SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2302DDS-T1-GE3 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.9A (TJ) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 3.6a, 4.5v 850MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 710MW (TA)
DMN67D8LT-13 Diodes Incorporated DMN67D8LT-13 0.0476
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN67 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 821 NC @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 260MW (TA)
IXFH14N60P IXYS ixfh14n60p 6.0900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH14 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 14A (TC) 10V 550mohm @ 7a, 10V 5.5V @ 2.5MA 36 nc @ 10 v ± 30V 2500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRLW610ATM onsemi IRLW610ATM -
RFQ
 ECAD 1568 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRLW61 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 3.3A (TC) 5V 1.5ohm @ 1.65a, 5V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 33W (TC)
TSM3N100CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N100CP ROG -
RFQ
 ECAD 2852 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM3 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 1000 v 2.5A (TC) 10V 6ohm @ 1.25a, ​​10V 5.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 664 pf @ 25 v - 99W (TC)
CSD17577Q5A Texas Instruments CSD17577Q5A 0.8200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD17577 MOSFET (금속 (() 8-vsonp (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 60A (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 18a, 10V 1.8V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2310 pf @ 15 v - 3W (TA), 53W (TC)
IXFN200N10P IXYS IXFN200N10P 28.9600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 상자 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN200 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 100 v 200a (TC) 10V 7.5mohm @ 500ma, 10V 5V @ 8MA 235 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 680W (TC)
IXTQ32P20T IXYS IXTQ32P20T 6.0893
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ32 MOSFET (금속 (() to-3p - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTQ32P20T 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 200 v 32A (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 15V 14500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRLI520GPBF Vishay Siliconix IRLI520GPBF 0.9881
RFQ
 ECAD 8720 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli520 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLI520GPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 7.2A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.3a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 37W (TC)
NVTFWS012P03P8ZTAG onsemi NVTFWS012P03P8ZTAG 0.3713
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvtfws012p03p8ztagtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 11.3MOHM @ 10A, 10V 3V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 25V 1535 pf @ 15 v - 860MW (TA)
IRF6623TRPBF Infineon Technologies irf6623trpbf 2.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st IRF6623 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 20 v 16A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1360 pf @ 10 v - 1.4W (TA), 42W (TC)
SQ4840EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4840EY-T1_BE3 3.3100
RFQ
 ECAD 5093 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4840 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 20.7A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 2440 pf @ 20 v - 7.1W (TC)
FDA24N40F onsemi FDA24N40F 4.2400
RFQ
 ECAD 859 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FDA24 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 400 v 23A (TC) 10V 190mohm @ 11.5a, 10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 3030 pf @ 25 v - 235W (TC)
PMX800ENEZ Nexperia USA Inc. pmx800enez 0.1000
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) MOSFET (금속 (() DFN0603-3 (SOT8013) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-PMX800ENEZ 귀 99 8541.29.0095 15,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 4.5V, 10V 1.1ohm @ 400ma, 10V 2.5V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 32 pf @ 30 v - 300MW (TA), 4.7W (TC)
MCP140N10Y-BP Micro Commercial Co MCP140N10Y-BP -
RFQ
 ECAD 8198 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MCP140N10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 353-MCP140N10Y-BP 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 140A (TC) 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 117 NC @ 10 v ± 20V 6920 pf @ 50 v - 220W (TC)
SI2324DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2324DS-T1-BE3 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2324 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI2324DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TA), 2.3A (TC) 4.5V, 10V 234mohm @ 1.5a, 10V 2.8V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 50 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SQ3427AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3427AEEV-T1_BE3 0.7800
RFQ
 ECAD 812 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3427 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5.3A (TC) 4.5V, 10V 95mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 30 v - 5W (TC)
SUD23N06-31-BE3 Vishay Siliconix SUD23N06-31-BE3 0.9700
RFQ
 ECAD 5071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SUD23N06-31-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 9.1A (TA), 21.4A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 5.7W (TA), 31.25W (TC)
SQ2361ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2361ES-T1_BE3 0.6300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.8A (TC) 4.5V, 10V 177mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 30 v - 2W (TC)
HUFA75309D3 onsemi HUFA75309D3 -
RFQ
 ECAD 4287 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA hufa75 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 19A (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 20 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 55W (TC)
FDS8817NZ onsemi FDS8817NZ -
RFQ
 ECAD 6375 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS8817 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj418ep-t1_ge3 1.1800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ418 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 48A (TC) 10V 14mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI2338DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2338DS-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2338DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.5A (TA), 6A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 424 pf @ 15 v - 1.3W (TA), 2.5W (TC)
HUFA76419S3ST onsemi hufa76419s3st -
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB hufa76 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 29A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 29a, 10V 3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 16V 900 pf @ 25 v - 75W (TC)
SQA446CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa446cejw-t1_ge3 0.6200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqa446cejw-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9A (TC) 2.5V, 4.5V 17.5mohm @ 4.5a, 4.5v 1.3V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 910 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
G20N03D2 Goford Semiconductor G20N03D2 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 873 pf @ 30 v - 1.5W (TC)
UPA2718GR-E1-AT Renesas UPA2718GR-E1-AT 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-UPA2718GR-E1-AT-1833 1
STP80NF10 STMicroelectronics STP80NF10 3.7400
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 15mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 182 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 25 v - 300W (TC)
PSMN6R0-30YLB,115 NXP USA Inc. PSMN6R0-30YLB, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 71A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 19 NC @ 10 v ± 20V 1088 pf @ 15 v - 58W (TC)
CSD19536KTTT Texas Instruments CSD19536KTTT 6.0500
RFQ
 ECAD 468 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA CSD19536 MOSFET (금속 (() DDPAK/TO-263-3 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 200a (TA) 6V, 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 3.2V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 50 v - 375W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다