SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0.7300
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 3.6A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 335 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 32W (TC)
IRF530PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF530PBF-BE3 1.4000
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf530pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 88W (TC)
PMZ550UNE315 NXP USA Inc. PMZ550UN315 -
RFQ
 ECAD 6723 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 10,000
RMP3N90LD Rectron USA RMP3N90LD 0.3300
RFQ
 ECAD 3260 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RMP3N90LD 8541.10.0080 4,000 n 채널 900 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 850 pf @ 25 v - 50W (TC)
RM40N40LD Rectron USA RM40N40LD 0.1450
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N40LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1314 pf @ 15 v - 34.7W (TC)
RM5N800LD Rectron USA RM5N800LD 0.6900
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N800LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 v - 81W (TC)
STL7N6F7 STMicroelectronics stl7n6f7 0.7300
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerwdfn STL7 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7A (TC) 10V 25mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 2.4W (TA)
SI3464DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3464DV-T1-BE3 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.5A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 1065 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
IRF9510 Vishay Siliconix IRF9510 -
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9510 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 43W (TC)
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 -
RFQ
 ECAD 5164 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC60R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000857782 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
MMFTN3402 Diotec Semiconductor MMFTN3402 0.0648
RFQ
 ECAD 6325 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mmftn3402tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 4a, 10V 1.4V @ 250µA ± 20V - 500MW (TA)
SIDR220DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR220DP-T1-RE3 2.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR220DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 87.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 10850 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
IRF610PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF610PBF-BE3 0.9300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF610 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1 (무제한) 742-irf610pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRFR4105Z Infineon Technologies IRFR4105Z -
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
G23N06K Goford Semiconductor G23N06K 0.1370
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 23a 35mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v 38W
SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4435FDY-T1-GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12.6A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 4.8W (TC)
RM78N100LD Rectron USA RM78N100LD 0.4400
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM78N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 100 v 78A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 39a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 5480 pf @ 50 v - 125W (TC)
PSMN3R2-40YLDX Nexperia USA Inc. psmn3r2-40yldx 1.5300
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 120A (TA) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 2.05V @ 1mA 57 NC @ 10 v ± 20V 4103 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 115W (TA)
CPH6341-TL-EX onsemi CPH6341-TL-EX -
RFQ
 ECAD 7425 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 CPH634 MOSFET (금속 (() 6-CPH - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 59mohm @ 3a, 10V - 10 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
SIDR220DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR220DP-T1-GE3 2.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR220 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 87.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 1085 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
NTMFS5C604NLT1G-UIL3 onsemi ntmfs5c604nlt1g-uil3 6.6200
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 40A (TA), 287A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 8900 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 200W (TC)
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342 (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK3342 MOSFET (금속 (() PW-Mold 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 4.5A (TA) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 10 v - 20W (TC)
IXFP16N50P3 IXYS IXFP16N50P3 5.5100
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP16 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfp16n50p3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 360mohm @ 8a, 10V 5V @ 2.5MA 29 NC @ 10 v ± 30V 1515 pf @ 25 v - 330W (TC)
AO7403 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7403 -
RFQ
 ECAD 2736 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 AO740 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 700MA (TA) 1.8V, 4.5V 470mohm @ 700ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1.44 NC @ 4.5 v ± 8V 114 pf @ 10 v - 350MW (TA)
IRFH7914TRPBF Infineon Technologies IRFH7914TRPBF 0.7300
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH7914 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 15A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 14a, 10V 2.35V @ 25µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1160 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
FCP4N60 onsemi FCP4N60 2.3200
RFQ
 ECAD 273 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP4 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.9A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 50W (TC)
ZXMN4A06KTC Diodes Incorporated ZXMN4A06KTC 1.2500
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMN4A06 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 1V @ 250µA 17.1 NC @ 10 v ± 20V 827 pf @ 20 v - 2.15W (TA)
AUIRFS3006-7TRL Infineon Technologies AUIRFS3006-7TRL 4.2330
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521716 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 240A (TC) 2.1mohm @ 168a, 10V 4V @ 250µA 300 NC @ 10 v 8850 pf @ 50 v - 375W (TC)
FDMS7578 onsemi FDMS7578 -
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS75 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 17A (TA), 28A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1625 pf @ 13 v - 2.5W (TA), 33W (TC)
STP5N95K5 STMicroelectronics STP5N95K5 2.1100
RFQ
 ECAD 876 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP5N95 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 3.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 100µa 12.5 nc @ 10 v ± 30V 220 pf @ 100 v - 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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