SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BUK7226-75A,118 Nexperia USA Inc. BUK7226-75A, 118 -
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 45A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 48 NC @ 10 v ± 20V 2385 pf @ 25 v - 158W (TC)
PMN27XPE115 NXP USA Inc. PMN27XPE115 0.2100
RFQ
ECAD 34 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 3a, 4.5v 1.25V @ 250µA 22.5 nc @ 4.5 v ± 12V 1770 pf @ 10 v - 530MW (TA), 8.33W (TC)
FDS4080N3 Fairchild Semiconductor FDS4080N3 1.6600
RFQ
ECAD 39 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 13A (TA) 10V 10.5mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 20 v - 3W (TA)
SUD09P10-195-BE3 Vishay Siliconix SUD09P10-195-BE3 0.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD09 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 8.8A (TC) 4.5V, 10V 195mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 34.8 nc @ 10 v ± 20V 1055 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 32.1W (TC)
BSP89L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP89L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4702 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP89 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1.8V @ 108µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
GT011N03ME Goford Semiconductor GT011N03ME 1.7100
RFQ
ECAD 800 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 800 n 채널 30 v 209A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 18V 6140 pf @ 15 v - 89W (TC)
IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB038N12N3GATMA1 6.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB038 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 270µA 211 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 60 v - 300W (TC)
AUIRLS3036 International Rectifier auirls3036 -
RFQ
ECAD 1491 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 11210 pf @ 50 v - 380W (TC)
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H (T2L1, VM -
RFQ
ECAD 3369 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8045 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 46A (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 23a, 10V 2.3v @ 1ma 90 NC @ 10 v ± 20V 7540 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
NVD5890NLT4G-VF01 onsemi NVD5890NLT4G-VF01 -
RFQ
ECAD 6667 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVD5890NLT4G-VF01TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 24A (TA), 123A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 4760 pf @ 25 v - 4W (TA), 107W (TC)
IRF7805A Infineon Technologies IRF7805A -
RFQ
ECAD 6820 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7805A 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 12V - 2.5W (TA)
BUK96150-55A,118 NXP USA Inc. BUK96150-55A, 118 -
RFQ
ECAD 3555 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk96 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 13A (TC) 4.5V, 10V 137mohm @ 13a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 339 pf @ 25 v - 53W (TC)
NTB30N06T4G onsemi NTB30N06T4G -
RFQ
ECAD 2340 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB30 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 27A (TA) 10V 42mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 88.2W (TC)
IXFK90N20Q IXYS IXFK90N20Q 15.3652
RFQ
ECAD 9792 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK90 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFK90N20Q-NDR 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 90A (TC) 10V 22mohm @ 45a, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 25 v - 500W (TC)
NVMFS5C468NLWFT3G onsemi NVMFS5C468NLWFT3G -
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 37A (TC) 4.5V, 10V 10.3mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 7.3 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
IRFR1N60ATRPBF Vishay Siliconix irfr1n60atrpbf 1.5500
RFQ
ECAD 985 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
NTF3055L108T3LF onsemi NTF3055L108T3LF -
RFQ
ECAD 8613 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NTF305 MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTF3055L108T3LFOS 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 3A (TA) 5V 120mohm @ 1.5a, 5V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 15V 440 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
STF26N65DM2 STMicroelectronics STF26N65DM2 2.1186
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF26 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 35.5 nc @ 10 v ± 25V 1480 pf @ 100 v - 30W (TC)
IPB0401NM5SATMA1 Infineon Technologies IPB0401NM5SATMA1 4.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - IPB0401 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 - - - - - - - -
IPP126N10N3G Infineon Technologies IPP126N10N3G -
RFQ
ECAD 3366 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 68 n 채널 100 v 58A (TC) 12.6MOHM @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 94W (TC)
FDS8896 Fairchild Semiconductor FDS8896 1.0000
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
2SK2111-T2-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK2111-T2-AZ 0.4300
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
IRF3704ZSPBF Infineon Technologies IRF3704ZSPBF -
RFQ
ECAD 4574 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 67A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 21a, 10V 2.55V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1220 pf @ 10 v - 57W (TC)
IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R099P7ATMA1 5.0500
RFQ
ECAD 1589 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R099 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 530µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1952 pf @ 400 v - 117W (TC)
FDD3706 onsemi FDD3706 -
RFQ
ECAD 3322 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD370 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 14.7A (TA), 50A (TC) 2.5V, 10V 9mohm @ 16.2a, 10V 1.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 12V 1882 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 44W (TC)
AOV15S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOV15S60 1.4244
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn AOV15 MOSFET (금속 (() 4-DFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 600 v 520MA (TA), 12A (TC) 10V 360mohm @ 7.5a, 10V 3.8V @ 250µA 15.6 NC @ 10 v ± 30V 717 pf @ 100 v - 8.3W (TA), 208W (TC)
AO7408 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7408 0.0977
RFQ
ECAD 1915 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 AO740 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 62mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 8V 320 pf @ 10 v - 350MW (TA)
R6530ENZC8 Rohm Semiconductor R6530ENZC8 -
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6530 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6530ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 140mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 86W (TC)
IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R083M1HXKSA1 11.0700
RFQ
ECAD 119 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW65R sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 18V 111mohm @ 11.2a, 18V 5.7v @ 3.3ma 19 NC @ 18 v +20V, -2V 624 pf @ 400 v - 104W (TC)
DMTH61M8SPS-13 Diodes Incorporated DMTH61M8SPS-13 0.9002
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH61M8SPS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 215A (TC) 10V 1.6MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130.6 NC @ 10 v ± 20V 8306 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 167W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고