SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
PMR290UNE,115 NXP USA Inc. PMR290Unone, 115 -
RFQ
ECAD 4400 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 PMR2 MOSFET (금속 (() SC-75 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 700MA (TA) 1.8V, 4.5V 380mohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.68 nc @ 4.5 v ± 8V 83 pf @ 10 v - 250MW (TA), 770MW (TC)
SQ3418EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3418EV-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3418 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 12.7 NC @ 10 v ± 20V 678 pf @ 20 v - 5W (TC)
IPTC019N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTC019N10NM5ATMA1 6.5300
RFQ
ECAD 8970 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op IPTC019N MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 100 v 31A (TA), 279A (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 210µA 160 nc @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
ART1K6FHSU Ampleon USA Inc. ART1K6FHSU 209.3200
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Ampleon USA Inc. 미술 쟁반 활동적인 177 v 표면 표면 SOT-539BN 1MHz ~ 425MHz LDMOS SOT539BN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 1.2µA 600 MA 1600W 28db - 65 v
PSMN8R5-100ES Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ES -
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn8r5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1
IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies IRLR3114ZTRPBF 1.5200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR3114 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
DMT8030LFDF-13 Diodes Incorporated DMT8030LFDF-13 0.2613
RFQ
ECAD 7315 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT8030LFDF-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 80 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 641 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF -
RFQ
ECAD 8348 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J14 MOSFET (금속 (() TSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.7A (TA) 4V, 10V 85mohm @ 1.35a, 10V - ± 20V 413 pf @ 15 v - 700MW (TA)
DMP3068L-7-50 Diodes Incorporated DMP3068L-7-50 0.0600
RFQ
ECAD 8365 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3068 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMP3068L-7-50 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.3A (TA) 1.8V, 10V 72mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA 15.9 NC @ 10 v ± 12V 708 pf @ 15 v - 700MW
FQD10N20CTM_F080 onsemi FQD10N20CTM_F080 -
RFQ
ECAD 8389 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 7.8A (TC) 10V 360mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 50W (TC)
NTTFS4932NTWG onsemi NTTFS4932NTWG -
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4932 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 11A (TA), 79A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 46.5 nc @ 10 v ± 20V 3111 pf @ 15 v - 850MW (TA), 43W (TC)
NXV100XPR Nexperia USA Inc. NXV100XPR 0.4400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 1.8V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.4 NC @ 4.5 v ± 12V 354 pf @ 15 v - 340MW (TA), 2.1W (TC)
BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1 0.4600
RFQ
ECAD 587 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS806 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.3A (TA) 1.8V, 2.5V 57mohm @ 2.3a, 2.5v 750MV @ 11µA 1.7 NC @ 2.5 v ± 8V 529 pf @ 10 v - 500MW (TA)
AOTE21115C Alpha & Omega Semiconductor Inc. aote21115c 0.2619
RFQ
ECAD 4625 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) AoTe21115 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-aote21115ctr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 5.1A (TA) 40mohm @ 5.1a, 4.5v 950MV @ 250µA 17NC @ 4.5V 930pf @ 10V -
PJF12NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF12NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 1826 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF12NA60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF12NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TA) 10V 700mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1492 pf @ 25 v - 51W (TC)
IPP90N06S404AKSA2 Infineon Technologies IPP90N06S404AKSA2 -
RFQ
ECAD 1336 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP90N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001028750 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 4MOHM @ 90A, 10V 4V @ 90µA 128 NC @ 10 v ± 20V 10400 pf @ 25 v - 150W (TC)
AO8804 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8804 -
RFQ
ECAD 1894 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) AO880 MOSFET (금속 (() 1.5W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V - 13mohm @ 8a, 10V 1V @ 250µA 17.9NC @ 4.5V 1810pf @ 10V 논리 논리 게이트
TK12A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk12a53d (STA4, Q, M) 2.5900
RFQ
ECAD 4943 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A53 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 12A (TA) 10V 580mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 25 v - 45W (TC)
NX6020CAKSX Nexperia USA Inc. NX6020CAKSX 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX6020 MOSFET (금속 (() 330MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 60V, 50V 170ma (TA) 4.5ohm @ 100ma, 10v, 7.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43NC @ 4.5V, 0.35NC @ 5V 17pf @ 10v, 36pf @ 25v -
IRF820S Vishay Siliconix IRF820S -
RFQ
ECAD 8597 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF820S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
DMTH43M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LPS-13 0.3976
RFQ
ECAD 2426 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH43 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 22A (TA), 100A (TC) 5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 38.5 nc @ 10 v ± 20V 2693 pf @ 30 v - 2.7W (TA), 83W (TC)
64-2028 Infineon Technologies 64-2028 -
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 64-2028 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517860 귀 99 8541.29.0095 50
SIHG039N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG039N60E-GE3 11.1400
RFQ
ECAD 392 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG039 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 63A (TC) 10V 39mohm @ 32a, 10V 5V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 30V 4369 pf @ 100 v - 357W (TC)
STB15810 STMicroelectronics STB15810 1.2450
RFQ
ECAD 40 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK - 5060-STB15810TR 1,000 n 채널 100 v 110A (TC) 10V 3.9mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8115 pf @ 50 v - 250W (TC)
STW70N65DM6-4 STMicroelectronics STW70N65DM6-4 14.4100
RFQ
ECAD 4787 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STW70 MOSFET (금속 (() TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STW70N65DM6-4 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 68A (TC) 10V 40mohm @ 34a, 10V 4.75V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 25V 4900 pf @ 100 v - 450W (TC)
FQPF8P10 Fairchild Semiconductor FQPF8P10 0.3700
RFQ
ECAD 860 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 860 p 채널 100 v 5.3A (TC) 10V 530mohm @ 2.65a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 470 pf @ 25 v - 28W (TC)
STB80NF55-08-1 STMicroelectronics STB80NF55-08-1 -
RFQ
ECAD 2299 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB80N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-3516-5 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 3850 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF740 STMicroelectronics IRF740 -
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ II 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF7 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 125W (TC)
NVMFS5C430NLT3G onsemi NVMFS5C430NLT3G -
RFQ
ECAD 5162 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 200a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
IRF624SPBF Vishay Siliconix IRF624SPBF 2.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF624 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF624SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 4.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고