 0.4400
RFQ
ECAD 814 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 4.2A (TA) 2.5V, 10V 50mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA 9.4 NC @ 4.5 v ± 12V 954 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
IRFB16N50K Vishay Siliconix IRFB16N50K -
RFQ
ECAD 2631 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB16N50K 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 350mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 2210 pf @ 25 v - 280W (TC)
NTD60N03-001 onsemi NTD60N03-001 -
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 28 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 24 v - 75W (TC)
BUK9511-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK9511-55A, 127 -
RFQ
ECAD 1328 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 4230 pf @ 25 v - 166W (TC)
NTMFS5C646NLT3G onsemi NTMFS5C646NLT3G 1.1506
RFQ
ECAD 1804 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 20A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 2164 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies IMYH200R075M1HXKSA1 38.5500
RFQ
ECAD 174 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMYH200 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) PG-to247-4-U04 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 2000 v 34A (TC) 15V, 18V 98mohm @ 13a, 18V 5.5V @ 7.7ma 64 NC @ 18 v +20V, -7V - 267W (TC)
FDC3616N onsemi FDC3616N -
RFQ
ECAD 6707 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP FDC3616 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 FLMP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.7A (TA) 6V, 10V 70mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1215 pf @ 50 v - 2W (TA)
IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280P6XKSA1 2.8900
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R280 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13.8A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 3.5V @ 430µA 43 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 100 v - 104W (TC)
FDFMA2N028Z onsemi FDFMA2N028Z 0.7000
RFQ
ECAD 464 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDFMA2 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.7A (TA) 2.5V, 4.5V 68mohm @ 3.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 455 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TJ)
IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies IPA50R190CEXKSA2 2.3700
RFQ
ECAD 490 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 18.5A (TC) 13V 190mohm @ 6.2a, 13v 3.5V @ 510µA 47.2 NC @ 10 v ± 20V 1137 pf @ 100 v - 32W (TC)
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies BSG0810ndiatma1 3.2500
RFQ
ECAD 3148 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSG0810 MOSFET (금속 (() 2.5W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 19a, 39a 3MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 8.4nc @ 4.5v 1040pf @ 12v 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IRF7313PBF International Rectifier IRF7313PBF 1.0000
RFQ
ECAD 1064 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널) 30V 6.5A 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V -
NTMFS5C450NLT3G onsemi NTMFS5C450NLT3G -
RFQ
ECAD 6079 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 27A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 68W (TC)
STAC1011-350 STMicroelectronics STAC1011-350 190.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 80 v STAC265B STAC1011 1.03GHz ~ 1.09GHz LDMOS STAC265B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 90 - 150 MA 350W 15db - 36 v
N0302P-T1-AT Renesas N0302P-T1-AT -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-N0302P-T1-AT 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 54mohm @ 2.2a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 10 v - 200MW (TA)
IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies IPB120N03S4L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 100A, 10V 2.2V @ 40µA 72 NC @ 10 v ± 16V 5300 pf @ 25 v - 79W (TC)
AOTF125A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF125A60L 2.3211
RFQ
ECAD 3791 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF125 MOSFET (금속 (() TO-220F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOTF125A60L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 28A (TJ) 10V 125mohm @ 14a, 10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2993 PF @ 100 v - 36W (TC)
IRLR3105TRPBF Infineon Technologies IRLR3105TRPBF 1.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR3105 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 25A (TC) 5V, 10V 37mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 16V 710 pf @ 25 v - 57W (TC)
PJA3461_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3461_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3461 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.9a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 430 pf @ 30 v - 1.25W (TA)
AOU2N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aou2n60 0.2634
RFQ
ECAD 2852 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA aou2 MOSFET (금속 (() TO-251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 325 pf @ 25 v - 56.8W (TC)
SI6983DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3757 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6983 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.6a 24mohm @ 5.4a, 4.5v 1V @ 400µA 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUP53P06-20-GE3 Vishay Siliconix SUP53P06-20-GE3 -
RFQ
ECAD 8704 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup53 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 60 v 9.2A (TA), 53A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 104.2W (TC)
IRF9640S Vishay Siliconix IRF9640S -
RFQ
ECAD 2788 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9640S 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
AOD4185L_DELTA Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4185L_DELTA -
RFQ
ECAD 4275 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 AOD418 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 40A (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고