전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMR290Unone, 115 | - | ![]() | 4400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | PMR2 | MOSFET (금속 (() | SC-75 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 700MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 380mohm @ 500ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.68 nc @ 4.5 v | ± 8V | 83 pf @ 10 v | - | 250MW (TA), 770MW (TC) | ||||||||||||
![]() | SQ3418EV-T1_GE3 | 0.6900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3418 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.7 NC @ 10 v | ± 20V | 678 pf @ 20 v | - | 5W (TC) | ||||||||||||||
![]() | IPTC019N10NM5ATMA1 | 6.5300 | ![]() | 8970 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-Powersop op | IPTC019N | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-16-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 100 v | 31A (TA), 279A (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 210µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||
![]() | ART1K6FHSU | 209.3200 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | 미술 | 쟁반 | 활동적인 | 177 v | 표면 표면 | SOT-539BN | 1MHz ~ 425MHz | LDMOS | SOT539BN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | 1.2µA | 600 MA | 1600W | 28db | - | 65 v | ||||||||||||||||
![]() | PSMN8R5-100ES | - | ![]() | 8307 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | psmn8r5 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3114ZTRPBF | 1.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3114 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 42a, 10V | 2.5V @ 100µa | 56 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3810 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMT8030LFDF-13 | 0.2613 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT8030LFDF-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 80 v | 7.5A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10.4 NC @ 10 v | ± 20V | 641 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | SSM3J14TTE85LF | - | ![]() | 8348 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3J14 | MOSFET (금속 (() | TSM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.7A (TA) | 4V, 10V | 85mohm @ 1.35a, 10V | - | ± 20V | 413 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||
DMP3068L-7-50 | 0.0600 | ![]() | 8365 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP3068 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 31-DMP3068L-7-50 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.3A (TA) | 1.8V, 10V | 72mohm @ 4.2a, 10V | 1.3V @ 250µA | 15.9 NC @ 10 v | ± 12V | 708 pf @ 15 v | - | 700MW | |||||||||||||||
![]() | FQD10N20CTM_F080 | - | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD1 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 7.8A (TC) | 10V | 360mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||
![]() | NTTFS4932NTWG | - | ![]() | 1423 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS4932 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 79A (TC) | 4.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 46.5 nc @ 10 v | ± 20V | 3111 pf @ 15 v | - | 850MW (TA), 43W (TC) | ||||||||||||
NXV100XPR | 0.4400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 6.4 NC @ 4.5 v | ± 12V | 354 pf @ 15 v | - | 340MW (TA), 2.1W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BSS806NH6327XTSA1 | 0.4600 | ![]() | 587 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS806 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 2.5V | 57mohm @ 2.3a, 2.5v | 750MV @ 11µA | 1.7 NC @ 2.5 v | ± 8V | 529 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||
aote21115c | 0.2619 | ![]() | 4625 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | AoTe21115 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-aote21115ctr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 5.1A (TA) | 40mohm @ 5.1a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 930pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | PJF12NA60_T0_00001 | - | ![]() | 1826 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | PJF12NA60 | MOSFET (금속 (() | ITO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3757-PJF12NA60_T0_00001 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 12A (TA) | 10V | 700mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 1492 pf @ 25 v | - | 51W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPP90N06S404AKSA2 | - | ![]() | 1336 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP90N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001028750 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 10V | 4MOHM @ 90A, 10V | 4V @ 90µA | 128 NC @ 10 v | ± 20V | 10400 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||
AO8804 | - | ![]() | 1894 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | AO880 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | - | 13mohm @ 8a, 10V | 1V @ 250µA | 17.9NC @ 4.5V | 1810pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||
![]() | Tk12a53d (STA4, Q, M) | 2.5900 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | π-mosvii | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK12A53 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 525 v | 12A (TA) | 10V | 580mohm @ 6a, 10V | 4V @ 1MA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||
![]() | NX6020CAKSX | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NX6020 | MOSFET (금속 (() | 330MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 60V, 50V | 170ma (TA) | 4.5ohm @ 100ma, 10v, 7.5ohm @ 100ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.43NC @ 4.5V, 0.35NC @ 5V | 17pf @ 10v, 36pf @ 25v | - | ||||||||||||||
![]() | IRF820S | - | ![]() | 8597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF820 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF820S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||
![]() | DMTH43M8LPS-13 | 0.3976 | ![]() | 2426 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH43 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 22A (TA), 100A (TC) | 5V, 10V | 3.3mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 38.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2693 pf @ 30 v | - | 2.7W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||
![]() | 64-2028 | - | ![]() | 7740 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 활동적인 | 64-2028 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001517860 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIHG039N60E-GE3 | 11.1400 | ![]() | 392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG039 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 63A (TC) | 10V | 39mohm @ 32a, 10V | 5V @ 250µA | 126 NC @ 10 v | ± 30V | 4369 pf @ 100 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||
![]() | STB15810 | 1.2450 | ![]() | 40 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | - | 5060-STB15810TR | 1,000 | n 채널 | 100 v | 110A (TC) | 10V | 3.9mohm @ 55a, 10V | 4.5V @ 250µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8115 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | STW70N65DM6-4 | 14.4100 | ![]() | 4787 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | STW70 | MOSFET (금속 (() | TO-247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STW70N65DM6-4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 68A (TC) | 10V | 40mohm @ 34a, 10V | 4.75V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 25V | 4900 pf @ 100 v | - | 450W (TC) | |||||||||||
![]() | FQPF8P10 | 0.3700 | ![]() | 860 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 860 | p 채널 | 100 v | 5.3A (TC) | 10V | 530mohm @ 2.65a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 470 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||
![]() | STB80NF55-08-1 | - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STB80N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-3516-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 3850 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||
IRF740 | - | ![]() | 8399 | 0.00000000 | stmicroelectronics | PowerMesh ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||
![]() | NVMFS5C430NLT3G | - | ![]() | 5162 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 20 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRF624SPBF | 2.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF624 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF624SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 4.4A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고