SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
JANTXV2N7224 Microsemi Corporation jantxv2n7224 -
RFQ
ECAD 2605 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/592 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 34A (TC) 10V 81mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
STP20NM60 STMicroelectronics STP20NM60 6.3800
RFQ
ECAD 984 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP20 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 25 v - 192W (TC)
RM4N700IP Rectron USA RM4N700IP 0.3500
RFQ
ECAD 1818 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N700IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 46W (TC)
RM210N75HD Rectron USA RM210N75HD 0.9200
RFQ
ECAD 2322 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM210N75HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 75 v 210A (TC) 10V 4mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 11000 pf @ 25 v - 330W (TC)
RM052N100DF Rectron USA RM052N100DF 0.6500
RFQ
ECAD 7185 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM052N100DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 100 v 70A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA +20V, -12V 9100 pf @ 25 v - 142W (TC)
FDS8817NZ onsemi FDS8817NZ -
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS8817 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRF9510 Vishay Siliconix IRF9510 -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9510 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 43W (TC)
MMBF170LT1G onsemi MMBF170LT1G 0.3900
RFQ
ECAD 5199 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF170 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 10 v - 225MW (TA)
NVD5802NT4G-VF01 onsemi NVD5802NT4G-VF01 -
RFQ
ECAD 4739 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD5802 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 16.4A (TA), 101A (TC) 5V, 10V 4.4mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 93.75W (TC)
IXUV170N075 IXYS IXUV170N075 -
RFQ
ECAD 8638 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXUV170 MOSFET (금속 (() Plus220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 175A (TC) - - - -
YJQ4606A Yangjie Technology YJQ4606A 0.1230
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJQ4606AT 귀 99 5,000
DMN2075U-7-50 Diodes Incorporated DMN2075U-7-50 0.0800
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2075 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMN2075U-7-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 38mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 594.3 pf @ 10 v - 800MW
RM80N30DF Rectron USA RM80N30DF 0.1600
RFQ
ECAD 3287 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm80n30dftr 8541.10.0080 40,000 n 채널 30 v 81A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2295 pf @ 15 v - 59W (TC)
RM80N100AT2 Rectron USA RM80N100AT2 0.5500
RFQ
ECAD 8599 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N100AT2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250A ± 20V 5480 pf @ 50 v - 125W (TC)
STY60NK30Z STMicroelectronics STY60NK30Z 12.7300
RFQ
ECAD 380 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STY60 MOSFET (금속 (() Max247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 60A (TC) 10V 45mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 100µa 220 NC @ 10 v ± 30V 7200 pf @ 25 v - 450W (TC)
MCP140N10Y-BP Micro Commercial Co MCP140N10Y-BP -
RFQ
ECAD 8198 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MCP140N10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 353-MCP140N10Y-BP 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 140A (TC) 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 117 NC @ 10 v ± 20V 6920 pf @ 50 v - 220W (TC)
SIHB120N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHB120N60E-T1-GE3 5.2400
RFQ
ECAD 760 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1562 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRFSL7434PBF Infineon Technologies IRFSL7434PBF -
RFQ
ECAD 6170 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL7434 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001557628 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 6V, 10V 1.6MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 NC @ 10 v ± 20V 10820 pf @ 25 v - 294W (TC)
FQPF4N90CT Fairchild Semiconductor fqpf4n90ct 1.0000
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 900 v 4A (TC) 10V 4.2ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 960 pf @ 25 v - 47W (TC)
NP20P06SLG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP20P06SLG-E1-ay 1.4600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NP20P06 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 10 v - 1.2W (TA), 38W (TC)
IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB038N12N3GATMA1 6.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB038 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 270µA 211 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 60 v - 300W (TC)
IPI90R340C3XKSA2 Infineon Technologies IPI90R340C3XKSA2 6.4000
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI90R340 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 15A (TC) 10V 340mohm @ 9.2a, 10V 3.5V @ 1mA 94 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 100 v - 208W (TC)
AUIRLS3036 International Rectifier auirls3036 -
RFQ
ECAD 1491 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 11210 pf @ 50 v - 380W (TC)
IRL3502STRR Infineon Technologies irl3502strr -
RFQ
ECAD 4057 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 110 NC @ 4.5 v ± 10V 4700 pf @ 15 v - 140W (TC)
SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-GE3 1.1800
RFQ
ECAD 6324 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5441 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 4.4a, 4.5v 1.4V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
AOV15S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOV15S60 1.4244
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn AOV15 MOSFET (금속 (() 4-DFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 600 v 520MA (TA), 12A (TC) 10V 360mohm @ 7.5a, 10V 3.8V @ 250µA 15.6 NC @ 10 v ± 30V 717 pf @ 100 v - 8.3W (TA), 208W (TC)
BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC065N06LS5ATMA1 1.5500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC065 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 64A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 32a, 10V 2.3V @ 20µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1800 pf @ 30 v - 46W (TC)
NVTP2955G onsemi NVTP2955G -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - NVTP29 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - - -
R5005CNJTL Rohm Semiconductor R5005CNJTL 1.1388
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5005 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.6ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 1mA 10.8 nc @ 10 v ± 30V 320 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIDR220DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR220DP-T1-RE3 2.7700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR220DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 87.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 10850 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고